半导体制冷PPT课件.ppt
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1、. . 半导体制冷张昆2022-4-112022-4-11. .1 11概述2原理3特点4系统5应用2022-4-112022-4-11. .1 1概述 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1 半导体制冷( (亦名热电制冷、温差电制冷或电子制冷) )是以温差电现象为基础的制冷方法,它是利用“珀尔帖”效应的原理达到制冷目的。 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1半导体及其特性为什么选择半导体 ?热电效应背景知识 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 11、什么是半导体? 物体按导电能力分类绝缘体导电能力很差
2、的物体(如橡胶、塑料、陶瓷等)导体具有良好的导电能力的物体(如铜、银、铝)半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物体(如锗、硅、砷化镓及 许多金属氧化物)半导体的特性:光敏特性、热敏特性和掺杂特性 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 12、典型半导体 典型的半导体是硅Si和锗Ge,都是4价元素。sisi硅原子Ge锗原子Ge+4+4硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 13、半导体的种类 概述原理特点系统应用本征半导体IP型半导体N型半导体2022-4-112022-4-11. .1 1 这一现象称
3、为本征激发,也称热激发。 当温度升高或受到光的照射时,束缚电子能量增高,有的电子可以挣脱原子核的束缚,而参与导电,成为自由电子。+4+4+4+4+4+4+4+4+4 自由电子产生的同时,在其原来的共价键中就出现了一个空位,称为空穴。 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1 可见本征激发同时产生电子空穴对。 与本征激发相反的现象复合在一定温度下,本征激发和复合同时进行,达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴电子空穴对 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1导电机制 概述原理特点系统应用202
4、2-4-112022-4-11. .1 1N型半导体多余电子磷原子硅原子+4+4+4+4+4+4+4+4+5多数载流子自由电子少数载流子 空穴+N型半导体施主离子自由电子电子空穴对 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1空穴硼原子硅原子+4+4+4+4+4+4+3+4+4多数载流子 空穴少数载流子自由电子P型半导体受主离子空穴电子空穴对P型半导体 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1杂质半导体的示意图+N型半导体多子电子少子空穴P型半导体多子空穴少子电子少子浓度与温度有关多子浓度与温度无关 概述原理特点系统应用2022-4-1120
5、22-4-11. .1 14 4、PN结的形成及其单向导电性扩散运动P区空穴浓度远高于N区。N区自由电子浓度远高于P区。 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 14.1 PN结的形成漂移运动 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1NP结PN 随着扩散运动的进行,在界面N区的一侧,随着电子向P区的扩散,杂质变成正离子;在界面P区的一侧,随着空穴向N区的扩散,杂质变成负离子。所以在N型和P型半导体界面的N型区一侧会形成正离子薄层;在P型区一侧会形成负离子薄层。 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1扩散电流漂移
6、电流NP结PN在半导体中还存在少子,内电场的电场力会对少子产生作用,促使少数载流子产生漂移运动。 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 14.2PN结的单向导电性PN结加正向电压导通: 耗尽层变窄,扩散运动加剧,由于外电源的作用,形成扩散电流,PNPN结处于导通状态。 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1PN结加反向电压截止: 耗尽层变宽,阻止扩散运动,有利于漂移运动,形成漂移电流。由于电流很小,故可近似认为其截止。 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1 普通金属导体的珀尔帖效应微弱,制冷效果不佳。例如
7、当时曾用金属材料中导热和导电性能最好的锑-铋(Sb-Bi)热电偶做成制冷器,但其制冷效率还不到1 % ,根本没有实用价值。 随着人们对半导体材料内部结构特点的了解,发现了它产生的温差电现象比其他金属要显著得多。 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1热电效应 1.1.塞贝尔(seebeck)(seebeck)效应 2.2.珀尔帖(peltier)(peltier)效应3.3.汤姆逊(thomson)(thomson)效应半导体制冷的最基本依据 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1塞贝尔(seebeck)效应 E= .T (1821年
8、,seebeck) 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1珀尔帖(poltier)效应其本质是塞贝尔效应的逆效应(1834, poltier)。 概述原理特点系统应用IQcT2022-4-112022-4-11. .1 1汤姆逊(thomson)效应 若电流流过有温度梯度的导体,则在导体和周围环境之间将进行能量交换。(1855,Thomson) QT=T 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 119世纪30年代 20世纪50年代20世纪80年代 至今国外(分为三个阶段)使用的金属材料的热电性能较差,能量转换的效率很低,无实用价值,热电效
9、应没有得到实质应用半导体材料的广泛应用,热电效应的效率大大提高,热电发电和热电制冷进入工程实践。.提高半导体的热电制冷的性能 开发热电制冷的应用领域20世纪50年代 20世纪80年代 概述原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 120世纪5060年代20世纪90年代国内开始对半导体制冷进行了研究研究半导体制冷材料的高优值系数,拓宽其应用领域,产品以车用小型冷热箱为主开发出具有广泛实用价值的民用便携式冷热箱、化妆品专用冷藏箱、高低温测试设备以及半导体去湿系列产品20世纪60年代末至80年代初至2009年 半导体制冷组件的主要性能指标已达到国外20世纪90年代水平 概述原理特
10、点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1 概述 原理特点系统应用结构及材料1工作原理2制冷特性3制冷性能最佳分析4半导体制冷原理、结构及特性分析2022-4-112022-4-11. .1 1 热电偶 由2个金属电桥(1、2)和一对电偶臂(由一块P型半导体和一块N型半导体构成) 组成 概述 原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1半导体制冷片 (热电制冷片),是由上百对热电偶联成的热电堆。 概述 原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1 一对电偶的制冷量是很小的,如6xL76xL7的电偶对, ,其制冷量仅为3.33.34.2kJ
11、/h4.2kJ/h(0.92w0.92w 1.2w1.2w) 为了获得较大的冷量可将很多对电偶对串联成热电堆,称单级热电堆 单级热电堆在通常情况下只能得到大约5050的温差。为了得到更低的冷端温度,可用串联、并联及串并联的方法组出多级热电堆,图2-12-1示出多级热电堆的结构型式。 多级热电堆 概述 原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1电 绝 缘 导 热 层 电绝缘导 热 层 I2 I I I1 图2-12-1 多级热电堆的结构型式 a) a) 串联二级热电堆 b) b) 并联二级热电堆 c) c) 串并联三级热电堆 概述 原理特点系统应用2022-4-112022
12、-4-11. .1 11 半导体制冷片的结构及材料基板 一般是陶瓷片,主要成分是95氧化铝。起电绝缘、导热和支撑作用。在其表面烧结有金属化图形。导流条 其成分多是无氧铜,起导电和导热作用。通过锡焊接在陶瓷片的金属化图形上。半导体致冷元件 在上下导流条之间,其主要成分是碲化鉍。它是制冷片的主功能部件,分N型元件和P型元件,通过锡焊接在导流条上。 概述 原理特点系统应用2022-4-112022-4-11. .1 1 半导体不仅需要N型和P型半导体特性还要根据掺入的杂质改变半导体的温差电动势率导电率和导热率使这种特殊半导体能满足制冷的材料。 目前国内常用材料是以碲化铋为基体的三元固溶体合金其中P型
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