集成电路制备工艺课件(PPT40张).ppt

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1、集成电路集成电路材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛Contentsv集成电路的定义v集成电路的分类v集成电路的工艺材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路定义集成电路定义v集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或 几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、 低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“I

2、C”表示。材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路分类集成电路分类v按其功能结构按其功能结构：可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大 集成电路类。v按制作工艺：按制作工艺：半导体集成电路和膜集成电路。v按导电类型：按导电类型：双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路。材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路分类集成电路分类v按集成度高低按集成度高低：v 小规模集成电路：小规模集成电路：SSI 英文全名为 Small Scale Integration, 逻辑门10个以下 或 晶体管 100个以下。v 中规模集成

3、电路：中规模集成电路：MSI 英文全名为 Medium Scale Integration, 逻辑门11100个 或 晶体管 1011k个。v 大规模集成电路：大规模集成电路：LSI 英文全名为 Large Scale Integration, 逻辑门1011k个 或 晶体管 1,00110k个。v 超大规模集成电路：超大规模集成电路：VLSI 英文全名为 Very large scale integration, 逻辑门1,00110k个 或 晶体管 10,001100k个。v 特大规模集成电路：特大规模集成电路：ULSI 英文全名为 Ultra Large Scale Integratio

4、n, 逻辑门10,0011M个 或 晶体管 100,00110M个。v 巨大规模集成电路：巨大规模集成电路：GLSI 英文全名为 Giga Scale Integration, 逻辑门1,000,001个以上 或 晶体管10,000,001个以上。材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺前部工序的主要工艺前部工序的主要工艺将设计在掩膜版将设计在掩膜版(类似于照相底片类似于照相底片)上上的图形转移到半导体单晶片上的图形转移到半导体单晶片上根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等要的位置上，

5、形成晶体管、接触等制作各种材料的薄膜制作各种材料的薄膜材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻束光刻刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀离子注入离子注入 退火退火扩散扩散氧化：干氧氧化、湿氧氧化等氧化：干氧氧化、湿氧氧化等CVD：APCVD、LPCVD、PECVDPVD：蒸发、溅射：蒸发、溅射材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺 （在另外厂房）（在另外厂房）（1）背面减薄（2）划片、掰片（3）粘

6、片（4）压焊：金丝球焊（5）切筋（6）整形（7）封装（8）沾锡：保证管脚的电学接触（9）老化（10）成测（11）打字、包装 划片材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺图形转换：光刻v光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变v正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶v负胶：

7、分辨率差，适于加工线宽3m的线条材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺正胶：曝光后可溶正胶：曝光后可溶 分辨率高分辨率高负胶：曝光后不可溶负胶：曝光后不可溶 分辨率差分辨率差材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺图形转换：光刻几种常见的光刻方法接触式光刻、接近式曝光、投影式曝光材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺图形转换：光刻接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(102

8、5m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺n 湿法刻蚀湿法刻蚀 利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。n 干法刻蚀干法刻蚀 主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基（处于激发态的分子、原子及各种原子基团等）与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。图形转换：刻蚀技术材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺图形转换：刻蚀技术v湿法腐蚀

9、： 湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀 优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低 缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺图形转换：刻蚀技术v干法刻蚀v溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差v等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差v反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，简称为RIE)：通过活性离子对衬

10、底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前，RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺杂质掺杂杂质掺杂掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧结、电阻、欧姆接触姆接触磷磷(P)、砷、砷(As) N型硅型硅硼硼(B) P型硅型硅掺杂工艺：扩散、离子注入掺杂工艺：扩散、离子注入材料科学与工程学院材料科学与工程学院pp

11、t设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺杂质掺杂：扩散杂质掺杂：扩散v替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位： 、族元素 一般要在很高的温度(9501280)下进行 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层v间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙： Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 扩散系数要比替位式扩散大67个数量级材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺替位式扩散替位式扩散 低扩散率低扩散率 杂质离子占据硅原子的位置（Ar、P）杂质掺杂：扩散杂质掺杂：扩散间隙式扩散间隙式扩散 高扩散

12、率高扩散率 杂质离子位于晶格间隙（Au、Cu、Ni）材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺杂质掺杂：扩散杂质掺杂：扩散横向扩散横向扩散 当原子扩散进入硅片，向各个方向运动，杂质沿硅片表面方向迁移，会导致沟道长度减小，影响器件的集成度和性能。材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺离子注入离子注入v离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定 掺杂的均匀性好 温度低：小于600 可以精确控制杂质分布

13、 可以注入各种各样的元素 横向扩展比扩散要小得多。 可以对化合物半导体进行掺杂材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺：退火集成电路生产工艺：退火v退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火 激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到杂质的作用 消除损伤v退火方式： 炉退火 快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等)材料科

14、学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺：制膜集成电路生产工艺：制膜氧化工艺氧化工艺氧化膜的生长方法，硅片放在1000C左右的氧气气氛中生长氧化层。选择选择SiO2的原因的原因l 理想的电绝缘材料：eg大于8eVl 化学性质非常稳定l 室温下只与氢氟酸发生化学反映l 能很好的附着在大多数材料上l 可生长或淀积在硅圆片上氧化膜的用途氧化膜的用途l 光刻掩蔽（扩散掩蔽层，离子注入阻挡层）l MOS管的绝缘 栅材料l 电路隔离或绝缘介质，多层金属间介质l 电容介质材料l 器件表面保护或钝化膜湿氧氧化：湿氧氧化：氧化速率高但结构略粗糙，制备厚二氧化硅薄膜干氧氧化：干氧氧化：

15、结构致密但氧化速率极低材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺：制膜集成电路生产工艺：制膜SiO2的制备方法v热氧化法 干氧氧化 水蒸汽氧化 湿氧氧化 干氧湿氧干氧(简称干湿干)氧化法 氢氧合成氧化v化学气相淀积法v热分解淀积法v溅射法材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺：制膜集成电路生产工艺：制膜化学汽相淀积(CVD)v化学汽相淀积(Chemical Vapor Deposition)：通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程vCVD技术特点： 具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆

16、盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点 CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺：制膜集成电路生产工艺：制膜常用的CVD技術有：(1) 常压化学气相淀积（APCVD）；(2) 低压化學气相淀积（LPCVD）；(3) 等离子增强化學气相淀积（PECVD）较为常见的CVD薄膜包括有： 二氧化硅（通常直接称为氧化层） 氮化硅 多晶硅 难熔金属与这类金属之其硅化物 材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺：制膜集

17、成电路生产工艺：制膜物理气相淀积（物理气相淀积（PVD） PVD主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩等钝气体，在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，氩等钝气体，在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。PVD以以真空、溅射、离子化或离子束等方法使純金属揮發，与碳化真空、溅射、离子化或离子束等方法使純金属揮發，与碳化氫、氮气等气体作用，加熱至氫、氮气

18、等气体作用，加熱至400600（約（約13小時）小時）後，蒸鍍碳化物、氮化物、氧化物及硼化物等後，蒸鍍碳化物、氮化物、氧化物及硼化物等110m厚之厚之微細粒狀薄膜。微細粒狀薄膜。PVD可分為三种技術：可分為三种技術： (1)蒸鍍（蒸鍍（Evaporation）；）； (2)分子束外延成長（分子束外延成長（Molecular Beam Epitaxy MBE）；）； (3)濺鍍（濺鍍（Sputter）材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺：制膜集成电路生产工艺：制膜物理气相淀积（物理气相淀积（PVD）技术有两种基本工艺：蒸镀法和溅镀法。前技术有两种基本工艺：蒸

19、镀法和溅镀法。前者是通过把被蒸镀物质者是通过把被蒸镀物质(如铝如铝)加热，利用被蒸镀物加热，利用被蒸镀物质在高温下质在高温下(接近物质的熔点接近物质的熔点)的饱和蒸气压，来进的饱和蒸气压，来进行薄膜沉积；后者是利用等离子体中的离子，对被行薄膜沉积；后者是利用等离子体中的离子，对被溅镀物质电极进行轰击，使气相等离子体内具有被溅镀物质电极进行轰击，使气相等离子体内具有被溅镀物质的粒子，这些粒子沉积到硅表面形成薄膜。溅镀物质的粒子，这些粒子沉积到硅表面形成薄膜。在集成电路中应用的许多金属或合金材料都可通过在集成电路中应用的许多金属或合金材料都可通过蒸镀或溅镀的方法制造。蒸镀或溅镀的方法制造。 淀积铝

20、也称为金属化工淀积铝也称为金属化工艺，它是在真空设备中进行的。在硅片的表面形成艺，它是在真空设备中进行的。在硅片的表面形成一层铝膜一层铝膜。材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺：制膜集成电路生产工艺：制膜材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺：制膜集成电路生产工艺：制膜溅射镀膜材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺涂（正）光刻胶涂（正）光刻胶选择曝光选择曝光热氧化热氧化SiO2 下面以下面以N型硅上扩散硼制做二极管型硅上扩散硼制做二极管为例，说明平面工艺的工艺流程。为例

21、，说明平面工艺的工艺流程。材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺去胶去胶掺杂掺杂显影（第显影（第1次图形转移）次图形转移）刻蚀（第刻蚀（第2次图形转移次图形转移）材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺蒸发镀蒸发镀Al 膜膜光刻光刻Al 电极电极CVD 淀积淀积SiO2 膜膜光刻引线孔光刻引线孔材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺:测试与封装测试与封装 一旦所有制造与测试完成，芯片被从硅片上分离出电性能良好的器件，进行封装。为芯片提供一种保

22、护以便它能粘贴到其他装配板上。 芯片测试芯片测试 装配和封装装配和封装 由于日益复杂的IC电路、材料和工艺的迅速引入，100%的正确率在先进硅片制造中几乎是不可能出现的。 测试对于检验芯片的功能性来说是一项非常重要的工作。测试必须能分辨好的芯片和有缺陷的芯片，合格的芯片将继续下面的工艺， 有缺陷的芯片通过修正或报废。材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺:测试与封装测试与封装 硅片测试硅片测试硅片测试是为了检验规格的一致性而在硅片级集成电路上进行的电学参数测量。测试IC生产阶段硅片/芯片级测试描述IC设计验证生产前硅片级 描述、调试和检验新的

23、芯片设计，保证符合规格要求。在线参数测试硅片制造过程中硅片级 为了监控工艺，在制造过程的早期（前端）进行的产品工艺检验测试。硅片筛选测试（探针）硅片制造后硅片级 产品功能测试，验证每个芯片是否符合产品规格。可靠性封装的IC封装的芯片级 集成电路加电并在高温下测试，以发现早期失效（有时候，也在在线参数测试中进行硅片级的可靠性测试）。最终测试封装的IC封装的芯片级使用产品规格进行的产品功能测试。材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路生产工艺集成电路生产工艺:测试与封装测试与封装装配和封装装配和封装通过自动测试设备（ATE）进行单个芯片的电学测试以确保集成电路质量。1.保

24、护芯片以免由环境和传递引起损坏。2.为芯片的信号输入和输出提供互连。3.芯片的物理支撑。4.散热。塑料封装（环氧树脂聚合物）陶瓷封装n 背面减薄背面减薄 硅片在装配开始前必须被减薄。较薄的硅片更容易划成小芯片并改善散热，最终集成电路管壳的外形尺寸和重量也会减小。n 分片分片使用金刚石刀刃的划片锯把每个芯片从硅片上切下来。n 装架装架分片后， 硅片被转移到装架上，每个好的芯片被粘贴到底座或者引线框架上。n 引线缝合引线缝合将芯片表面的焊压点和引线框架上或基座上的电极内端进行电连接。n 封装封装将已完成引线缝合的芯片和模块化工艺的引线框架完全包封。n 最终测试最终测试重要功能重要功能封装类型封装类

25、型材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛集成电路封装工艺流程材料科学与工程学院材料科学与工程学院ppt设计大赛设计大赛各种封装类型示意图1、最孤独的时光，会塑造最坚强的自己。2、把脸一直向着阳光，这样就不会见到阴影。3、永远不要埋怨你已经发生的事情，要么就改变它，要么就安静的接受它。4、不论你在什么时候开始，重要的是开始之后就不要停止。5、通往光明的道路是平坦的，为了成功，为了奋斗的渴望，我们不得不努力。6、付出了不一定有回报，但不付出永远没有回报。7、成功就是你被击落到失望的深渊之后反弹得有多高。8、为了照亮夜空，星星才站在天空的高处。9、我们的人生必须励志，不励志就仿佛

26、没有灵魂。10、拼尽全力，逼自己优秀一把，青春已所剩不多。11、一个人如果不能从内心去原谅别人，那他就永远不会心安理得。12、每个人心里都有一段伤痕，时间才是最好的疗剂。13、如果我不坚强，那就等着别人来嘲笑。14、早晨给自己一个微笑，种下一天旳阳光。15、没有爱不会死，不过有了爱会活过来。16、失败的定义：什么都要做，什么都在做，却从未做完过，也未做好过。17、当我微笑着说我很好的时候，你应该对我说，安好就好。18、人不仅要做好事，更要以准确的方式做好事。19、我们并不需要用太华丽的语言来包裹自己，因为我们要做最真实的自己。20、一个人除非自己有信心，否则无法带给别人信心。21、为别人鼓掌的

27、人也是在给自己的生命加油。22、失去金钱的人损失甚少，失去健康的人损失极多，失去勇气的人损失一切。23、相信就是强大，怀疑只会抑制能力，而信仰就是力量。24、那些尝试去做某事却失败的人，比那些什么也不尝试做却成功的人不知要好上多少。25、自己打败自己是最可悲的失败，自己战胜自己是最可贵的胜利。26、没有热忱，世间便无进步。27、失败并不意味你浪费了时间和生命，失败表明你有理由重新开始。28、青春如此华美，却在烟火在散场。29、生命的道路上永远没有捷径可言，只有脚踏实地走下去。30、只要还有明天，今天就永远是起跑线。31、认真可以把事情做对，而用心却可以做到完美。32、如果上帝没有帮助你那他一定

28、相信你可以。33、只要有信心，人永远不会挫败。34、珍惜今天的美好就是为了让明天的回忆更美好。35、只要你在路上，就不要放弃前进的勇气，走走停停的生活会一直继续。36、大起大落谁都有拍拍灰尘继续走。37、孤独并不可怕，每个人都是孤独的，可怕的是害怕孤独。38、宁可失败在你喜欢的事情上，也不要成功在你所憎恶的事情上。39、我很平凡，但骨子里的我却很勇敢。40、眼中闪烁的泪光，也将化作永不妥协的坚强。41、我不去想是否能够成功，既然选了远方，便只顾风雨兼程。42、宁可自己去原谅别人，莫等别人来原谅自己。43、踩着垃圾到达的高度和踩着金子到达的高度是一样的。44、每天告诉自己一次：我真的很不错。45

29、、人生最大的挑战没过于战胜自己！46、愚痴的人，一直想要别人了解他。有智慧的人，却努力的了解自己。47、现实的压力压的我们喘不过气也压的我们走向成功。48、心若有阳光，你便会看见这个世界有那么多美好值得期待和向往。49、相信自己，你能作茧自缚，就能破茧成蝶。50、不能强迫别人来爱自己，只能努力让自己成为值得爱的人。51、不要拿过去的记忆，来折磨现在的自己。52、汗水是成功的润滑剂。53、人必须有自信，这是成功的秘密。54、成功的秘密在于始终如一地忠于目标。55、只有一条路不能选择那就是放弃。56、最后的措手不及是因为当初游刃有余的自己57、现实很近又很冷，梦想很远却很温暖。58、没有人能替你承

30、受痛苦，也没有人能抢走你的坚强。59、不要拿我跟任何人比，我不是谁的影子，更不是谁的替代品，我不知道年少轻狂，我只懂得胜者为。60、如果你看到面前的阴影，别怕，那是因为你的背后有阳光。61、宁可笑着流泪，绝不哭着后悔。62、觉得自己做得到和做不到，只在一念之间。63、跌倒，撞墙，一败涂地，都不用害怕，年轻叫你勇敢。64、做最好的今天，回顾最好的昨天，迎接最美好的明天。65、每件事情都必须有一个期限，否则，大多数人都会有多少时间就花掉多少时间。66、当你被压力压得透不过气来的时候，记住，碳正是因为压力而变成闪耀的钻石。67、现实会告诉你，不努力就会被生活给踩死。无需找什么借口，一无所有，就是拼的

31、理由。68、人生道路，绝大多数人，绝大多数时候，人都只能靠自己。69、不是某人使你烦恼，而是你拿某人的言行来烦恼自己。70、当一个人真正觉悟的一刻，他放弃追寻外在世界的财富，而开始追寻他內心世界的真正财富。71、失败并不意味你浪费了时间和生命，失败表明你有理由重新开始。72、人生应该树立目标，否则你的精力会白白浪费。73、山涧的泉水经过一路曲折，才唱出一支美妙的歌。74、时间告诉我，无理取闹的年龄过了，该懂事了。75、命运是不存在的，它不过是失败者拿来逃避现实的借口。76、人总是在失去了才知道珍惜！77、要铭记在心：每天都是一年中最美好的日子。78、生活远没有咖啡那么苦涩，关键是喝它的人怎么品

32、味！每个人都喜欢和向往随心所欲的生活，殊不知随心所欲根本不是生活。79、别拿自己的无知说成是别人的愚昧！80、天空的高度是鸟儿飞出来的，水无论有多深是鱼儿游出来的。81、思想如钻子，必须集中在一点钻下去才有力量。82、如果我坚持什么，就是用大炮也不能打倒我。83、我们要以今天为坐标，畅想未来几年后的自己。84、日出时，努力使每一天都开心而有意义，不为别人，为自己。85、有梦就去追，没死就别停。86、今天不为学习买单，未来就为贫穷买单。87、因为一无所有这才是拼下去的理由。88、只要我还有梦，就会看到彩虹!89、你既认准这条路，又何必在意要走多久。90、尽管社会是这样的现实和残酷，但我们还是必须

33、往下走。91、能把在面前行走的机会抓住的人，十有八九都会成功。92、你能够先知先觉地领导产业，后知后觉地苦苦追赶，或不知不觉地被淘汰。93、强烈的信仰会赢取坚强的人，然后又使他们更坚强。94、人生，不可能一帆风顺，有得就有失，有爱就有恨，有快乐就会有苦恼，有生就有死，生活就是这样。95、好习惯的养成，在于不受坏习惯的诱惑。96、凡过于把幸运之事归功于自我的聪明和智谋的人多半是结局很不幸的。97、如果我们一直告诫自己要开心过每一天，就是说我们并不开心。98、天气影响身体，身体决定思想，思想左右心情。99、不论你在什么时候结束，重要的是结束之后就不要悔恨。100、只要还有明天，今天就永远是起跑线。