集成电路中的无源元件课件.ppt
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1、2022-4-131第第3章章 集成电路中的无源元件集成电路中的无源元件元器件可以分为两大类:元器件可以分为两大类: 电容电容电感电感互连线互连线传输线传输线电阻电阻有源器件有源器件: 各类晶体管各类晶体管 无源器件无源器件: n 3.1 集成电阻器集成电阻器n 3.2 集成电容器集成电容器n 3.3 电感电感2022-4-132 3.1 集成电阻器集成电阻器n基区扩散电阻n低阻类电阻 发射区扩散电阻n高阻类电阻 基区沟道电阻n高精度电阻 离子注入电阻2022-4-1333.1.1基区扩散电阻基区扩散电阻R+R-VccWLRRSLW2022-4-134薄层电阻图形尺寸的计算方块电阻的几何图形
2、hWLRRWL 2022-4-135薄层电阻的几何图形设计常用的薄层电阻图形 2022-4-136薄层电阻端头和拐角修正不同电阻条宽和端头形状的端头修正因子 2022-4-137WsWeffW图3.4基区扩散电阻的横截面基区扩散的横截面基区扩散的横截面2022-4-1383.1.2发射区扩散电阻发射区扩散电阻WLRRXjE2022-4-139发射区扩散电阻作磷桥发射区扩散电阻作磷桥BACDADB2022-4-1310基区沟道电阻结构示意图基区沟道电阻结构示意图R-VccWLRRSLWR+2022-4-1311硼离子注入电阻结构示意图R+R-VccP型扩散区LW2022-4-1312多晶硅电阻W
3、LeffLLd2022-4-1313材料最小值典型值最大值互连金属0.050.070.1顶层金属0.030.040.05多晶硅152030硅-金属氧化物236扩散层1025100硅氧化物扩散2410N阱(或P阱)1k2k5k 0.5-1.0m MOS工艺中作为导电层的典型的薄层电阻阻值单位:/口2022-4-1314 3.2集成电容器n 在集成电路中,有多种电容结构:l 金属-绝缘体-金属(MIM)结构l 多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构l 金属叉指结构l PN结电容l MOS电容 2022-4-1315平板电容 制作在砷化镓半绝缘衬底上的MIM电容结构: dlwCor 考虑温度系数时,电容的
4、计算式为:2nomempnomemp211ttTCttTCACCox2022-4-1316平板电容电容模型等效电路: 固有的自频率: LCf2102022-4-1317金属叉指结构电容2022-4-1318PN结电容结电容 突变PN结电容计算公式: 001DjjVCCl 任何pn结都有漏电流和从结面到金属连线的体电阻,结电容的品质因数通常比较低。l 结电容的参数可采用 二极管和晶体管结电容同样的方法进行计算。2022-4-1319PN结电容结电容n电容值依赖于结面积,例如二极管和晶体管的尺寸。nPN结电容的SPICE模型就直接运用相关二极管或三极管器件的模型。2022-4-1320MOS结构电
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