磁性物理学(第三章讲稿)课件.ppt
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1、第三章第三章 自发磁化理论自发磁化理论第一节第一节 铁磁性物质的基本特征铁磁性物质的基本特征第二节第二节 朗之万顺磁性理论朗之万顺磁性理论第三节第三节 Weiss分子场理论分子场理论第五节第五节 亚铁磁性基本理论亚铁磁性基本理论第六节第六节 直接交换作用直接交换作用返回返回习题三习题三第十节第十节 RKKY理论理论第九节第九节 铁磁性的能带理论模型铁磁性的能带理论模型第八节第八节 低温自旋波理论低温自旋波理论第七节第七节 超交换作用超交换作用第四节第四节 反铁磁性定域分子场理论反铁磁性定域分子场理论结束放映结束放映第一节第一节 铁磁性物质的基本特征铁磁性物质的基本特征1、铁磁体内存在按磁畴分布
2、的自发磁化、铁磁体内存在按磁畴分布的自发磁化 自发磁化:通过物质内自身某种作用将自发磁化:通过物质内自身某种作用将磁矩排列为有序取向。磁矩排列为有序取向。 磁畴:自发磁化的小区域。磁畴内各原磁畴:自发磁化的小区域。磁畴内各原子磁矩取向一致。子磁矩取向一致。1f2、 ,可达,可达10106数量级,加数量级,加很小的外场即可磁化至饱和(原因即是很小的外场即可磁化至饱和(原因即是存在自发磁化)。存在自发磁化)。4、存在磁性转变温度、存在磁性转变温度Tc居里温度居里温度vTTc,铁磁性,铁磁性顺磁性顺磁性居里外斯定律居里外斯定律vTTc,呈铁磁性,呈铁磁性,T升高,升高,Ms降低降低vTTc时,铁磁性
3、转变为顺磁性,热骚动能破坏了分时,铁磁性转变为顺磁性,热骚动能破坏了分子场对原子磁矩有序取向的作用。子场对原子磁矩有序取向的作用。的作用而自发磁化。的作用而自发磁化。原子磁矩受分子场原子磁矩受分子场mfBBJBmfmfJBHmATkTkHHTk /1010101038. 1929323 二、自发磁化强度二、自发磁化强度Ms及其与温度的关系及其与温度的关系 Weiss假设,分子场假设,分子场Hmf与自发磁化强度与自发磁化强度Ms成正比。成正比。smfMH式中,式中, 为为Weiss分子场系数,与铁磁性物质分子场系数,与铁磁性物质的原子本性有关。的原子本性有关。在外场作用下,由在外场作用下,由La
4、ngevine顺磁修正理论顺磁修正理论布里渊函数可得:布里渊函数可得: 3M22212122121MM00.JNg.TkMHJgJcthJJJcthJJB.BBJBBJJJ 联立求解方程联立求解方程1、2可得到一定可得到一定H与与T下的下的M,若令,若令H=0,即可得到即可得到Ms,也可计算,也可计算Tc。1、图解法求解、图解法求解 )(435.M4.MMM3.MM, 0,2.MHMMM1.MM200002000某温度下某温度下式的曲线的交点即为式的曲线的交点即为、则则如右图。若如右图。若为为作曲线,交点即作曲线,交点即分别对分别对ssBBJBsJssBJMTkJgTNkBMMHMTNkB 讨
5、论:讨论: 。而而,随,随而而随随、(稳定解)。(稳定解)。点点)另一解为)另一解为时时(不稳定解,因为(不稳定解,因为点点有两个交点,一个为原有两个交点,一个为原、直线与曲线、直线与曲线求出各种温度下的求出各种温度下的上式的一族直线,从而上式的一族直线,从而温度下满足温度下满足,变化温度可得到不同,变化温度可得到不同一定温度下的一定温度下的即为即为交点交点曲线与直线曲线与直线中中、图、图 TTMTTBMMTNkBsscJssBsJ0200M/M)3P0)2.PMMM2)1 200 MTNkMMBs 当当T=Tc时,时, 直线与直线与 曲线曲线相切于原点,即相切于原点,即Ms=0 。 JB当当
6、 TTc时,无交点,即无自发磁化,说明铁磁时,无交点,即无自发磁化,说明铁磁性转变为顺磁性,性转变为顺磁性,Tc称为居里温度(铁磁性居里称为居里温度(铁磁性居里温度)温度)2、Tc的微观本质(物理意义)的微观本质(物理意义)此时二直线相切,斜率相同,即:此时二直线相切,斜率相同,即: MMM31MM, 1,2000 cBsJscTNkJJBTT 、JNJkJNgTTNkJJBBJccB 13M312220 Tc是铁磁性物质的原子本性的参数,是铁磁性物质的原子本性的参数,表明热骚动能量完全破坏了自发磁化,表明热骚动能量完全破坏了自发磁化,原子磁矩由有序向混乱转变。原子磁矩由有序向混乱转变。三、居
7、里外斯定律的推导三、居里外斯定律的推导 TkHJgJJNJgJJJJTTHHTTTNkBBBJBJccBJ)M(3131MM31MM0H, 10MHMMMMM0002000 又又此时,此时,又又时,时,。而。而则需加则需加非零解,非零解,则无非零解,若要有,则无非零解,若要有时,若时,若当当居里外斯定律)居里外斯定律)称为顺磁性居里温度称为顺磁性居里温度称为居里常数称为居里常数其中其中(HM3)1(HM22pfPBBJpTTCCTkJJNgCTTC 说明:说明:Weiss分子场理论的结论是:分子场理论的结论是:Tp=Tc实际情况是:实际情况是: TpTc,原因是铁磁性物质在,原因是铁磁性物质在
8、TTc后仍后仍短程有序。短程有序。Tc铁磁居里温度铁磁居里温度1/ af0T(K)TcTp四、四、M0与与Ms的区别:的区别: a、饱和磁化强度、饱和磁化强度M0:原子磁矩在:原子磁矩在H作用作用下趋于下趋于H方向,即使再增加方向,即使再增加H,磁化强度不,磁化强度不再增加,此时再增加,此时M趋近于趋近于M0。 b、自发磁化强度、自发磁化强度Ms:把饱和磁化强度外:把饱和磁化强度外推到推到H=0时的磁化强度的值。时的磁化强度的值。第四节第四节 反铁磁性的定域分子场理论反铁磁性的定域分子场理论一、反铁磁性主要特征:一、反铁磁性主要特征: 1、有一相变温度、有一相变温度TN(Neel温度)温度)
9、TTN时,类似于顺磁性,(居里外斯定律)时,类似于顺磁性,(居里外斯定律),TTTN:2、原子磁矩有序排列、原子磁矩有序排列 但每一次晶格的磁矩但每一次晶格的磁矩大小相等,方向相反,大小相等,方向相反,宏观磁性为零。宏观磁性为零。 反铁磁性是弱磁性。此类物质多为离子化合物。反铁磁性是弱磁性。此类物质多为离子化合物。 典型金属:典型金属:Cr、Mn 典型离子化合物:典型离子化合物:MnO、FeO、CoO、NiOMnO的中子衍射图MnO晶胞内晶胞内Mn2+的磁矩分布的磁矩分布次晶格的示意图次晶格的示意图二、二、“次晶格次晶格”与定域分子场与定域分子场 Neel 假设:反铁磁体中磁性离子构成晶假设:
10、反铁磁体中磁性离子构成晶格,可分为两个相等而又相互贯穿的次晶格格,可分为两个相等而又相互贯穿的次晶格A与与B(A位、位、B位)。位)。A位离子的只有位离子的只有B位离位离子作近邻,次近邻才是子作近邻,次近邻才是A(对(对B位亦然)。位亦然)。 仿照仿照 Weiss分子场理论,同时考虑到最近分子场理论,同时考虑到最近邻间的反平行耦合,则作用在邻间的反平行耦合,则作用在A、B位的分位的分子场分别为:子场分别为:(即定域分子场)(即定域分子场)次晶格的分子场次晶格的分子场、):作用在):作用在(次晶格的磁化强度次晶格的磁化强度、:、场系数场系数:次近邻互作用的分子:次近邻互作用的分子场系数场系数:最
11、近邻互作用的分子:最近邻互作用的分子BABABmfAmfBABBAABAABBBBABABmfAAABABAmfHHMM)()(MMHMMH 若若A、B位离子同类且等量,则:位离子同类且等量,则:BAABiiBBAA ,所以,在所以,在H作用下,作用于作用下,作用于A、B位的有效场分别为:位的有效场分别为:BiiAABBmfBAiiBABAmfAMMHHHHMMHHHH 利用利用Langevine顺磁理论,可求出热平衡时顺磁理论,可求出热平衡时A、B位中的位中的M: JJJJJJBTkHJgBJNgAAAAJBABJAAJBJA2cth21212cth212/21M 位位 JcthJJJcth
12、JJBTk/HJgBJNgBBBBJBBBJBBJBJB22121221221M 位位由此可求反铁磁性的特性。由此可求反铁磁性的特性。1、Neel温度(温度(Tc) 在高温且在高温且H0时,时,MA、MB可用布里渊函数的高温可用布里渊函数的高温近似描写:近似描写: BBJJBBJBABJJABJATkJJNgJJJgNTkJJNgJJJgNH61312MH61312M2222 0M21M20M2M21MM2H2MMM2H2M3122BiiAABBABAiiBiiAABBBAiiBABAABBJTCTCTCTCTCTCTCTCkJJNgC 令:令: 在在TTN时,各次点阵开始出现自发磁时,各次点
13、阵开始出现自发磁化,说明化,说明H0时,上式有非零解。时,上式有非零解。 iiABNiiNABNABNiiNCTTCTCTCTC 202122212、TTN时,反铁磁性物质的特性时,反铁磁性物质的特性 TTN时,反铁磁性自发磁化消失,转变为顺磁时,反铁磁性自发磁化消失,转变为顺磁性,在性,在H作用下沿作用下沿H方向感生出一定方向感生出一定M,只要出现,只要出现磁矩,由于磁矩之间相互作用,便存在定域分子场。磁矩,由于磁矩之间相互作用,便存在定域分子场。 渐进居里点。渐进居里点。,其中其中同向同向。由于二者与。由于二者与与与由此可解出由此可解出: )(2,31:HMHMMH61MMMH61M222
14、222PPiiABPBBJPBABiiAABBBJBAiiBABBBJATTTCCTkJJNgCTTCMMTkJJNgTkJJNg T(K)1/ af 0TNTP反铁磁性物质的反铁磁性物质的1/ af与温度的关系与温度的关系3、TTN时,反铁磁性物质的特性时,反铁磁性物质的特性 TTN时,定域分子场作用占主导地位,次时,定域分子场作用占主导地位,次晶格的磁矩规则排列,在晶格的磁矩规则排列,在H0时有自发磁化,时有自发磁化,但宏观磁性为零,只有在但宏观磁性为零,只有在H不为零时,才表现不为零时,才表现出总的磁化强度;并且随外场方向而异。出总的磁化强度;并且随外场方向而异。(以以下内容不作要求,供
15、有兴趣同学参考下内容不作要求,供有兴趣同学参考)1) H0时,由于定域分子场作用,次晶格内存时,由于定域分子场作用,次晶格内存在自发磁化。在自发磁化。00000000HMMMM”表示右上角“BiiAABBBJBAiiBABBBJATkJgTkJg 根据反铁磁性定义,两次晶格的自发磁化强根据反铁磁性定义,两次晶格的自发磁化强度相等且反向,故:度相等且反向,故:0000,BABAMMMM 对于每个次晶格,就像处理铁磁性那样,对于每个次晶格,就像处理铁磁性那样,能够分别求出能够分别求出MA0T与与MB0T关系。关系。 对整个反铁磁性而言,在对整个反铁磁性而言,在TTN范围范围内任何温度下总自发磁化强
16、度为零。内任何温度下总自发磁化强度为零。)0()(00BBMTM2) H不为零时不为零时 此时,反铁磁性将随此时,反铁磁性将随H方向而异。方向而异。 a、H平行于次晶格自旋轴平行于次晶格自旋轴 ,H/HAmf BmfBiiAABBiiAABBmfAmfAiiBABAiiBABAmfBABABBmfBmfBAAmfAmfAHMHMMMHHHHHHHH 数量不等。数量不等。,二者方向相反,二者方向相反,、的磁化强度为的磁化强度为、对于对于|M|H|M|H|HHHHHH/H BM AMMBMA /2121BiiAABBBJBJBJAiiBABBBJAJBJABiiAABAiiBABAMMHTkJgB
17、JNgMMMHTkJgBJNgMMMHHMMHHBBAB 处作泰勒展开。处作泰勒展开。或或均可在均可在或或二者差别很小。二者差别很小。附近的近似值,附近的近似值,是是附近的值,附近的值,是是说明说明,则则令令则则若若00/0/00000000000000MMMMMM, 0BABJAJBBAABAiiABBBJiiABBBJBiiABBBJABABBTkJgTkJgTkJgH 22222222002220222/0/00/000/00/00001111112122222 bbaaJJBJABiiBJBJiiABBBJJBJBAJBJBJJAJJBJBJAJBJBAeebeeaBBJNgTkBJN
18、gHMMMHTkJgBJgNBJgNBBBBJgNBBJgNMMM讨论:0, 0, 10,T I./00JB当 这与这与0K下,自发磁化要么平行要么反平行于磁场,下,自发磁化要么平行要么反平行于磁场,的概念一致,即的概念一致,即0K时,磁场平行于次晶格自旋轴时,磁场平行于次晶格自旋轴作用,总磁化强度仍为零。作用,总磁化强度仍为零。II.当当T由低到高增加时,由低到高增加时, 的增加速度快,当的增加速度快,当T=TN时,时, 有极大值出现,此后变为顺磁性。有极大值出现,此后变为顺磁性。III. 如如T再升高,再升高, 反而随温度升高而下降,服从居反而随温度升高而下降,服从居 里外斯定律。里外斯定
19、律。0JB/JbJJa21,212b、H垂直于次晶格自旋轴垂直于次晶格自旋轴 H必对必对MA与与MB均产生一转矩,均产生一转矩, MA、MB将朝外磁场取将朝外磁场取向,但定域分子场向,但定域分子场HAmf 与与 HBmf 对此取向起阻碍作用,故对此取向起阻碍作用,故MA与与MB只能处于某一平衡位置。只能处于某一平衡位置。平衡时:平衡时: 0sin20cos0cossin2cos0HHM0HHM BAABABAABABmfAmfBmfBAmfAMMHMMMHMHH带入其中第一式,有:带入其中第一式,有:与与将将MmfHHMBMABmfHAmfH 变化。变化。也不随也不随变化,则变化,则不随不随是
20、常数,若是常数,若,(此解有实际意义),(此解有实际意义)才能实现。)才能实现。)方向。(需很高的外场方向。(需很高的外场阻碍转向阻碍转向克服克服,表明,表明平行于平行于即即TT,122sin2sinsinsinMMMM2HsinHHMHM,2 ABABBABBBBABABABABAmfAAMHMMMMMMc 、外场、外场H与自旋轴成一角度与自旋轴成一角度 22/sincos 以上结果均对单晶反铁磁体而言。以上结果均对单晶反铁磁体而言。d、多晶情况、多晶情况 考虑各次晶格自发磁化与考虑各次晶格自发磁化与H夹角夹角 有一空间分布,则:有一空间分布,则: ABNPiiABPiiABNTTTCCTC
21、T1223231sincos/_2_2/利用:利用:多多 32K01323132K032K031K0/ NABNNNABTTTT多多多多多多多多而:而: 第五节第五节 亚铁磁性基本理论亚铁磁性基本理论一、特性一、特性 1、TTc时时,呈顺磁性,但呈顺磁性,但 不服从居里外不服从居里外斯定律。斯定律。 3、铁氧体的电阻率、铁氧体的电阻率 /用于用于高频电讯工程技术中高频电讯工程技术中/T。很高,可达很高,可达m1010 亚铁磁性:指由次晶格之间反铁磁性耦合,宏观呈现亚铁磁性:指由次晶格之间反铁磁性耦合,宏观呈现 强磁性有序物质的磁性。强磁性有序物质的磁性。亚铁磁性条件:每一次晶格中必须有足够浓度
22、的磁性亚铁磁性条件:每一次晶格中必须有足够浓度的磁性 离子,以使另一次晶格的自旋保持反离子,以使另一次晶格的自旋保持反 平行排列。平行排列。二、铁氧体二、铁氧体 分类:尖晶石铁氧体、石榴石铁氧体、磁铅石分类:尖晶石铁氧体、石榴石铁氧体、磁铅石铁氧体。铁氧体。(一一)、尖晶石铁氧体、尖晶石铁氧体 1、通式:、通式:M2Fe23O4 M2+=(Co2+、 Ni2+、 Fe2+、 Mn2+、 Zn2+等过渡元素。等过渡元素。 2、结构:立方对称,空间群、结构:立方对称,空间群Oh7 一个单胞内有一个单胞内有8个分子,即单胞分子式为:个分子,即单胞分子式为: M82Fe163O32(56个离子),个离
23、子),O2-半径大,晶半径大,晶格结构就以格结构就以O2-作为密堆积,金属离子半径小,填作为密堆积,金属离子半径小,填充于密堆积的间隙中,但尖晶石晶格结构的单胞中充于密堆积的间隙中,但尖晶石晶格结构的单胞中有两种间隙:有两种间隙:尖晶石的晶格结构尖晶石的晶格结构四面体和八面体结构示意图四面体和八面体结构示意图 尖晶石单胞中只有尖晶石单胞中只有8个个A位,位,16个个B位被金属离子位被金属离子填充,分别称为填充,分别称为A、B次晶格。次晶格。 四面体间隙(四面体间隙(A位):位):间隙小,填充较小尺寸的金属离子间隙小,填充较小尺寸的金属离子(64个)个) 八面体间隙(八面体间隙(B位):位):间
24、隙大可填充较大尺寸的金属离子间隙大可填充较大尺寸的金属离子(32个)。个)。q 混合尖晶石铁氧体:混合尖晶石铁氧体: 1)(0,OFeMFeM43121312 3、离子分布式:、离子分布式: 分子结构式分子结构式 (A)B2O4 )OCdFeOZnFe( ,OFeM42424322、只有只有 n 正尖晶石铁氧体:正尖晶石铁氧体: 大多数)大多数)( ,OFeMFe4323 q 反尖晶石铁氧体:反尖晶石铁氧体:金属离子分布一般倾向:金属离子分布一般倾向:易占易占A位:位:Zn2+, Cd2+, Ga3+, In3+, Ge4+, Mn2+, Fe3+, V3+, Cu+, Fe2+, Mg2+,
25、 Li+, Al3+, Cu2+, Co2+, Mn3+, Ti4+, Sn4+, Ni2+, Cr3+ : 易占易占B位位ABBAMMMMM 净净磁磁矩矩4、分子磁矩、分子磁矩M计算计算 尖晶石铁氧体的分子磁矩为尖晶石铁氧体的分子磁矩为A、B两次晶格两次晶格中磁性离子的自旋反平行耦合的磁矩。中磁性离子的自旋反平行耦合的磁矩。 又由又由B次晶格的离子数目为次晶格的离子数目为A次晶格的两倍;次晶格的两倍;a. 正型:如:正型:如:ZnFe2O4(Zn:1s22s22p63s23p63d10)02 ZnM不满足亚铁磁性条件,不满足亚铁磁性条件, 则在则在B次晶格内,两个次晶格内,两个Fe3+的自旋
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- 磁性 物理学 第三 讲稿 课件
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