华为LTE设备介绍课件.pptx
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1、HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Security Level: 20142014年中移动年中移动TD-LTETD-LTE三期集采投标产品交流三期集采投标产品交流HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 2华为三期华为三期BBUBBU及基带板全景图及基带板全景图继续投标新硬件继续投标BBU3900LBBPd43*20M 8T8R6*20M 2T2RUBBPd9 6*20M 8T8R12*20M 2T2RLBBPd4UBBPd9BBU3910室外Blade BBU 6*20M 8T8R12*20M 2
2、T2RBBU3910A背板交换能力散热能力供电能力HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 3Blade SiteBlade Site解决传统站点挑战解决传统站点挑战Page 3RRU 小型态BBU机房/机柜+盒子 占地 站点资源最大化“0” 小时安装 模块化运维最简单2FiberRRU/AAUBlade BBUBlade 备电Blade 电源1个盒子,1根线缆“MIN” 站点故障率HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 4Blade SiteBBU
3、3910ABlade SiteBBU3910A主要规格主要规格单基带板规格(合一板卡)UMDU=UMPT+UBBPd96*20M 8T8R/12*20M 2T2R(仅TDL)Ir接口速率6*9.8G传输接口FE/GE一光一电对外供电1POE(60W)回传时钟GPS、北斗和1588v2尺寸12L(400 x100 x300mm)、24L(备电)重量12kg,33kg(备电)供电DC -48V功耗150W电源功率容量3000W(满足1BBU+3RRU),备电20AH防护自然散热,IP65BBU电源(选配)备电(选配)应用场景:公路、郊区、农村特点:“0”站址,2小时安装,MIN故障率HISILIC
4、ON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 5华为三期室内外华为三期室内外RRURRU模块全景图模块全景图继续投标新8通道模块DRRU3168e-faFA频段 8*22W(F改频)RRU3273D频段 8*25WRRU3277D频段 8*30WAAU3215AAU3213D频段 8*25WRRU3182-FADRRU3182-eDRRU3152-e E频段 2*50WDRRU3172-FADFA: 2*30W(F改频)D:2*40WDRRU3161-faeFA: 30W(F改频)E:50WRRU3275E频段 2*60WFA频段 2*35
5、WD频段 2*60W D频段 2*60W继续投标新2通道模块D频段 8*30WHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 68T8R RRU( RRU3273/RRU3277)RRU 小型态BBU性能优部署快 全新一代ASIC芯片,内置serdes接口,集成度更高,功耗小 首次采用氮化镓功放技术,功放效率显著提升,支持更大输出功率 优化电源等电路,提升效率型号RRU3273RRU3277(三期新产品)配置2.6G 8T8R2.6G 8T8R功率8*25W8*30W载波/带宽3*20M/60M3*20M/60M重量17Kg17
6、Kg尺寸17L17L工作温度-40C55C-40C55C安装方式 抱杆抱杆功耗460W560W型号RRU3273RRU3277(三期新产品)HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 7性能优 新增D频段不需要新增天线和RRU部署快 零馈损,相比FA&D独立电条合入方式,性能提升将近3dB FA&D独立电调FAD天线& D频段RF原FA RRU天线天线RRU一体化设备(一体化设备( AAU3213/AAU3215)RRU 小型态BBU型号AAU3215(三期新产品)AAU3213配置2.6G 8T8R(有源)+FA 8T8R
7、(无源) 2.6G 8T8R(有源)+FA 8T8R(无源) 功率8*30W8*25W载波/带宽3*20M/60M3*20M/60M天线增益16dBi16dBi电调双频独立电调双频独立电调重量/尺寸35Kg,1400*320*23035Kg,1400*320*230工作温度-40C55C-40C55C安装方式 抱杆抱杆功耗560W460WHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 8射频功放管新材料射频功放管新材料氮化镓氮化镓( (NGaNGa) ) 技术趋势演进 LDMOS氮化镓 发展诉求:更高的功率,更高的效率(绿色节能
8、) LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)GaN 氮化镓的好处 更高的漏极效率: 相比LDMOS效率提升5%以上 更大的带宽:支持高频、大带宽 更高的击穿电压:输出更高的功率 更高的结温:功放体积更小,结构支持更大功率 我司在氮化镓行业领导地位 多年的预研工作,推动产业的发展,解决关键技术Page 8晶片ICRRURRU 小型态BBUHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 9双通道双通道FAD RRU 效率更高的新功放管 提升电源的输出功率,并提升效率 优化硬件电路,使用性能更好的器件RRU 小型态BBU设备型号DRR
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