信阳碳化硅衬底项目招商引资方案_模板参考.docx

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1、泓域咨询/信阳碳化硅衬底项目招商引资方案目录第一章 绪论7一、 项目名称及建设性质7二、 项目承办单位7三、 项目定位及建设理由8四、 报告编制说明9五、 项目建设选址11六、 项目生产规模11七、 建筑物建设规模11八、 环境影响11九、 项目总投资及资金构成12十、 资金筹措方案12十一、 项目预期经济效益规划目标12十二、 项目建设进度规划13主要经济指标一览表13第二章 市场预测16一、 碳化硅材料产业链16二、 面临的挑战21三、 行业发展态势及面临的机遇23第三章 项目背景及必要性26一、 碳化硅半导体行业的战略意义26二、 宽禁带半导体材料简介27三、 碳化硅衬底类型29四、 坚

2、持创新驱动发展，激发“两个更好”的强劲动能29五、 加快构建现代产业体系，强化“两个更好”的坚实支撑32六、 项目实施的必要性34第四章 选址分析35一、 项目选址原则35二、 建设区基本情况35三、 加快融入新发展格局，拓宽“两个更好”的发展空间39四、 项目选址综合评价42第五章 建设规模与产品方案44一、 建设规模及主要建设内容44二、 产品规划方案及生产纲领44产品规划方案一览表44第六章 法人治理46一、 股东权利及义务46二、 董事48三、 高级管理人员54四、 监事56第七章 运营管理模式58一、 公司经营宗旨58二、 公司的目标、主要职责58三、 各部门职责及权限59四、 财务

3、会计制度62第八章 技术方案分析70一、 企业技术研发分析70二、 项目技术工艺分析73三、 质量管理74四、 设备选型方案75主要设备购置一览表76第九章 环境保护分析77一、 编制依据77二、 环境影响合理性分析77三、 建设期大气环境影响分析79四、 建设期水环境影响分析80五、 建设期固体废弃物环境影响分析81六、 建设期声环境影响分析81七、 环境管理分析82八、 结论及建议83第十章 项目节能说明85一、 项目节能概述85二、 能源消费种类和数量分析86能耗分析一览表86三、 项目节能措施87四、 节能综合评价88第十一章 进度计划90一、 项目进度安排90项目实施进度计划一览表9

4、0二、 项目实施保障措施91第十二章 投资计划方案92一、 投资估算的依据和说明92二、 建设投资估算93建设投资估算表95三、 建设期利息95建设期利息估算表95四、 流动资金97流动资金估算表97五、 总投资98总投资及构成一览表98六、 资金筹措与投资计划99项目投资计划与资金筹措一览表100第十三章 经济效益及财务分析101一、 基本假设及基础参数选取101二、 经济评价财务测算101营业收入、税金及附加和增值税估算表101综合总成本费用估算表103利润及利润分配表105三、 项目盈利能力分析106项目投资现金流量表107四、 财务生存能力分析109五、 偿债能力分析109借款还本付息

5、计划表110六、 经济评价结论111第十四章 项目招标及投标分析112一、 项目招标依据112二、 项目招标范围112三、 招标要求113四、 招标组织方式115五、 招标信息发布117第十五章 项目综合评价说明118第十六章 附表附件120主要经济指标一览表120建设投资估算表121建设期利息估算表122固定资产投资估算表123流动资金估算表124总投资及构成一览表125项目投资计划与资金筹措一览表126营业收入、税金及附加和增值税估算表127综合总成本费用估算表127利润及利润分配表128项目投资现金流量表129借款还本付息计划表131本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息

6、，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 绪论一、 项目名称及建设性质（一）项目名称信阳碳化硅衬底项目（二）项目建设性质本项目属于技术改造项目二、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xx投资管理公司（二）项目联系人莫xx（三）项目建设单位概况公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题

7、导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司在“政府引

8、导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化供给结构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心，以提升创新能力为主线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。三、 项目定位及建设理由碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器

9、件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、国民经济和社会发展第十三个五年计划纲要；2、投资项目可行性研究指南；3、相关财务制度、会计制度；4、投资项目可行性研究指南；5、可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件；6、根据项目需要进行调查和收

10、集的设计基础资料；7、可行性研究与项目评价；8、建设项目经济评价方法与参数；9、项目建设单位提供的有关本项目的各种技术资料、项目方案及基础材料。（二）报告编制原则1、坚持科学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则，产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则，对项目可能产生的污染

11、源进行综合治理，使其达到国家规定的排放标准。（二） 报告主要内容1、确定生产规模、产品方案；2、调研产品市场；3、确定工程技术方案；4、估算项目总投资，提出资金筹措方式及来源；5、测算项目投资效益，分析项目的抗风险能力。五、 项目建设选址本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准），占地面积约64.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后，形成年产xx吨碳化硅衬底的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积81697.03，其中：生产工程54024.87，仓储工程16637.31，行政办公及

12、生活服务设施8015.73，公共工程3019.12。八、 环境影响本项目生产过程中产生的“三废”和产生的噪声均可得到有效治理和控制，各种污染物排放均满足国家有关环保标准。因此在设计和建设中认真按“三同时”落实、执行，严格遵守国家关于基本建设项目中有关环境保护的法规、法令，投产后，在生产中加强管理，不会给周围生态环境带来显著影响。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资34425.88万元，其中：建设投资26763.01万元，占项目总投资的77.74%；建设期利息718.56万元，占项目总投资的2.09%；流

13、动资金6944.31万元，占项目总投资的20.17%。（二）建设投资构成本期项目建设投资26763.01万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用23029.95万元，工程建设其他费用3130.46万元，预备费602.60万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资34425.88万元，其中申请银行长期贷款14664.39万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：59900.00万元。2、综合总成本费用（TC）：46589.97万元。3、净利润（NP）：9740.28万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回

14、收期（Pt）：5.84年。2、财务内部收益率：22.03%。3、财务净现值：10197.94万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月。十四、项目综合评价该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积42667.00约64.00亩1.1总建筑面积81697.031.2基底面积24746.861.3投资强度万元/亩402.962总

15、投资万元34425.882.1建设投资万元26763.012.1.1工程费用万元23029.952.1.2其他费用万元3130.462.1.3预备费万元602.602.2建设期利息万元718.562.3流动资金万元6944.313资金筹措万元34425.883.1自筹资金万元19761.493.2银行贷款万元14664.394营业收入万元59900.00正常运营年份5总成本费用万元46589.976利润总额万元12987.047净利润万元9740.288所得税万元3246.769增值税万元2691.5810税金及附加万元322.9911纳税总额万元6261.3312工业增加值万元21807.5

16、213盈亏平衡点万元20685.73产值14回收期年5.8415内部收益率22.03%所得税后16财务净现值万元10197.94所得税后第二章 市场预测一、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化

17、硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用

18、；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基

19、LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟，且碳化硅衬底导热性好，适合于大功率应用，同时衬底电阻率高降低了射频损耗，因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告，90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。（2）主要应用领域的发展情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠

20、性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。根据Yole报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期

21、间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。3、导电型碳化硅衬底在功率器件上的应用（1）主要应用情况及其优势功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效

22、能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（2）主要应用领域的发展情况电动汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性，在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分，碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品，由于成本的原因，目前使用比例还相对较低，但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势，通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。目前，碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电

23、动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电动汽车的必然之选。光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住

24、宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率器件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损

25、耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告，2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。二、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大，大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本依旧较高，碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规

26、模应用的主要因素之一，限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟，衬底和器件的价格呈一定下降趋势，但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系，短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求，国内在高端技术和人才方面与国外龙头企业尚存在差距。缩小技术差距，需要靠国内企业和研究机构持续投入研发

27、，完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年，于1993年在美国纳斯达克上市，贰陆公司成立于1971年，于1987年在美国纳斯达克上市，相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经验，中国由于研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件，因而受到国际上瓦森纳协定的出口管制，并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查。国内行业通过外延

28、式收购的方式进行发展的难度较大。三、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛，全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用，碳化硅器件市场需求迅速增长，全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给，满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求，各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展，产业链的景气程

29、度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低，行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比，虽然碳化硅基器件价格仍然较高，但是由于其优越的性能及价格持续走低，其综合成本优势逐渐显现，客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本：在衬底方面，通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等，共同推动碳化硅衬底成本的降低；在制造方面，随着市场的开启，各大器件供应商扩产制造，随着规模扩大和制造技术不断成熟，也带来制造成本的降低；在市场方面，主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定，供需双方共同推

30、进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护，自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁，国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程，为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域，下游应用企业已在调整供应链，支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会，进入了多个关键厂商供应链，逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方

31、相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月，国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策，提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发，在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设；2021年3月，十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要，提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外，上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机，有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。第三章 项目背景及必

32、要性一、 碳化硅半导体行业的战略意义碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前，碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。

33、因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段，相比硅和砷化镓等半导体而言，在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外，由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此，我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。二、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓

34、（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代

35、半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。值得注意的是，前述三代半导体材料各有利弊，并无绝对的替代关系，而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业：新材料（第三代半导体材料），与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性：耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。耐高温：半导体器件在

36、较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高

37、频、大功率等条件下的应用需求，已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。三、 碳化硅衬底类型衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为使材料能满足不同芯片的功能要求，需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：根据工信部发

38、布的重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版），一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率（电阻率区间为1530mcm）的导电型碳化硅衬底。四、 坚持创新驱动发展，激发“两个更好”的强劲动能坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，深入实施科教兴市战略、人才强市战略、创新驱动发展战略，完善创新体系，为构建现代化经济体系、加快振兴发展提供强有力的科技支撑和机制保障。集聚更多创新资源。坚持引、育、扶相结合，引导创新资源优化配置和共享，促进产学研深度融合。依托重点企业、重点工程，积极争取省级以上重大创新平台和重大科技基础设施在我市布局。支持国内知名大学来信合作办学

39、，引进国字头科研院所设立分支机构或独立研究院，积极争取国家郑州技术转移中心信阳分中心建设，构建更加高效的科研体系。支持高校、科研机构、企业布局建设一批贯穿产业链上下游的省级以上工程技术研究中心、重点实验室、技术创新中心、院士工作站、科技企业孵化器、众创空间、农业科技园区等科技创新平台载体和新型研发机构，推动高新技术企业、规模以上科技型中小企业和产业集聚区重点企业逐步实现市级以上创新平台全覆盖。聚焦电子信息、装备制造、生物医药、矿产功能材料、种质资源、油茶高效栽培及精深加工等领域，谋划实施重大科技专项，带动科技成果转化和关联产业发展。推动产业园区提质发展，支持信阳高新区创建国家级高新技术产业开发

40、区，支持潢川经济开发区、信阳经济开发区创建国家级经济技术开发区，支持有条件的产业集聚区创建省级及以上高新技术产业开发区，支持有条件的高新技术企业创建国家级产业基地。提高企业创新能力。强化企业创新主体地位，促进技术、人才、资金等各类创新要素向企业集聚，更加注重高新技术企业和科技型中小企业发展，培育更多“专精特新”企业。发挥企业家在创新中的关键作用，激发企业家创新活力和创造潜能，依法保护企业家拓展创新空间。实施税收优惠财政奖补等政策，引导企业加大研发投入。支持高新技术企业申请发明专利，形成一批拥有自主知识产权，具有核心竞争力的科技创新企业。深入实施创新型企业培育行动，加快形成以创新龙头企业为引领、

41、高新技术企业为支撑、科技型中小企业为基础的创新型企业集群，推动产业链上中下游、大中小企业融通创新。用好人才第一资源。深化人才发展体制机制改革，统筹各类人才队伍发展，全方位培养、引进、用好人才。持续实施“英才计划”，建立健全柔性引才、靶向引才、专家荐才等招才引智机制，引进一批领军型创新创业团队、科技创新创业企业家、高层次创新创业人才（团队）。健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系，构建科研人员职务发明成果权益分享和保障机制，确保人才引得进、留得住、用得好。围绕产业链布局人才链，发挥驻市高校作用，加强创新型、应用型、技能型人才培养，壮大本土青年拔尖人才和“高精尖”人才队伍。构建良

42、好创新生态。深化科技体制改革，完善科技创新治理体系，推动重点领域项目、基地、人才、资金一体化配置，形成充满活力的创新生态。改进科技项目组织管理方式，实行重点项目攻关“揭榜挂帅”等制度。扩大科研自主权，完善科技评价机制。畅通科技成果转化渠道，加速创新成果向现实生产力转化，促进新技术产业化规模化应用。实施质量品牌提质行动，加强知识产权保护，鼓励企业参与、主导国际、国家和行业标准制定。完善金融支持创新体系，对新产业新业态实行包容审慎监管，促进大众创业万众创新蓬勃发展。大力弘扬科学精神、劳模精神、工匠精神，营造崇尚创新的浓厚氛围。加强学风建设，做好科普工作，深入实施全民科学素质行动计划，提升公民科学素

43、养和创新意识。五、 加快构建现代产业体系，强化“两个更好”的坚实支撑坚持把发展经济着力点放在实体经济上，以数字化为牵引，巩固提升传统产业，积极布局战略性新兴产业，大力发展现代服务业，提高经济质量效益和核心竞争力。加快提升制造业发展水平。把制造业高质量发展作为主攻方向，围绕“五抓五提”，持续实施“六大行动”，稳步提升工业占比，巩固壮大实体经济根基。坚持高端化、智能化、绿色化、服务化发展方向，改造提升传统产业，持续壮大主导产业，培育壮大新兴产业。打好产业基础高级化和产业链现代化攻坚战，开展建链引链育链行动，做实做细链长负责制，提升产业链供应链现代化水平，全面提升优势产业、主导产业规模，加快打造绿色

44、食品、纺织服装、建材家居三个千亿级产业集群，建设电子信息、装备制造两个五百亿级产业集群，培育生物医药、矿物功能材料等一批百亿级产业集群。深入开展质量提升行动，打造质量强市。大力发展现代服务业。推动生产性服务业向专业化和价值链高端延伸，着力发展信息服务、商贸服务、商务服务、金融服务、研发设计、现代物流等服务业，促进现代服务业同先进制造业、现代农业深度融合，推进服务业数字化、标准化、品牌化建设。推动生活性服务业向高品质和多样化升级，提升文化旅游、健康养老、住宿餐饮、电商、家政、育幼、体育、物业等服务业质量，加强公益性、基础性服务业供给。大力发展商贸会展业，引入国有投资平台、民营资本，实施市场化社会

45、化运作，多层次创新试点。推动商务中心区、服务业专业园区转型发展。促进产业集聚区高质量发展。实施产业集聚区提升行动，推动产业集聚区体制机制改革，加快推进产业集聚区“二次创业”。实施园区提升工程，坚持集聚发展、转型重构，加快专业园区建设，重点抓好龙头企业，拉长上下游产业链条，推动园区产业化、产业园区化。聚焦产业链、价值链、创新链“三链协同”，组建产业集聚区发展联盟，搭建交流与共享平台，推动要素资源在各产业集聚区间合理流动，形成“一区多园、各具特色、协同联动”的发展格局。做专县域特色产业，推动县域特色产业园区化、集群化、品牌化、差异化发展，打造高能级产业载体和块状经济新增长点。积极发展数字经济。加快

46、数字基础设施建设，超前布局第五代移动通信、工业互联网、大数据中心等基础设施。突出数字化引领、撬动、赋能作用，加快国家对地观测科学数据中心存备中心与应用基地等项目建设，拓展“数字+”“智能+”应用领域，推动数字产业化和产业数字化，建设数字经济新高地。加快数字社会、数字政府以及数字乡村建设，不断提高公共服务、社会治理等数字化智能化水平。加强数据资源统一规范管理，推动各地区各部门间数据资源开放共享交换，加大数据资源开发应用力度，提升数据资源价值。完善数据安全保障体系，加强个人信息保护。提升全民数字技能，实现信息服务全覆盖。加快新型智慧城市建设，提升城市治理精细化、智能化水平。六、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第四章 选址分析一、 项目选址原则1、符合城乡规划和相关标准规范的原则。2、符合产业政策、环境保护、耕地保护和可持续发展的原则。3、有利于产业发展、城乡功