商丘碳化硅衬底项目招商引资方案【参考范文】.docx
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1、泓域咨询/商丘碳化硅衬底项目招商引资方案目录第一章 绪论6一、 项目名称及投资人6二、 编制原则6三、 编制依据7四、 编制范围及内容7五、 项目建设背景8六、 结论分析9主要经济指标一览表11第二章 行业、市场分析13一、 碳化硅衬底类型13二、 面临的挑战13三、 行业发展态势及面临的机遇14第三章 项目投资背景分析18一、 宽禁带半导体材料简介18二、 半导体材料行业概述20三、 着力打造枢纽经济试验区20第四章 选址分析23一、 项目选址原则23二、 建设区基本情况23三、 着力打造产业转移转型示范区26四、 紧扣创新驱动发展,着力打造创新发展推进区29五、 项目选址综合评价31第五章
2、 产品规划方案32一、 建设规模及主要建设内容32二、 产品规划方案及生产纲领32产品规划方案一览表33第六章 法人治理34一、 股东权利及义务34二、 董事41三、 高级管理人员46四、 监事49第七章 发展规划51一、 公司发展规划51二、 保障措施52第八章 工艺技术方案54一、 企业技术研发分析54二、 项目技术工艺分析56三、 质量管理58四、 设备选型方案59主要设备购置一览表60第九章 环境影响分析61一、 编制依据61二、 建设期大气环境影响分析62三、 建设期水环境影响分析63四、 建设期固体废弃物环境影响分析63五、 建设期声环境影响分析64六、 环境管理分析65七、 结论
3、67八、 建议67第十章 劳动安全生产69一、 编制依据69二、 防范措施70三、 预期效果评价76第十一章 组织机构管理77一、 人力资源配置77劳动定员一览表77二、 员工技能培训77第十二章 项目投资分析79一、 投资估算的依据和说明79二、 建设投资估算80建设投资估算表82三、 建设期利息82建设期利息估算表82四、 流动资金84流动资金估算表84五、 总投资85总投资及构成一览表85六、 资金筹措与投资计划86项目投资计划与资金筹措一览表87第十三章 经济效益分析88一、 基本假设及基础参数选取88二、 经济评价财务测算88营业收入、税金及附加和增值税估算表88综合总成本费用估算表
4、90利润及利润分配表92三、 项目盈利能力分析92项目投资现金流量表94四、 财务生存能力分析95五、 偿债能力分析96借款还本付息计划表97六、 经济评价结论97第十四章 项目风险分析99一、 项目风险分析99二、 项目风险对策101第十五章 招标方案104一、 项目招标依据104二、 项目招标范围104三、 招标要求105四、 招标组织方式107五、 招标信息发布111第十六章 项目综合评价说明112第十七章 补充表格114主要经济指标一览表114建设投资估算表115建设期利息估算表116固定资产投资估算表117流动资金估算表118总投资及构成一览表119项目投资计划与资金筹措一览表120
5、营业收入、税金及附加和增值税估算表121综合总成本费用估算表121利润及利润分配表122项目投资现金流量表123借款还本付息计划表125第一章 绪论一、 项目名称及投资人(一)项目名称商丘碳化硅衬底项目(二)项目投资人xxx(集团)有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xxx(待定)。二、 编制原则坚持以经济效益为中心,社会效益和不境效益为重点指导思想,以技术先进、经济可行为原则,立足本地、面向全国、着眼未来,实现企业高质量、可持续发展。1、优化规划方案,尽可能减少工程项目的投资额,以求得最好的经济效益。2、结合厂址和装置特点,总图布置力求做到布置紧凑,流程顺畅,操作方便,尽量减少用地。3、在
6、工艺路线及公用工程的技术方案选择上,既要考虑先进性,又要确保技术成熟可靠,做到先进、可靠、合理、经济。4、结合当地有利条件,因地制宜,充分利用当地资源。5、根据市场预测和当地情况制定产品方向,做到产品方案合理。6、依据环保法规,做到清洁生产,工程建设实现“三同时”,将环境污染降低到最低程度。7、严格执行国家和地方劳动安全、企业卫生、消防抗震等有关法规、标准和规范。做到清洁生产、安全生产、文明生产。三、 编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要;2、中国制造2025;3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册(第三版);4、项目公司提供的发展规划、有关资
7、料及相关数据等。四、 编制范围及内容1、确定生产规模、产品方案;2、调研产品市场;3、确定工程技术方案;4、估算项目总投资,提出资金筹措方式及来源;5、测算项目投资效益,分析项目的抗风险能力。五、 项目建设背景目前,氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的,并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓,碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟,且碳化硅衬底导热性好,适合于大功率应用,同时衬底电阻率高降低了射频损耗,因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告,90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。当今
8、世界正经历百年未有之大变局,新冠肺炎疫情影响广泛深远。我国发展仍然处于重要战略机遇期,继续发展具有多方面优势和条件。从全省来看,河南省在全国发展大局中的地位不断提升,经济长期稳中向好的基本面没有改变,内生动力、市场潜力、要素支撑依然强劲有力,正处在转变发展方式、优化经济结构、转换增长动力、实现由大到强的关键时期。黄河流域生态保护和高质量发展与新时期促进中部地区崛起等一系列国家支持河南发展的重大战略、重大政策相继落地实施,连通境内外、辐射东中西的物流通道枢纽加速形成,战略叠加效应、政策集成效应、发展协同效应将会持续释放,全省发展的战略机会窗口将全面开启。从商丘自身来看,我市即将与全国、全省同步实
9、现全面建成小康社会,全市工业化进入中后期,城镇化进入加速发展期,市场化进入深度改革期。我市具有底蕴深厚的历史文化优势、四通八达的交通枢纽优势、物华天宝的资源优势、强大的人力资源优势、适宜产业布局的区域中心城市优势、链条完整的产业发展优势、重厚多君子的人文优势和“马上办抓落实”的作风优势,进一步推动我市高质量发展更具有强劲韧性。同时,我们也要清醒认识到,我市发展水平与全国、全省的差距比较大,人均水平还不高,科技创新能力还不足,要素瓶颈依然存在,一些地方社会治理工作还有弱项。我市要在2035年与全国、全省同步基本实现社会主义现代化宏伟目标,还需要付出长期艰苦的努力。面向未来,只要我们切实增强机遇意
10、识,坚持发展第一要务不动摇,坚持稳中求进总基调,保持战略定力,在危机中育先机、于变局中开新局,就一定能更加有效地破解发展难题,走出一条高质量发展的新路子,开创现代化商丘建设新局面。六、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xxx(待定),占地面积约41.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xxx吨碳化硅衬底的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资15182.49万元,其中:建设投资11687.82万元,占项目总投资的76.98%;建设期利息254.84万元,占
11、项目总投资的1.68%;流动资金3239.83万元,占项目总投资的21.34%。(五)资金筹措项目总投资15182.49万元,根据资金筹措方案,xxx(集团)有限公司计划自筹资金(资本金)9981.73万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额5200.76万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):27600.00万元。2、年综合总成本费用(TC):21477.38万元。3、项目达产年净利润(NP):4478.75万元。4、财务内部收益率(FIRR):21.84%。5、全部投资回收期(Pt):5.89年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):9998.02
12、万元(产值)。(七)社会效益本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积27333.00约41.00亩1.1总建筑面积45897.901.2基底面积16399.801.3投资强度万元/亩279.662总投资万元15182.49
13、2.1建设投资万元11687.822.1.1工程费用万元10239.462.1.2其他费用万元1192.872.1.3预备费万元255.492.2建设期利息万元254.842.3流动资金万元3239.833资金筹措万元15182.493.1自筹资金万元9981.733.2银行贷款万元5200.764营业收入万元27600.00正常运营年份5总成本费用万元21477.386利润总额万元5971.667净利润万元4478.758所得税万元1492.919增值税万元1258.0010税金及附加万元150.9611纳税总额万元2901.8712工业增加值万元9926.0313盈亏平衡点万元9998.0
14、2产值14回收期年5.8915内部收益率21.84%所得税后16财务净现值万元6866.06所得税后第二章 行业、市场分析一、 碳化硅衬底类型衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣,为使材料能满足不同芯片的功能要求,需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为两类:根据工信部发布的重点新材料首批次应用示范指导目录(2019年版),一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,另一类是低电阻率(电阻率区间为1530mcm)的导电型碳化硅衬底。二、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大,大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本依
15、旧较高,碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一,限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟,衬底和器件的价格呈一定下降趋势,但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件,下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系,短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率,使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业,对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求,国内在高端技术和人才方面与国外龙
16、头企业尚存在差距。缩小技术差距,需要靠国内企业和研究机构持续投入研发,完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年,于1993年在美国纳斯达克上市,贰陆公司成立于1971年,于1987年在美国纳斯达克上市,相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经验,中国由于研发起步较晚,业内人才和技术水平仍然较为缺乏,在一定程度上制约了行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件,因而受到国际上瓦森纳协定的出口管制,
17、并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查。国内行业通过外延式收购的方式进行发展的难度较大。三、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛,全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用,碳化硅器件市场需求迅速增长,全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给,满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求,各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8
18、英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展,产业链的景气程度有望持续向好,碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低,行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比,虽然碳化硅基器件价格仍然较高,但是由于其优越的性能及价格持续走低,其综合成本优势逐渐显现,客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本:在衬底方面,通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等,共同推动碳化硅衬底成本的降低;在制造方面,随着市场的开启,各大器件供应商扩产制造,随着规模扩大和制造技术不断成熟,也带来制造成本的降低;在市场方面,主要的
19、产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定,供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降,其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护,自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁,国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程,为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域,下游应用企业已在调整供应链,支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会,进入了多个关键厂商供应链,逐步开始了
20、以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月,国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策,提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发,在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设;2021年3月,十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要,提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外,上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机,有助于我国
21、宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。第三章 项目投资背景分析一、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看,上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表,其典型应用是集成电路,主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表,砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙,故
22、其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能,因此被广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。值得注意的是,前述三代半导体材料各有利弊,并无绝对的替代关系,而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业:新材料(第三代
23、半导体材料),与硅相比,碳化硅拥有更为优越的电气特性:耐高压:击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗。耐高温:半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小
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