天津碳化硅衬底项目实施方案范文.docx
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1、泓域咨询/天津碳化硅衬底项目实施方案报告说明根据Yole报告,随着通信基础建设和军事应用的需求发展,全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长,预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元,期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。根据谨慎财务估算,项目总投资47043.10万元,其中:建设投资37276.18万元,占项目总投资的79.24%;建设期利息841.95万元,占项目总投资的1.79%;流动资金8924.97万元,占项目总投资的18.97%。项目正常运营每年营业收入88300.00万元,综合总成本费用71746.98万元,净利润12088
2、.18万元,财务内部收益率18.05%,财务净现值9081.73万元,全部投资回收期6.30年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。经初步分析评价,项目不仅有显著的经济效益,而且其社会救益、生态效益非常显著,项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定,构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。项目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好,项目的实施不但是可行而且是十分必要的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 行
3、业发展分析8一、 行业发展态势及面临的机遇8二、 半导体材料行业概述10第二章 绪论11一、 项目名称及项目单位11二、 项目建设地点11三、 可行性研究范围11四、 编制依据和技术原则11五、 建设背景、规模12六、 项目建设进度13七、 环境影响13八、 建设投资估算14九、 项目主要技术经济指标14主要经济指标一览表15十、 主要结论及建议16第三章 项目背景及必要性17一、 宽禁带半导体材料简介17二、 碳化硅半导体行业的战略意义19三、 加快构筑现代产业体系,推动构建新发展格局20第四章 建设规模与产品方案22一、 建设规模及主要建设内容22二、 产品规划方案及生产纲领22产品规划方
4、案一览表22第五章 建筑技术方案说明24一、 项目工程设计总体要求24二、 建设方案24三、 建筑工程建设指标25建筑工程投资一览表26第六章 SWOT分析28一、 优势分析(S)28二、 劣势分析(W)30三、 机会分析(O)30四、 威胁分析(T)32第七章 运营模式40一、 公司经营宗旨40二、 公司的目标、主要职责40三、 各部门职责及权限41四、 财务会计制度44第八章 人力资源分析50一、 人力资源配置50劳动定员一览表50二、 员工技能培训50第九章 进度规划方案52一、 项目进度安排52项目实施进度计划一览表52二、 项目实施保障措施53第十章 环境保护方案54一、 编制依据5
5、4二、 建设期大气环境影响分析55三、 建设期水环境影响分析59四、 建设期固体废弃物环境影响分析60五、 建设期声环境影响分析60六、 环境管理分析61七、 结论63八、 建议63第十一章 工艺技术分析64一、 企业技术研发分析64二、 项目技术工艺分析67三、 质量管理68四、 设备选型方案69主要设备购置一览表70第十二章 原辅材料成品管理72一、 项目建设期原辅材料供应情况72二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理72第十三章 项目投资计划74一、 投资估算的依据和说明74二、 建设投资估算75建设投资估算表79三、 建设期利息79建设期利息估算表79固定资产投资估算表81四、 流动资
6、金81流动资金估算表82五、 项目总投资83总投资及构成一览表83六、 资金筹措与投资计划84项目投资计划与资金筹措一览表84第十四章 项目经济效益分析86一、 基本假设及基础参数选取86二、 经济评价财务测算86营业收入、税金及附加和增值税估算表86综合总成本费用估算表88利润及利润分配表90三、 项目盈利能力分析91项目投资现金流量表92四、 财务生存能力分析94五、 偿债能力分析94借款还本付息计划表95六、 经济评价结论96第十五章 项目招投标方案97一、 项目招标依据97二、 项目招标范围97三、 招标要求98四、 招标组织方式100五、 招标信息发布100第十六章 项目综合评价10
7、2第十七章 附表附件104主要经济指标一览表104建设投资估算表105建设期利息估算表106固定资产投资估算表107流动资金估算表108总投资及构成一览表109项目投资计划与资金筹措一览表110营业收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表111固定资产折旧费估算表112无形资产和其他资产摊销估算表113利润及利润分配表114项目投资现金流量表115借款还本付息计划表116建筑工程投资一览表117项目实施进度计划一览表118主要设备购置一览表119能耗分析一览表119第一章 行业发展分析一、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛,全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、
8、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用,碳化硅器件市场需求迅速增长,全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给,满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求,各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展,产业链的景气程度有望持续向好,碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低,行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速
9、发展的关键年份。与同类硅基产品相比,虽然碳化硅基器件价格仍然较高,但是由于其优越的性能及价格持续走低,其综合成本优势逐渐显现,客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本:在衬底方面,通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等,共同推动碳化硅衬底成本的降低;在制造方面,随着市场的开启,各大器件供应商扩产制造,随着规模扩大和制造技术不断成熟,也带来制造成本的降低;在市场方面,主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定,供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降,其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护,自
10、主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁,国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程,为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域,下游应用企业已在调整供应链,支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会,进入了多个关键厂商供应链,逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月,国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若
11、干政策,提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发,在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设;2021年3月,十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要,提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外,上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机,有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。二、 半导体材料行业概述半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半
12、导体。半导体可以分为四类产品,分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。半导体是电子产品的核心,是信息产业的基石,亦被称为现代工业的“粮食”。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、电力电子、医疗电子、工业电子、军工航天等行业。半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业,具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节,半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。第二章 绪论一、 项目名称及项目单位项目名称:天津碳化硅衬底项目项目单位:xxx集团有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx(
13、以最终选址方案为准),占地面积约97.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、确定生产规模、产品方案;2、调研产品市场;3、确定工程技术方案;4、估算项目总投资,提出资金筹措方式及来源;5、测算项目投资效益,分析项目的抗风险能力。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。(二)技术原则按照“保证生产,简化辅助”的原则进行设计,尽量减
14、少用地、节约资金。在保证生产的前提下,综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善的现代企业管理制度,采取有效的环境保护措施,使生产中的排放物符合国家排放标准和规定,重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。五、 建设背景、规模(一)项目背景近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月,国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策,提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发,在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设;2021年3月,十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国
15、民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要,提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外,上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机,有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积64667.00(折合约97.00亩),预计场区规划总建筑面积117137.72。其中:生产工程70589.47,仓储工程22547.57,行政办公及生活服务设施16050.26,公共工程7950.42。项目建成后,形成年产xxx吨碳化硅衬底的生产能力。六、 项目建设进
16、度结合该项目建设的实际工作情况,xxx集团有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目建成后产生的各项污染物如能按本报告提出的污染治理措施进行治理,保证治理资金落实到位,保证污染治理工程与主体工程实行“三同时”,且加强污染治理措施和设备的运行管理,实施排污总量控制,则本项目建成后对周围环境不会产生明显的影响,从环境保护角度分析,本项目是可行的。八、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资47043.10万
17、元,其中:建设投资37276.18万元,占项目总投资的79.24%;建设期利息841.95万元,占项目总投资的1.79%;流动资金8924.97万元,占项目总投资的18.97%。(二)建设投资构成本期项目建设投资37276.18万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用32769.73万元,工程建设其他费用3455.16万元,预备费1051.29万元。九、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入88300.00万元,综合总成本费用71746.98万元,纳税总额8093.61万元,净利润12088.18万元,财务内部收益率18.05%,财
18、务净现值9081.73万元,全部投资回收期6.30年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积64667.00约97.00亩1.1总建筑面积117137.721.2基底面积41386.881.3投资强度万元/亩379.242总投资万元47043.102.1建设投资万元37276.182.1.1工程费用万元32769.732.1.2其他费用万元3455.162.1.3预备费万元1051.292.2建设期利息万元841.952.3流动资金万元8924.973资金筹措万元47043.103.1自筹资金万元29860.583.2银行贷款万元17182.524营业收入万
19、元88300.00正常运营年份5总成本费用万元71746.986利润总额万元16117.577净利润万元12088.188所得税万元4029.399增值税万元3628.7710税金及附加万元435.4511纳税总额万元8093.6112工业增加值万元27335.0713盈亏平衡点万元37425.25产值14回收期年6.3015内部收益率18.05%所得税后16财务净现值万元9081.73所得税后十、 主要结论及建议由上可见,无论是从产品还是市场来看,本项目设备较先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定的抗风险能力,因而项目是可行的。第三章 项目
20、背景及必要性一、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看,上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表,其典型应用是集成电路,主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表,砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙,故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能,因此被广泛应用于
21、光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。值得注意的是,前述三代半导体材料各有利弊,并无绝对的替代关系,而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业:新材料(第三代半导体材料),与硅相比,碳化硅拥有更为优越的电气特性:耐高压
22、:击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗。耐高温:半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化。实现高频的性能:碳化硅的饱和电子漂移速率大,是硅的2倍
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