宝鸡碳化硅衬底项目招商引资方案_范文模板.docx
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1、泓域咨询/宝鸡碳化硅衬底项目招商引资方案目录第一章 项目建设背景、必要性6一、 半导体材料行业概述6二、 面临的挑战6三、 碳化硅半导体行业的战略意义8四、 强化招商引资9第二章 绪论10一、 项目名称及投资人10二、 编制原则10三、 编制依据11四、 编制范围及内容11五、 项目建设背景12六、 结论分析12主要经济指标一览表14第三章 市场预测17一、 宽禁带半导体材料简介17二、 碳化硅材料产业链19第四章 选址分析25一、 项目选址原则25二、 建设区基本情况25三、 提升工业优势,努力打造制造业高地27四、 项目选址综合评价28第五章 建设内容与产品方案29一、 建设规模及主要建设
2、内容29二、 产品规划方案及生产纲领29产品规划方案一览表30第六章 运营管理模式31一、 公司经营宗旨31二、 公司的目标、主要职责31三、 各部门职责及权限32四、 财务会计制度35第七章 法人治理结构42一、 股东权利及义务42二、 董事44三、 高级管理人员50四、 监事52第八章 原辅材料分析54一、 项目建设期原辅材料供应情况54二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理54第九章 人力资源分析55一、 人力资源配置55劳动定员一览表55二、 员工技能培训55第十章 项目环保分析58一、 环境保护综述58二、 建设期大气环境影响分析58三、 建设期水环境影响分析61四、 建设期固体废弃
3、物环境影响分析61五、 建设期声环境影响分析62六、 环境影响综合评价62第十一章 进度计划方案64一、 项目进度安排64项目实施进度计划一览表64二、 项目实施保障措施65第十二章 投资方案分析66一、 投资估算的依据和说明66二、 建设投资估算67建设投资估算表69三、 建设期利息69建设期利息估算表69四、 流动资金71流动资金估算表71五、 总投资72总投资及构成一览表72六、 资金筹措与投资计划73项目投资计划与资金筹措一览表74第十三章 经济收益分析75一、 基本假设及基础参数选取75二、 经济评价财务测算75营业收入、税金及附加和增值税估算表75综合总成本费用估算表77利润及利润
4、分配表79三、 项目盈利能力分析79项目投资现金流量表81四、 财务生存能力分析82五、 偿债能力分析83借款还本付息计划表84六、 经济评价结论84第十四章 风险评估86一、 项目风险分析86二、 项目风险对策88第十五章 项目综合评价90第十六章 附表附录91主要经济指标一览表91建设投资估算表92建设期利息估算表93固定资产投资估算表94流动资金估算表95总投资及构成一览表96项目投资计划与资金筹措一览表97营业收入、税金及附加和增值税估算表98综合总成本费用估算表98利润及利润分配表99项目投资现金流量表100借款还本付息计划表102本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信
5、息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目建设背景、必要性一、 半导体材料行业概述半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体。半导体可以分为四类产品,分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。半导体是电子产品的核心,是信息产业的基石,亦被称为现代工业的“粮食”。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、电力电子、医疗电子、工业电子、军工航天等行业。半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业,具有技术难度高、投资规模
6、大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节,半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。二、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大,大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本依旧较高,碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一,限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟,衬底和器件的价格呈一定下降趋势,但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件,下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系,短期内一定
7、程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率,使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业,对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求,国内在高端技术和人才方面与国外龙头企业尚存在差距。缩小技术差距,需要靠国内企业和研究机构持续投入研发,完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年,于1993年在美国纳斯达克上市,贰陆公司成立于1971年,于1987年在美国纳斯达克上市,相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经验,中国由于研发起步较晚,业内人才和技术水平仍然较为缺乏,在一定程度上制约了
8、行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件,因而受到国际上瓦森纳协定的出口管制,并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查。国内行业通过外延式收购的方式进行发展的难度较大。三、 碳化硅半导体行业的战略意义碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料,以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,具有开关速度快、效率高的优势,可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前,碳化
9、硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域,在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。同时,我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域,随着国家“新基建”战略的实施,碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此,以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段,相比硅和砷化镓等半导体而言,在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外,由于宽禁带
10、半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度,下游制造环节对设备的要求相对较低,投资额相对较小,制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此,我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破,将有望在半导体行业实现换道超车。四、 强化招商引资主动运用市场理念和“投行思维”开展招商,坚持“提着篮子选菜”,建立招引企业名录,突出招大引强,“一对一”上门拜促。坚持产业链招商,围绕延链补链强链,加强与我市产业关联度高的行业龙头企业衔接联系,招引关键环节企业和配套企业。坚持以商招商,争取央企、国企、商会和科研院所在我市布局项目和分支机构。落实领导带头招商“十条要求”,提升专业化招商水平,建
11、立重大招商项目跨县区流转、利益分享和奖励激励机制,鼓励发展“飞地经济”。第二章 绪论一、 项目名称及投资人(一)项目名称宝鸡碳化硅衬底项目(二)项目投资人xxx集团有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xxx。二、 编制原则坚持以经济效益为中心,社会效益和不境效益为重点指导思想,以技术先进、经济可行为原则,立足本地、面向全国、着眼未来,实现企业高质量、可持续发展。1、优化规划方案,尽可能减少工程项目的投资额,以求得最好的经济效益。2、结合厂址和装置特点,总图布置力求做到布置紧凑,流程顺畅,操作方便,尽量减少用地。3、在工艺路线及公用工程的技术方案选择上,既要考虑先进性,又要确保技术成熟可靠,做
12、到先进、可靠、合理、经济。4、结合当地有利条件,因地制宜,充分利用当地资源。5、根据市场预测和当地情况制定产品方向,做到产品方案合理。6、依据环保法规,做到清洁生产,工程建设实现“三同时”,将环境污染降低到最低程度。7、严格执行国家和地方劳动安全、企业卫生、消防抗震等有关法规、标准和规范。做到清洁生产、安全生产、文明生产。三、 编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。四、 编制范围及内容1、项目提出的背景及建设必要性;2、市场需求预测;3、建设规模及产品
13、方案;4、建设地点与建设条性;5、工程技术方案;6、公用工程及辅助设施方案;7、环境保护、安全防护及节能;8、企业组织机构及劳动定员;9、建设实施与工程进度安排;10、投资估算及资金筹措;11、经济评价。五、 项目建设背景行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本:在衬底方面,通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等,共同推动碳化硅衬底成本的降低;在制造方面,随着市场的开启,各大器件供应商扩产制造,随着规模扩大和制造技术不断成熟,也带来制造成本的降低;在市场方面,主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定,供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望
14、持续下降,其行业应用将快速发展。六、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xxx,占地面积约28.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xx吨碳化硅衬底的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资12127.90万元,其中:建设投资9913.79万元,占项目总投资的81.74%;建设期利息255.81万元,占项目总投资的2.11%;流动资金1958.30万元,占项目总投资的16.15%。(五)资金筹措项目总投资12127.90万元,根据资金筹措方案,xxx集团有限公
15、司计划自筹资金(资本金)6907.16万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额5220.74万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):22200.00万元。2、年综合总成本费用(TC):17233.82万元。3、项目达产年净利润(NP):3634.49万元。4、财务内部收益率(FIRR):23.19%。5、全部投资回收期(Pt):5.67年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):8470.46万元(产值)。(七)社会效益本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是
16、积极可行的。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积18667.00约28.00亩1.1总建筑面积34603.841.2基底面积12133.551.3投资强度万元/亩346.382总投资万元12127.902.1建设投资万元9913.792.1.1工程费用万元8646.452.1.2其他费用万元1023.182.1.3预备费万元244.162.2建设期利息万元255.
17、812.3流动资金万元1958.303资金筹措万元12127.903.1自筹资金万元6907.163.2银行贷款万元5220.744营业收入万元22200.00正常运营年份5总成本费用万元17233.826利润总额万元4845.997净利润万元3634.498所得税万元1211.509增值税万元1001.5910税金及附加万元120.1911纳税总额万元2333.2812工业增加值万元7819.7913盈亏平衡点万元8470.46产值14回收期年5.6715内部收益率23.19%所得税后16财务净现值万元4285.61所得税后第三章 市场预测一、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅(S
18、i)、锗(Ge)等元素半导体及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看,上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表,其典型应用是集成电路,主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表,砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙,故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能,因此被广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材
19、料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。值得注意的是,前述三代半导体材料各有利弊,并无绝对的替代关系,而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业:新材料(第三代半导体材料),与硅相比,碳化硅拥有更为优越的电气特性:耐高压:击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐
20、压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗。耐高温:半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化。实现高频的性能:碳化硅的饱和电子漂移速率大,是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于
21、这些优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用:在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器;在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域;氮化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。二、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器
22、件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上,主要使用化学气相沉积法(CVD法)在衬底表面生成所需的薄膜材料,即形成外延片,进一步制成器件。(1)半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成氮化镓射频器件。(2)导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上,需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片,并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用(1)主要应用情况及其优势射频器件在无线通
23、讯中扮演信号转换的角色,是无线通信设备的基础性零部件,主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue,砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用;硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年,但其主要应用于小于4GHz的低频率领域;碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势,有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件,因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵
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