娄底碳化硅衬底项目建议书（模板范文）.docx

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1、泓域咨询/娄底碳化硅衬底项目建议书目录第一章 项目建设背景及必要性分析6一、 面临的挑战6二、 碳化硅材料产业链7三、 在全省打造国家重要先进制造业高地中彰显娄底担当13四、 在全省打造具有核心竞争力的科技创新高地中贡献娄底力量15第二章 总论19一、 项目名称及投资人19二、 编制原则19三、 编制依据20四、 编制范围及内容20五、 项目建设背景21六、 结论分析21主要经济指标一览表23第三章 市场分析26一、 碳化硅半导体行业的战略意义26二、 宽禁带半导体材料简介27第四章 建筑物技术方案30一、 项目工程设计总体要求30二、 建设方案30三、 建筑工程建设指标31建筑工程投资一览表

2、31第五章 建设方案与产品规划33一、 建设规模及主要建设内容33二、 产品规划方案及生产纲领33产品规划方案一览表33第六章 法人治理35一、 股东权利及义务35二、 董事37三、 高级管理人员42四、 监事45第七章 运营模式分析48一、 公司经营宗旨48二、 公司的目标、主要职责48三、 各部门职责及权限49四、 财务会计制度52第八章 项目实施进度计划56一、 项目进度安排56项目实施进度计划一览表56二、 项目实施保障措施57第九章 组织机构及人力资源58一、 人力资源配置58劳动定员一览表58二、 员工技能培训58第十章 工艺技术设计及设备选型方案61一、 企业技术研发分析61二、

3、 项目技术工艺分析63三、 质量管理64四、 设备选型方案65主要设备购置一览表66第十一章 投资方案68一、 编制说明68二、 建设投资68建筑工程投资一览表69主要设备购置一览表70建设投资估算表71三、 建设期利息72建设期利息估算表72固定资产投资估算表73四、 流动资金74流动资金估算表75五、 项目总投资76总投资及构成一览表76六、 资金筹措与投资计划77项目投资计划与资金筹措一览表77第十二章 经济收益分析79一、 经济评价财务测算79营业收入、税金及附加和增值税估算表79综合总成本费用估算表80固定资产折旧费估算表81无形资产和其他资产摊销估算表82利润及利润分配表84二、

4、项目盈利能力分析84项目投资现金流量表86三、 偿债能力分析87借款还本付息计划表88第十三章 风险风险及应对措施90一、 项目风险分析90二、 项目风险对策92第十四章 总结94第十五章 附表96主要经济指标一览表96建设投资估算表97建设期利息估算表98固定资产投资估算表99流动资金估算表100总投资及构成一览表101项目投资计划与资金筹措一览表102营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表103固定资产折旧费估算表104无形资产和其他资产摊销估算表105利润及利润分配表106项目投资现金流量表107借款还本付息计划表108建筑工程投资一览表109项目实施进度计划一览表

5、110主要设备购置一览表111能耗分析一览表111第一章 项目建设背景及必要性分析一、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大，大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本依旧较高，碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一，限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟，衬底和器件的价格呈一定下降趋势，但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系，短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，使得碳化硅材料即使在部分相对

6、优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求，国内在高端技术和人才方面与国外龙头企业尚存在差距。缩小技术差距，需要靠国内企业和研究机构持续投入研发，完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年，于1993年在美国纳斯达克上市，贰陆公司成立于1971年，于1987年在美国纳斯达克上市，相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经验，中国由于研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用

7、途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件，因而受到国际上瓦森纳协定的出口管制，并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查。国内行业通过外延式收购的方式进行发展的难度较大。二、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化

8、镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。

9、目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越

10、广泛。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟，且碳化硅衬底导热性好，适合于大功率应用，同时衬底电阻率高降低了射频损耗，因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告，90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。（2）主要应用领域的发展

11、情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。根据Yole报

12、告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。3、导电型碳化硅衬底在功率器件上的应用（1）主要应用情况及其优势功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量

13、损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（2）主要应用领域的发展情况电动汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性，在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分，碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品，由于成本的原因，目前使用比

14、例还相对较低，但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势，通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。目前，碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电动汽车的必然之选。光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换

15、效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率器件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随

16、着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告，2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。三、 在全省打造国家重要先进制造业高地

17、中彰显娄底担当坚持把发展经济着力点放在实体经济上，制定实施娄底打造国家重要先进制造业高地规划，深入实施全省先进装备制造业倍增、战略性新兴产业培育、智能制造赋能、食品医药创优、军民融合发展、品牌提升、产业链供应链提升、产业基础再造等“八大工程”，在钢铁新材和工程机械两大产业发展、产业链供应链稳定性和先进性、先进制造业和现代服务业融合、数字经济和实体经济融合、产业园区能级等五个方面取得重大跨越。（一）推动制造业高质量发展实施先进装备制造业倍增工程，坚定不移把制造业做大做强做优，巩固壮大实体经济根基，在全省制造业版图中占据更重要的位置。强力打造先进制造业“双引擎”，加快推进钢铁新材和工程机械两大产业

18、提质升级、协同发展，在“十四五”总产值力争达到2000亿元。实施战略性新兴产业培育工程，统筹抓好节能环保、新能源与先进储能、现代文印、食品加工及生物医药、现代农机装备、先进陶瓷材料、装配式建筑、新一代信息技术、通用航空等工业新兴优势产业链发展。促进制造业向中高端水平迈进，加快建设路机、重卡以及家电、电工设备等产业，推动产业链向终端产品延伸。壮大先进结构材料产业集群，大力发展高品质特殊钢、电子信息、新型合金、先进储能等新材料主导产业，打造中部崛起“材料谷”。实施食品医药创优工程，生产安全可靠放心的食品药品，打造特色名优产品规模生产集聚地。实施军民融合发展工程，深入推进军民融合产业发展，实施品牌提

19、升工程，加强标准、计量、专利、检测等体系和能力建设，促进全面质量管理，提升娄底制造竞争力和美誉度。（二）提升产业链供应链现代化水平实施产业链供应链提升工程，健全产业链“链长制”，建立完善“一链一长、一链一局、一链一园、一链一办”工作机制，着力延链补链强链，推动产业链与供应链、创新链、资金链、政策链深度融合，推动产业链延伸、价值链提升，在延链中做大产业规模，在强链中提升竞争力，在补链中做到安全可控。优化区域产业链布局，提升主导产业本地配套率。充分发挥优质企业在产业链供应链现代化中的重要作用，培育一批具有生态主导力的产业链“链主”企业。实施企业上市破零倍增计划和资本市场县域工程，加快推进企业上市步

20、伐。强化要素支撑，优化产业链供应链发展环境。实施产业基础再造工程，不断提升核心基础零部件（元器件）、关键基础材料、先进基础工艺、产业技术基础和基础工业软件供给能力。（三）全面提升园区能级和水平促进产业园区提质倍增，实现园区经济总量攀升、结构转型、发展提质，提高园区产业集聚度，充分发挥园区在转型发展中的示范引领作用。坚持差异化发展，优化产业布局，做强支柱产业，推动园区集群化发展。理顺园区管理体制和运行机制，鼓励园区集团化联动发展，全面完善园区生活性和生产性配套，提高园区市场化开发运营水平。完善考核评价体系和激励约束机制，提高园区产业水平、投资强度、亩均效益。积极创建国家级高新区，加快推进国家级经

21、开区和省级产业园建设，发展壮大三一工程机械产业园、薄板深加工产业园、特种陶瓷产业园、互联网产业园、军民融合产业园、光电子信息产业园、现代农机产业园等特色园区，打造新的经济增长极。四、 在全省打造具有核心竞争力的科技创新高地中贡献娄底力量坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，落实科教兴国战略、人才强国战略、创新驱动发展战略，坚持“四个面向”，制定实施娄底打造具有核心竞争力的科技创新高地规划，深入实施全省关键核心技术攻关、基础研究发展、创新主体增量提质、芙蓉人才行动、创新平台建设、创新生态优化、科技成果转化等“七大计划”，在制造业关键核心技术攻坚、科技创新资源优化整合、企业创新能力、人才培养引进、

22、科技创新体制机制等五个方面取得重大进展。（一）打好制造业关键核心技术攻坚战实施关键核心技术攻关计划，坚持需求导向、问题导向，围绕产业链部署创新链、围绕创新链布局产业链，重点围绕制造业高质量发展，聚焦优势产业、新兴产业，滚动列出技术创新重点清单，集中力量攻关，重点突破一批产业关键共性技术瓶颈。（二）优化整合科技创新资源实施创新平台建设计划，进一步建设运用现有国家级检验检测中心、企业技术研究中心，积极推动构建产业技术创新联盟，建立市级创新平台，以培育发展更多国省平台。加强与长株潭创新合作，打造科技成果孵化基地，构建科技研发成果孵化转化新机制。（三）提升企业创新能力强化企业创新主体地位，发挥企业家在

23、技术创新中的重要作用，鼓励企业加大研发投入，对企业投入基础研究实行税收优惠，推动规模以上工业企业研发机构、科技活动全覆盖。推进产学研深度融合，支持企业与高校、科研院所等组建创新联合体，承担科技攻关项目，促进新技术快速大规模应用和迭代升级。实施创新主体增量提质计划，大力培育高新技术企业、科技型中小微企业。建立产业链上中下游衔接、大中小企业协同的创新体系。（四）激发人才创新创造活力深化娄底人才行动计划，建立靶向引才、柔性引才、专家荐才机制，培养引进一批科技领军人才、创新团队和青年科技人才。建立人才引进综合服务体系，坚持事业留人与待遇留人并重，让人才进得来、留得住。充分发挥娄底籍院士专家学者的作用。

24、落实国家知识更新工程、技能提升行动，加强创新型、应用型、技能型人才培养，壮大高水平工程师和高技能人才队伍。突出以创新能力、质量、实效、贡献为导向，强化科技人才评价。实行股权、期权、分红等激励措施，全面增强对人才的吸引力和汇聚力。（五）完善科技创新体制机制实施创新生态优化计划，优化科技规划和计划执行机制，推动重点领域项目、基地、人才、资金一体化配置，推进科研院所、高校、企业、新型研发机构科研资源共享，打造一流创新环境。改进科技项目组织管理方式，实行“揭榜挂帅”等制度。加大研发投入，建立与经济发展相适应的科技投入机制。实施科技成果转化计划，深化科技成果使用权、处置权、收益权改革，健全创新激励机制，

25、加强知识产权保护，促进科技成果转化，提高本地转化率。建立科技创新容错机制，构建宽容失败的创新环境。发展科技金融，完善金融支撑创新体系。大力发扬科学家精神和工匠精神、劳模精神，加强科普工作，营造崇尚创新的社会氛围。第二章 总论一、 项目名称及投资人（一）项目名称娄底碳化硅衬底项目（二）项目投资人xxx（集团）有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx（以选址意见书为准）。二、 编制原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规，认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定；2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线，提高项目的竞争力和市场适应性；3、设备的布置根据现场实际情况，合理用地；4、严格

26、执行“三同时”原则，积极推进“安全文明清洁”生产工艺，做到环境保护、劳动安全卫生、消防设施和工程建设同步规划、同步实施、同步运行，注意可持续发展要求，具有可操作弹性；5、形成以人为本、美观的生产环境，体现企业文化和企业形象；6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求；7、充分估计工程各类风险，采取规避措施，满足工程可靠性要求。三、 编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。四、 编制范围及内容依据国家产业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实

27、际情况，按照项目的建设要求，对项目的实施在技术、经济、社会和环境保护等领域的科学性、合理性和可行性进行研究论证。研究、分析和预测国内外市场供需情况与建设规模，并提出主要技术经济指标，对项目能否实施做出一个比较科学的评价，其主要内容包括如下几个方面:1、确定建设条件与项目选址。2、确定企业组织机构及劳动定员。3、项目实施进度建议。4、分析技术、经济、投资估算和资金筹措情况。5、预测项目的经济效益和社会效益及国民经济评价。五、 项目建设背景功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。六、 结论分析（一）项

28、目选址本期项目选址位于xxx（以选址意见书为准），占地面积约68.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx吨碳化硅衬底的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资33766.21万元，其中：建设投资25897.14万元，占项目总投资的76.70%；建设期利息569.52万元，占项目总投资的1.69%；流动资金7299.55万元，占项目总投资的21.62%。（五）资金筹措项目总投资33766.21万元，根据资金筹措方案，xxx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）2

29、2143.40万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额11622.81万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：69600.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：57513.96万元。3、项目达产年净利润（NP）：8826.33万元。4、财务内部收益率（FIRR）：18.47%。5、全部投资回收期（Pt）：6.27年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：29469.15万元（产值）。（七）社会效益项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术

30、方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积45333.00约68.00亩1.1总建筑面积72516.491.2基底面积25386.481.3投资强度万元/亩366.192总投资万元33766.212.1建设投资万元25897.142.1.1工程费用万元22011.43

31、2.1.2其他费用万元3223.772.1.3预备费万元661.942.2建设期利息万元569.522.3流动资金万元7299.553资金筹措万元33766.213.1自筹资金万元22143.403.2银行贷款万元11622.814营业收入万元69600.00正常运营年份5总成本费用万元57513.966利润总额万元11768.447净利润万元8826.338所得税万元2942.119增值税万元2646.6510税金及附加万元317.6011纳税总额万元5906.3612工业增加值万元19891.7113盈亏平衡点万元29469.15产值14回收期年6.2715内部收益率18.47%所得税后1

32、6财务净现值万元6977.80所得税后第三章 市场分析一、 碳化硅半导体行业的战略意义碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前，碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能

33、源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段，相比硅和砷化镓等半导体而言，在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外，由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此，我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。二、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半

34、导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指

35、以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。值得注意的是，前述三代半导体材料各有利弊，并无绝对的替代关系，而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业：新材料（第三代半导体材料），与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性：耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密

36、度，并大大降低器件的导通损耗。耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性，碳化硅衬

37、底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。第四章 建筑物技术方案一、 项目工程设计总体要求1、建筑结构设计力求贯彻“经济、实用和兼顾美观”的原则，根据工艺需要，结合当地地质条件及

38、地需条件综合考虑。2、为满足工艺生产的需要，方便操作、检修和管理，尽量采取厂房一体化，充分考虑竖向组合，立求缩短管线，降低能耗，节约用地，减少投资。3、为加快建设速度并为今后的技术改造留下发展空间，主厂房设计成轻钢结构，各层主要设备的悬挂、支撑均采用钢结构，实现轻型化，并满足防腐防爆规范及有关规定。二、 建设方案（一）结构方案1、设计采用的规范（1）由有关主导专业所提供的资料及要求；（2）国家及地方现行的有关建筑结构设计规范、规程及规定；（3）当地地形、地貌等自然条件。2、主要建筑物结构设计（1）车间与仓库：采用现浇钢筋混凝土结构，砖砌外墙作围护结构，基础采用浅基础及地梁拉接，并在适当位置设置

39、伸缩缝。（2）综合楼、办公楼:采用现浇钢筋砼框架结构，（二）建筑立面设计为使建筑物整体风格具有时代特征，更加具有强烈的视觉效果，更加耐人寻味、引人入胜。建筑外形设计时尽可能简洁明了，重点把握个体与部分之间的比例美与逻辑美，并注意各线、面、形之间的相互关系，充分利用方向、形体、质感、虚实等多方位的建筑处理手法。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积72516.49，其中：生产工程46431.86，仓储工程16064.55，行政办公及生活服务设施6080.10，公共工程3939.98。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程14978.0246431.866

40、349.701.11#生产车间4493.4113929.561904.911.22#生产车间3744.5111607.971587.421.33#生产车间3594.7211143.651523.931.44#生产车间3145.389750.691333.442仓储工程7108.2116064.551800.112.11#仓库2132.464819.36540.032.22#仓库1777.054016.14450.032.33#仓库1705.973855.49432.032.44#仓库1492.723373.56378.023办公生活配套1363.256080.10867.733.1行政办公楼8

41、86.113952.07564.023.2宿舍及食堂477.142128.03303.714公共工程2030.923939.98344.02辅助用房等5绿化工程7103.68137.58绿化率15.67%6其他工程12842.8435.247合计45333.0072516.499534.38第五章 建设方案与产品规划一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积45333.00（折合约68.00亩），预计场区规划总建筑面积72516.49。（二）产能规模根据国内外市场需求和xxx（集团）有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx吨碳化硅衬底，预计年营业收入69600.00

42、万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1碳化硅衬底吨xxx2碳化硅衬底吨xxx3碳化硅衬底吨xxx4.吨5.吨6.吨合计xxx69600.002019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比，

43、虽然碳化硅基器件价格仍然较高，但是由于其优越的性能及价格持续走低，其综合成本优势逐渐显现，客户认可度持续提高。第六章 法人治理一、 股东权利及义务1、公司召开股东大会、分配股利、清算及从事其他需要确认股东身份的行为时，由董事会或股东大会召集人确定股权登记日，股权登记日收市后登记在册的股东为享有相关权益的股东。2、公司股东享有下列权利：（1）依照其所持有的股份份额获得股利和其他形式的利益分配；（2）依法请求、召集、主持、参加或者委派股东代理人参加股东大会，并行使相应的表决权；（3）对公司的经营进行监督，提出建议或者质询；（4）依照法律、行政法规及本章程的规定转让、赠与或质押其所持有的股份；（5）

44、查阅本章程、股东名册、公司债券存根、股东大会会议记录、董事会会议决议、监事会会议决议、财务会计报告；（6）公司终止或者清算时，按其所持有的股份份额参加公司剩余财产的分配；（7）对股东大会作出的公司合并、分立决议持异议的股东，要求公司收购其股份；（8）法律、行政法规、部门规章或本章程规定的其他权利。3、公司股东大会、董事会决议内容违反法律、行政法规的，股东有权请求人民法院认定无效。4、董事、高级管理人员违反法律、行政法规或者本章程的规定，损害股东利益的，股东可以向人民法院提起诉讼。5、公司股东承担下列义务：（1）遵守法律、行政法规和本章程；（2）除法律、法规规定的情形外，不得退股；（3）不得滥用

45、股东权利损害公司或者其他股东的利益；不得滥用公司法人独立地位和股东有限责任损害公司债权人的利益；公司股东滥用股东权利给公司或者其他股东造成损失的，应当依法承担赔偿责任。公司股东滥用公司法人独立地位和股东有限责任，逃避债务，严重损害公司债权人利益的，应当对公司债务承担连带责任。（4）法律、行政法规及本章程规定应当承担的其他义务。6、持有公司5%以上有表决权股份的股东，将其持有的股份进行质押的，应当自该事实发生当日，向公司作出书面报告。7、公司的控股股东、实际控制人不得利用其关联关系损害公司利益。违反规定的，给公司造成损失的，应当承担赔偿责任。公司控股股东及实际控制人对公司和公司社会公众股股东负有诚信义务。控股股东应严格依法行使出资人的权利，控股股东不得利用利润分配、资产重组、对外投资、资金占用、借款担保等方式损害公司和社会公众股股东的合法权益，不得利用其控制地位损害公司和社会公众股股东的利益。二、 董事1、公司设董事会，对股东大会负责。2、董事会由12人组成，其中独立董事4名；设董事长1人，副董事长1人。3、董事会行使下列职权：（1）负责召集股东大会，并向股东大会