安庆碳化硅衬底项目建议书【模板范文】.docx

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1、泓域咨询/安庆碳化硅衬底项目建议书报告说明相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。根据谨慎财务估算，项目总投资17556.89万元，其中：建设投资13716.72万元，占项目总投资的78.13%；建设期利息325.73万元，占项目总投资的1.86%；流动资金3514.44万元，占项目总投资的20.02%。项目正常运营每年营业收入36300.00万元，综合总成本费用27340.19万元，净利润6568.31万元，财务内部收益率29.28%

2、，财务净现值11707.89万元，全部投资回收期5.23年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势，主要原材料从本地市场采购，保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述，项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义，本期项目的建设，是十分必要和可行的。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交

3、流或模板参考应用。目录第一章 市场预测8一、 碳化硅半导体行业的战略意义8二、 碳化硅材料产业链9第二章 项目绪论15一、 项目名称及投资人15二、 编制原则15三、 编制依据16四、 编制范围及内容16五、 项目建设背景16六、 结论分析17主要经济指标一览表19第三章 项目背景及必要性22一、 宽禁带半导体材料简介22二、 行业发展态势及面临的机遇24三、 碳化硅衬底类型26四、 激发人才创新活力26五、 提升开放型经济发展水平27第四章 建筑工程说明28一、 项目工程设计总体要求28二、 建设方案29三、 建筑工程建设指标29建筑工程投资一览表29第五章 项目选址可行性分析31一、 项目

4、选址原则31二、 建设区基本情况31三、 坚定下好科技创新先手棋36四、 建设产业链高效协同的先进制造业集群37五、 项目选址综合评价38第六章 运营模式39一、 公司经营宗旨39二、 公司的目标、主要职责39三、 各部门职责及权限40四、 财务会计制度43第七章 发展规划分析50一、 公司发展规划50二、 保障措施54第八章 劳动安全生产57一、 编制依据57二、 防范措施60三、 预期效果评价62第九章 技术方案63一、 企业技术研发分析63二、 项目技术工艺分析65三、 质量管理66四、 设备选型方案67主要设备购置一览表68第十章 环保方案分析70一、 编制依据70二、 环境影响合理性

5、分析70三、 建设期大气环境影响分析70四、 建设期水环境影响分析71五、 建设期固体废弃物环境影响分析71六、 建设期声环境影响分析71七、 环境管理分析73八、 结论及建议74第十一章 节能方案76一、 项目节能概述76二、 能源消费种类和数量分析77能耗分析一览表77三、 项目节能措施78四、 节能综合评价79第十二章 组织机构、人力资源分析81一、 人力资源配置81劳动定员一览表81二、 员工技能培训81第十三章 项目投资计划84一、 投资估算的依据和说明84二、 建设投资估算85建设投资估算表89三、 建设期利息89建设期利息估算表89固定资产投资估算表91四、 流动资金91流动资金

6、估算表92五、 项目总投资93总投资及构成一览表93六、 资金筹措与投资计划94项目投资计划与资金筹措一览表94第十四章 项目经济效益分析96一、 经济评价财务测算96营业收入、税金及附加和增值税估算表96综合总成本费用估算表97固定资产折旧费估算表98无形资产和其他资产摊销估算表99利润及利润分配表101二、 项目盈利能力分析101项目投资现金流量表103三、 偿债能力分析104借款还本付息计划表105第十五章 招标、投标107一、 项目招标依据107二、 项目招标范围107三、 招标要求107四、 招标组织方式110五、 招标信息发布113第十六章 总结评价说明114第十七章 附表附录11

7、6主要经济指标一览表116建设投资估算表117建设期利息估算表118固定资产投资估算表119流动资金估算表120总投资及构成一览表121项目投资计划与资金筹措一览表122营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123利润及利润分配表124项目投资现金流量表125借款还本付息计划表127第一章 市场预测一、 碳化硅半导体行业的战略意义碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前，碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航

8、天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段，相比硅和砷化镓等半导体而言，在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外，由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，

9、下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此，我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。二、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射

10、频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue

11、，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的

12、情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟，且碳化硅衬底导热性好，适合于大功率应用，同时衬底电阻率高降低了射频损耗，因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告，90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。（2）主要应用领域的发展情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面

13、，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。根据Yole报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的7.

14、4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。3、导电型碳化硅衬底在功率器件上的应用（1）主要应用情况及其优势功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现

15、有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（2）主要应用领域的发展情况电动汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性，在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分，碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品，由于成本的原因，目前使用比例还相对较低，但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势，通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。目前，

16、碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电动汽车的必然之选。光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，将

17、在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率器件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。目前碳化硅器件已经在中低压配电网开

18、始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告，2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。第二章 项目绪论一、 项目名称及投资人（一）项目名称安庆碳化硅衬底项目（二）项目投资人xx（集团）有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xx

19、（以最终选址方案为准）。二、 编制原则为实现产业高质量发展的目标，报告确定按如下原则编制：1、认真贯彻国家和地方产业发展的总体思路：资源综合利用、节约能源、提高社会效益和经济效益。2、严格执行国家、地方及主管部门制定的环保、职业安全卫生、消防和节能设计规定、规范及标准。3、积极采用新工艺、新技术，在保证产品质量的同时，力求节能降耗。4、坚持可持续发展原则。三、 编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。四、 编制范围及内容按照项目建设公司的发展规划，依据有

20、关规定，就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究，并提出研究结论。五、 项目建设背景氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。锚定二三五年远景目标，围绕建设现代化的长三角区域重

21、点城市和带动皖西南、辐射皖鄂赣交界地区的区域中心城市的发展定位和“进百强、上台阶”总体目标。经济综合实力实现新跨越。经济总量跻身全国百强市行列，到2025年达到4000亿元以上，人均地区生产总值力争达到全省平均水平。中心城区经济总量占全市比重达到40%，人均地区生产总值达到长三角平均水平。新型工业化深入推进，制造业增加值占地区生产总值比重进一步提高，数字经济增加值占地区生产总值比重明显上升。经济强县（区）建设取得突破，农业基础更加稳固，常住人口城镇化率达到60%。科技创新能力实现新跨越。企业创新主体地位更加突出，规上工业企业研发活动和发明专利实现全覆盖，全社会研发投入强度达到2%以上，高新技术

22、企业数、万人发明专利拥有量等主要创新指标实现倍增。首位产业创新链条基本建成，一批关键核心技术实现突破，产业基础高级化、产业链现代化水平明显提高。创新型城市和人才强市建设取得重大进展。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx（以最终选址方案为准），占地面积约35.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx吨碳化硅衬底的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资17556.89万元，其中：建设投资13716.72万元，占项目总投资的78.13%；建设期利息325

23、.73万元，占项目总投资的1.86%；流动资金3514.44万元，占项目总投资的20.02%。（五）资金筹措项目总投资17556.89万元，根据资金筹措方案，xx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）10909.26万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额6647.63万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：36300.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：27340.19万元。3、项目达产年净利润（NP）：6568.31万元。4、财务内部收益率（FIRR）：29.28%。5、全部投资回收期（Pt）：5.23年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：

24、10779.64万元（产值）。（七）社会效益由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积23333.00约35.00亩1.1总建筑面积43507.251.2基底面积14233.131.3投资强度万元/亩3

25、74.482总投资万元17556.892.1建设投资万元13716.722.1.1工程费用万元11619.542.1.2其他费用万元1695.322.1.3预备费万元401.862.2建设期利息万元325.732.3流动资金万元3514.443资金筹措万元17556.893.1自筹资金万元10909.263.2银行贷款万元6647.634营业收入万元36300.00正常运营年份5总成本费用万元27340.196利润总额万元8757.747净利润万元6568.318所得税万元2189.439增值税万元1683.9010税金及附加万元202.0711纳税总额万元4075.4012工业增加值万元13

26、591.6113盈亏平衡点万元10779.64产值14回收期年5.2315内部收益率29.28%所得税后16财务净现值万元11707.89所得税后第三章 项目背景及必要性一、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基

27、材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。值得注意的是，前述三代半导体材料各有利弊，并无绝对的替

28、代关系，而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业：新材料（第三代半导体材料），与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性：耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件

29、的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源

30、相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。二、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛，全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用，碳化硅器件市场需求迅速增长，全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给，满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求，各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规

31、级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展，产业链的景气程度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低，行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比，虽然碳化硅基器件价格仍然较高，但是由于其优越的性能及价格持续走低，其综合成本优势逐渐显现，客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本：在衬底方面，通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等，共同推动碳化硅衬底成本的降低；在制造方面，随着市场的开启，各大器件供应商扩产制造，随着规模扩大和制造技术不断成熟，也带来制造成本的降低；在市场方

32、面，主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定，供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护，自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁，国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程，为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域，下游应用企业已在调整供应链，支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会，进入了多个关键厂商供应链，

33、逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月，国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策，提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发，在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设；2021年3月，十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要，提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外，上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机，

34、有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。三、 碳化硅衬底类型衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为使材料能满足不同芯片的功能要求，需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：根据工信部发布的重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版），一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率（电阻率区间为1530mcm）的导电型碳化硅衬底。四、 激发人才创新活力实施宜城英才集聚工程，创新育才引才用才方式和制度，推进“蓝领入宜”“大学生入宜”“海归入宜”，大力培育引进高层次人才和创新团队，加快打造创新型、应用型、技

35、能型人才队伍。深化与国内一流高校合作，打造高层次人才培养平台。支持安庆师范大学引进高精尖人才，重点建设面向首位产业和未来产业需求的学科院系，培养我市急需人才。支持市属高校建设理工类、医学类、师范类本科院校，提高毕业生本地就业率。深化职教集团化改革，重塑专业学科群，打造产教融合示范基地。实施知识更新工程、技能提升行动，定期开展全市职业技能大赛，培育壮大“宜城工匠”队伍。完善人才政策，健全人才评价体系，优化人才服务生态，更好地吸引、留住和用好人才。五、 提升开放型经济发展水平健全外贸企业孵化培育机制，加快培育出口企业集群，打造一批创新型外贸龙头企业和自主品牌企业，建设一批省级和国家级外贸转型示范基

36、地，支持企业建设出口产品海外仓。加大国际化招商引资力度，引进一批重大外资项目。支持优势企业面向国际市场、提升竞争能力，深度参与“一带一路”等投资合作，提升“走出去”规模和水平。支持外向型企业布局国内销售网络，加强渠道和品牌建设，推动内外销产品同线同标同质，促进内贸外贸、线上线下一体融合。第四章 建筑工程说明一、 项目工程设计总体要求（一）设计依据1、根据中国地震动参数区划图（GB18306-2015），拟建项目所在地区地震烈度为7度，本设计原料仓库一、罐区、流平剂车间、光亮剂车间、化学消光剂车间、固化剂车间抗震按8度设防，其他按7度设防。2、根据拟建建构筑物用材料情况，所用材料当地都能解决。特

37、殊建材（如：隔热、防水、耐腐蚀材料）也可根据需要就地采购。3、施工过程中需要的的运输、吊装机械等均可在当地解决，可以满足施工、设计要求。4、当地建筑标准和技术规范5、在设计中尽量优先选用当地地方标准图集和技术规定，以及省标、国标等，因地制宜、方便施工。（二）建筑设计的原则1、应遵守国家现行标准、规范和规程，确保工程安全可靠、经济合理、技术先进、美观实用。2、建筑设计应充分考虑当地的自然条件，因地制宜，积极结合当地的材料、构件供应和施工条件，采用新技术、新材料、新结构。建筑风格力求统一协调。3、在平面布置、空间处理、构造措施、材料选用等方面，应根据工程特点满足防火、防爆、防腐蚀、防震、防噪音等要

38、求。二、 建设方案主要厂房在满足工艺使用要求，满足防火、通风、采光要求的前提下，力求做到布置紧凑、节省用地。车间立面造型简洁明快，体现现代化企业的建筑特色。屋面防水、保温尽可能采用质量较高、性能可靠的新型建筑材料。本项目中主要生产车间及仓库均为钢结构，次建筑为砖混结构。考虑当地地震带的分布，工程设计中将加强建筑物抗震结构措施，以增强建筑物的抗震能力。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积43507.25，其中：生产工程28728.17，仓储工程6168.64，行政办公及生活服务设施5002.34，公共工程3608.10。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生

39、产工程8255.2228728.173818.291.11#生产车间2476.578618.451145.491.22#生产车间2063.807182.04954.571.33#生产车间1981.256894.76916.391.44#生产车间1733.606032.92801.842仓储工程3131.296168.64636.642.11#仓库939.391850.59190.992.22#仓库782.821542.16159.162.33#仓库751.511480.47152.792.44#仓库657.571295.41133.693办公生活配套956.475002.34747.113.1

40、行政办公楼621.713251.52485.623.2宿舍及食堂334.761750.82261.494公共工程1850.313608.10406.96辅助用房等5绿化工程3747.2863.38绿化率16.06%6其他工程5352.5912.667合计23333.0043507.255685.04第五章 项目选址可行性分析一、 项目选址原则节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地；应充分利用天然地形，选择土地综合利用率高、征地费用少的场址。二、 建设区基本情况安庆，安徽省辖地级市，是长江三角洲中心区27城之一，位于安徽省西南部，长江下游北岸，皖河入江处，西接湖北，

41、南邻江西，西北靠大别山主峰，东南倚黄山余脉，总面积13589.99平方千米，其中市区面积821平方千米。截至2020年11月，全市下辖3个区、5个县、代管2个县级市。东周时期安庆是古皖国所在地，安徽省简称“皖”即由此而来。南宋绍兴十七年（1147年），改舒州德庆军为舒州安庆军，“安庆”自此得名，安庆城始建于嘉定十年（1217年）。东晋诗人郭璞曾称“此地宜城”，故安庆又别名“宜城”。安庆是国家级历史文化名城，素有“文化之邦”、“戏剧之乡”、“禅宗圣地”的美誉，是“桐城派”的故里，京剧鼻祖徽班成长的摇篮，是黄梅戏形成和发展的地方，也是中国新文化运动先驱陈独秀、“两弹元勋”邓稼先、通俗小说大师张恨水

42、等人的故乡。古皖文化、禅宗文化、戏剧文化和桐城派文化在这里交相辉映，形成了独具特色的安庆文化。清咸丰十一年（1861年）曾国藩创办的安庆内军械所，制造了中国第一台蒸汽机和第一艘机动船。2019年12月，长江三角洲区域一体化发展规划纲要将安庆定位为长三角区域重点城市。当今世界正经历百年未有之大变局，新冠肺炎疫情全球大流行使这个大变局加速演变，国际环境日趋复杂，不稳定不确定性明显增加。我国进入新发展阶段，安庆仍处于重要战略机遇期，但机遇和挑战都有新的发展变化。全球产业链供应链加速调整重构，有利于我市依托多层次产业承接平台，吸引国内外资本和产业布局，加快建设现代产业体系；国家加快构建以国内大循环为主

43、体、国内国际双循环相互促进的新发展格局，有利于我市发挥交通枢纽、市场腹地、人力资源、生态环境优势，推进以人为核心的新型城镇化，激发内需潜力，打造商品和要素循环畅通的战略链接；国家大力推进长三角一体化发展、共建“一带一路”、长江经济带发展、促进中部地区加快崛起，有利于我市发挥左右逢源、左右逢“群”双优势，加快国家重大战略叠加效应集中释放，在新一轮高水平对外开放和区域合作中提升发展位势。同时，我市发展不平衡不充分问题仍然突出，推进工业化、城镇化任务依然艰巨，科技创新短板亟待补齐，营商环境改善还需加力，生态环境保护任重道远，公共服务供给与群众期待还有差距，社会治理还有弱项，干部队伍贯彻新发展理念、构

44、建新发展格局能力水平还很不足。我们要胸怀两个大局，深刻认识新发展阶段带来的新方位新机遇，深刻认识社会主要矛盾变化带来的新特征新要求，深刻认识错综复杂的国际环境带来的新矛盾新挑战，对国之大者心中有数，增强机遇意识和风险意识，坚定必胜信心，保持战略定力，发扬斗争精神，树牢底线思维，准确识变、科学应变、主动求变，善于在危机中育先机、于变局中开新局，扎扎实实办好自己的事，全面开启现代化美好安庆建设新征程。展望二三五年，我市经济实力、科技实力、综合实力跨上新台阶，人均地区生产总值达到长三角平均水平，科技创新能力进入全省先进行列，建成全国重要的交通枢纽、长三角一体化发展的产业高地、服务国内国际双循环的消费

45、中心、践行长江大保护和绿水青山就是金山银山理念的生态样板、满足人民群众美好生活新期待的幸福家园；基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化“新四化”，建成现代化经济体系；治理体系和治理能力现代化实现新提升，人民平等参与、平等发展权利得到充分保障，基本建成法治安庆、法治政府、法治社会；国民素质和社会文明程度达到新高度，建成文化强市、教育强市、人才强市、体育强市、健康安庆，文化软实力显著增强；全面绿色转型树立新样板，广泛形成绿色生产生活方式，生态环境根本好转，美丽安庆建设目标基本实现；对外开放形成新格局，与沪苏浙一体化发展机制高效运转，基础设施和公共服务互联互通全面实现，现代化综合交通体系和现

46、代流通体系基本形成，参与国际国内经济合作和竞争新优势明显增强；协调发展实现新跨越，城市发展质量明显提高，常住人口城镇化率超过百分之七十，城乡区域发展差距和居民生活水平差距显著缩小，人民基本生活保障水平与长三角平均水平大体相当，基本公共服务实现均等化，中等收入群体显著扩大；平安安庆建设达到新水平，建成人人有责、人人尽责、人人享有的社会治理共同体；人民美好生活谱写新篇章，人的全面发展、全市人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。预计2020年地区生产总值达到2500亿元，比2015年净增1000亿元以上，人均地区生产总值达到8000美元；企业数量突破10万户，比2015年翻了一番以上。产业格局实现历史性变化。传统产业加速转型升级，新兴产业加速发展壮大，首位产业集群效应显著增强，以