成都关于成立碳化硅衬底公司可行性报告(模板范文).docx
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1、泓域咨询/成都关于成立碳化硅衬底公司可行性报告成都关于成立碳化硅衬底公司可行性报告xxx投资管理公司报告说明xxx投资管理公司主要由xxx(集团)有限公司和xx有限公司共同出资成立。其中:xxx(集团)有限公司出资648.00万元,占xxx投资管理公司45%股份;xx有限公司出资792万元,占xxx投资管理公司55%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资14409.19万元,其中:建设投资11200.35万元,占项目总投资的77.73%;建设期利息112.39万元,占项目总投资的0.78%;流动资金3096.45万元,占项目总投资的21.49%。项目正常运营每年营业收入27200.00万元,综合总
2、成本费用22323.86万元,净利润3562.97万元,财务内部收益率18.16%,财务净现值3069.11万元,全部投资回收期5.95年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告,2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿美元,受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动,预计2
3、025年将增长至25.62亿美元,复合年增长率约30%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 拟组建公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据9公司合并利润表主要数据9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据11六、 项目概况11第二章 项目建设背景及必要性分析15一、 宽禁带半导
4、体材料简介15二、 行业发展态势及面临的机遇17三、 加快建设改革开放新高地,塑造国际合作与竞争新优势19四、 加快推动成渝地区双城经济圈建设22五、 项目实施的必要性25第三章 行业发展分析26一、 碳化硅材料产业链26二、 碳化硅半导体行业的战略意义31第四章 公司成立方案33一、 公司经营宗旨33二、 公司的目标、主要职责33三、 公司组建方式34四、 公司管理体制34五、 部门职责及权限35六、 核心人员介绍39七、 财务会计制度41第五章 发展规划44一、 公司发展规划44二、 保障措施45第六章 法人治理48一、 股东权利及义务48二、 董事50三、 高级管理人员53四、 监事56
5、第七章 项目环保分析58一、 环境保护综述58二、 建设期大气环境影响分析59三、 建设期水环境影响分析61四、 建设期固体废弃物环境影响分析61五、 建设期声环境影响分析61六、 环境影响综合评价62第八章 项目风险评估63一、 项目风险分析63二、 项目风险对策65第九章 项目选址68一、 项目选址原则68二、 建设区基本情况68三、 培育比较优势突出的现代化开放型产业体系71四、 项目选址综合评价74第十章 投资估算及资金筹措75一、 编制说明75二、 建设投资75建筑工程投资一览表76主要设备购置一览表77建设投资估算表78三、 建设期利息79建设期利息估算表79固定资产投资估算表80
6、四、 流动资金81流动资金估算表82五、 项目总投资83总投资及构成一览表83六、 资金筹措与投资计划84项目投资计划与资金筹措一览表84第十一章 项目实施进度计划86一、 项目进度安排86项目实施进度计划一览表86二、 项目实施保障措施87第十二章 项目经济效益88一、 经济评价财务测算88营业收入、税金及附加和增值税估算表88综合总成本费用估算表89固定资产折旧费估算表90无形资产和其他资产摊销估算表91利润及利润分配表93二、 项目盈利能力分析93项目投资现金流量表95三、 偿债能力分析96借款还本付息计划表97第十三章 总结分析99第十四章 附表附录101主要经济指标一览表101建设投
7、资估算表102建设期利息估算表103固定资产投资估算表104流动资金估算表105总投资及构成一览表106项目投资计划与资金筹措一览表107营业收入、税金及附加和增值税估算表108综合总成本费用估算表108固定资产折旧费估算表109无形资产和其他资产摊销估算表110利润及利润分配表111项目投资现金流量表112借款还本付息计划表113建筑工程投资一览表114项目实施进度计划一览表115主要设备购置一览表116能耗分析一览表116第一章 拟组建公司基本信息一、 公司名称xxx投资管理公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本1440万元三、 注册地址成都xxx四、 主要经营范围经营范围:从事碳化硅衬
8、底相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xxx投资管理公司主要由xxx(集团)有限公司和xx有限公司发起成立。(一)xxx(集团)有限公司基本情况1、公司简介经过多年的发展,公司拥有雄厚的技术实力,丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系,综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今,始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进,以技术领先求发展的方针。公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”
9、六位一体合作共赢的市场战略,以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召,融入各级城市的建设与发展,在商业模式思路上领先业界,对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额5246.944197.553935.20负债总额3049.792439.832287.34股东权益合计2197.151757.721647.86公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入15619.5312495.6211714.65营业利润3161.902529.522371.43利润总额2947.2
10、32357.782210.42净利润2210.421724.131591.50归属于母公司所有者的净利润2210.421724.131591.50(二)xx有限公司基本情况1、公司简介公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念,以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念,倡导“诚信尊重”的企业情怀;坚持“品质营造未来,细节决定成败”为质量方针;以“真诚服务赢得市场,以优质品质谋求发展”的营销思路;以科学发展观纵观全局,争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 2、主要
11、财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额5246.944197.553935.20负债总额3049.792439.832287.34股东权益合计2197.151757.721647.86公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入15619.5312495.6211714.65营业利润3161.902529.522371.43利润总额2947.232357.782210.42净利润2210.421724.131591.50归属于母公司所有者的净利润2210.421724.131591.50六、 项目概况(一)投资路
12、径xxx投资管理公司主要从事关于成立碳化硅衬底公司的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段,相比硅和砷化镓等半导体而言,在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外,由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度,下游制造环节对设备的要求相对较低,投资额相对较小,制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此,我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破,将有望在半导体行业实现换道超车。有机衔接新时代成都“三步走”战略目标,力争到2035年,高水平实现社会主义现代化,创新型城市建设进入世界先进行列,成
13、为美丽中国建设实践范例,世界文化名城影响力显著提升。基本公共服务、基础设施、人民生活达到东部地区水平,共同富裕走在全国前列,超大城市治理体系和治理能力现代化基本实现,成为具有国际影响力的活跃增长极和强劲动力源,全面建成践行新发展理念的公园城市示范区、泛欧泛亚有重要影响力的国际门户枢纽城市。到2050年,建成泛欧泛亚区域性的经济中心、科技创新中心、金融中心、贸易中心、文化中心,成为创新驱动、全龄友好、生活富裕、生态宜居的公园城市样板,全面建成社会主义现代化新天府,成为充分体现中国特色、时代特征、成都特质的可持续发展世界城市。(三)项目选址项目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约30.0
14、0亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xxx吨碳化硅衬底的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积41190.91,其中:生产工程25466.40,仓储工程8673.60,行政办公及生活服务设施3808.51,公共工程3242.40。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资14409.19万元,其中:建设投资11200.35万元,占项目总投资的77.73%;建设期利息112.39万元,占项目总投资的0.78%;流动资金3096.45万元,占项目总投资的21.49%。(七)经济效益(正常经营年
15、份)1、营业收入(SP):27200.00万元。2、综合总成本费用(TC):22323.86万元。3、净利润(NP):3562.97万元。4、全部投资回收期(Pt):5.95年。5、财务内部收益率:18.16%。6、财务净现值:3069.11万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划12个月。(九)项目综合评价综上所述,本项目能够充分利用现有设施,属于投资合理、见效快、回报高项目;拟建项目交通条件好;供电供水条件好,因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想,有利于行业结构调整。第二章 项目建设背景及必要性分析一、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元
16、素半导体及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看,上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表,其典型应用是集成电路,主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表,砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙,故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能,因此被广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料
17、是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。值得注意的是,前述三代半导体材料各有利弊,并无绝对的替代关系,而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业:新材料(第三代半导体材料),与硅相比,碳化硅拥有更为优越的电气特性:耐高压:击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电
18、流密度,并大大降低器件的导通损耗。耐高温:半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化。实现高频的性能:碳化硅的饱和电子漂移速率大,是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性,碳化
19、硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用:在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器;在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域;氮化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。二、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛,全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电
20、网等行业的应用,碳化硅器件市场需求迅速增长,全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给,满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求,各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展,产业链的景气程度有望持续向好,碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低,行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比,虽
21、然碳化硅基器件价格仍然较高,但是由于其优越的性能及价格持续走低,其综合成本优势逐渐显现,客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本:在衬底方面,通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等,共同推动碳化硅衬底成本的降低;在制造方面,随着市场的开启,各大器件供应商扩产制造,随着规模扩大和制造技术不断成熟,也带来制造成本的降低;在市场方面,主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定,供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降,其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护,自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用
22、途使得国外对中国实行技术禁运和封锁,国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程,为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域,下游应用企业已在调整供应链,支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会,进入了多个关键厂商供应链,逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月,国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策,提出聚焦高端芯片、集成电路装备
23、等关键核心技术研发,在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设;2021年3月,十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要,提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外,上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机,有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。三、 加快建设改革开放新高地,塑造国际合作与竞争新优势推动有效市场和有为政府更好结合,破除深层次体制机制障碍,率先开展更深层次改革、实行更高水平开放,在更高层次更大范围更宽领域参与国际
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