昆山关于成立碳化硅衬底公司可行性报告(模板).docx
《昆山关于成立碳化硅衬底公司可行性报告(模板).docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《昆山关于成立碳化硅衬底公司可行性报告(模板).docx(115页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/昆山关于成立碳化硅衬底公司可行性报告昆山关于成立碳化硅衬底公司可行性报告xxx投资管理公司报告说明全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段,相比硅和砷化镓等半导体而言,在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外,由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度,下游制造环节对设备的要求相对较低,投资额相对较小,制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此,我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破,将有望在半导体行业实现换道超车。xxx投资管理公司主要由xxx(集团)有限公司和xx集团有限公司共同出资成立。其中:xxx(集团)有
2、限公司出资153.00万元,占xxx投资管理公司15%股份;xx集团有限公司出资867万元,占xxx投资管理公司85%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资50968.32万元,其中:建设投资38953.00万元,占项目总投资的76.43%;建设期利息822.33万元,占项目总投资的1.61%;流动资金11192.99万元,占项目总投资的21.96%。项目正常运营每年营业收入106300.00万元,综合总成本费用83879.11万元,净利润16409.02万元,财务内部收益率24.13%,财务净现值19522.93万元,全部投资回收期5.70年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投
3、资回收期合理。该项目符合国家有关政策,建设有着较好的社会效益,建设单位为此做了大量工作,建议各有关部门给予大力支持,使其早日建成发挥效益。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 拟成立公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营范围9五、 主要股东9公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11公司合并资产负债表主要数据12公司合并利润表主要数据12六、 项目概况13第二章 行业发展分析16一、 行业发展态势及面临的
4、机遇16二、 宽禁带半导体材料简介18第三章 公司成立方案21一、 公司经营宗旨21二、 公司的目标、主要职责21三、 公司组建方式22四、 公司管理体制22五、 部门职责及权限23六、 核心人员介绍27七、 财务会计制度28第四章 项目投资背景分析34一、 半导体材料行业概述34二、 碳化硅衬底类型34三、 碳化硅半导体行业的战略意义35四、 争取重点领域改革纵深突破36五、 项目实施的必要性37第五章 发展规划分析39一、 公司发展规划39二、 保障措施40第六章 法人治理42一、 股东权利及义务42二、 董事45三、 高级管理人员50四、 监事53第七章 环境保护方案55一、 环境保护综
5、述55二、 建设期大气环境影响分析55三、 建设期水环境影响分析56四、 建设期固体废弃物环境影响分析57五、 建设期声环境影响分析57六、 环境影响综合评价58第八章 风险评估分析59一、 项目风险分析59二、 公司竞争劣势64第九章 选址可行性分析65一、 项目选址原则65二、 建设区基本情况65三、 全面提升产业自主可控能力71四、 项目选址综合评价73第十章 建设进度分析74一、 项目进度安排74项目实施进度计划一览表74二、 项目实施保障措施75第十一章 投资计划方案76一、 编制说明76二、 建设投资76建筑工程投资一览表77主要设备购置一览表78建设投资估算表79三、 建设期利息
6、80建设期利息估算表80固定资产投资估算表81四、 流动资金82流动资金估算表83五、 项目总投资84总投资及构成一览表84六、 资金筹措与投资计划85项目投资计划与资金筹措一览表85第十二章 经济效益分析87一、 经济评价财务测算87营业收入、税金及附加和增值税估算表87综合总成本费用估算表88固定资产折旧费估算表89无形资产和其他资产摊销估算表90利润及利润分配表92二、 项目盈利能力分析92项目投资现金流量表94三、 偿债能力分析95借款还本付息计划表96第十三章 总结说明98第十四章 补充表格99主要经济指标一览表99建设投资估算表100建设期利息估算表101固定资产投资估算表102流
7、动资金估算表103总投资及构成一览表104项目投资计划与资金筹措一览表105营业收入、税金及附加和增值税估算表106综合总成本费用估算表106固定资产折旧费估算表107无形资产和其他资产摊销估算表108利润及利润分配表109项目投资现金流量表110借款还本付息计划表111建筑工程投资一览表112项目实施进度计划一览表113主要设备购置一览表114能耗分析一览表114第一章 拟成立公司基本信息一、 公司名称xxx投资管理公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本1020万元三、 注册地址昆山xxx四、 主要经营范围经营范围:从事碳化硅衬底相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批
8、准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xxx投资管理公司主要由xxx(集团)有限公司和xx集团有限公司发起成立。(一)xxx(集团)有限公司基本情况1、公司简介公司满怀信心,发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越,回报社会” 的企业宗旨,以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。当前,国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看,世界经济深度调整、复苏乏力,外部环境的不稳定不确定因素增加,中小企业外贸形势依然严峻,出口增长放缓。从国内看,发展阶段的转变使经济发展进入新常态,
9、经济增速从高速增长转向中高速增长,经济增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长,经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱动为主。新常态对经济发展带来新挑战,企业遇到的困难和问题尤为突出。面对国际国内经济发展新环境,公司依然面临着较大的经营压力,资本、土地等要素成本持续维持高位。公司发展面临挑战的同时,也面临着重大机遇。随着改革的深化,新型工业化、城镇化、信息化、农业现代化的推进,以及“大众创业、万众创新”、中国制造2025、“互联网+”、“一带一路”等重大战略举措的加速实施,企业发展基本面向好的势头更加巩固。公司将把握国内外发展形势,利用好国际国内两个市场、两种资源,抓住发展机遇,转
10、变发展方式,提高发展质量,依靠创业创新开辟发展新路径,赢得发展主动权,实现发展新突破。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额16183.5912946.8712137.69负债总额8767.747014.196575.81股东权益合计7415.855932.685561.89公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入71601.1057280.8853700.83营业利润16798.8313439.0612599.12利润总额15563.2312450.5811672.42净利润11672.429104
11、.498404.14归属于母公司所有者的净利润11672.429104.498404.14(二)xx集团有限公司基本情况1、公司简介公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障,坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念,确立了合规管理的战略定位,进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查,加强合规风险防控,确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求,重点领域合规管理不断强化,各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立,广大员工合规意识普遍增强,合规文化氛围更加浓厚。面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态,公司在企业法人治理
12、机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索,提升企业综合实力,配合产业供给侧结构改革。同时,公司注重履行社会责任所带来的发展机遇,积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来,公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额16183.5912946.8712137.69负债总额8767.747014.196575.81股东权益合计7415.855932.685561.89公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入71601.1057280.8853700.83营业
13、利润16798.8313439.0612599.12利润总额15563.2312450.5811672.42净利润11672.429104.498404.14归属于母公司所有者的净利润11672.429104.498404.14六、 项目概况(一)投资路径xxx投资管理公司主要从事关于成立碳化硅衬底公司的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣,为使材料能满足不同芯片的功能要求,需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为两类:根据工信部发布的重点新材料首批次应用示范指导目录(2019年版),一类是具有高电阻率(电阻率105c
14、m)的半绝缘型碳化硅衬底,另一类是低电阻率(电阻率区间为1530mcm)的导电型碳化硅衬底。基本建成社会主义现代化大城市,打造在长三角城市群中具有鲜明特色和影响力的开放创新之城、智慧生态之城、人文魅力之城、和谐幸福之城,综合竞争力、经济创新力和文化软实力大幅跃升,人均地区生产总值、人均可支配收入在2020年的基础上实现翻一番以上,人民群众过上现代化高品质生活,成为“强富美高”新江苏建设的样板区、我国建设社会主义现代化强国的县域范例。率先基本建成体现高质量发展要求的现代化经济体系,率先基本形成共同富裕的民生发展格局,率先基本实现人与自然和谐共生的绿色低碳发展,率先基本实现县域治理体系和治理能力现
15、代化。(三)项目选址项目选址位于xxx(以最终选址方案为准),占地面积约96.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xx吨碳化硅衬底的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积107061.31,其中:生产工程69421.44,仓储工程17422.85,行政办公及生活服务设施10914.62,公共工程9302.40。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资50968.32万元,其中:建设投资38953.00万元,占项目总投资的76.43%;建设期利息822.33万元,占项目总投资的1.61%
16、;流动资金11192.99万元,占项目总投资的21.96%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):106300.00万元。2、综合总成本费用(TC):83879.11万元。3、净利润(NP):16409.02万元。4、全部投资回收期(Pt):5.70年。5、财务内部收益率:24.13%。6、财务净现值:19522.93万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划24个月。(九)项目综合评价项目产品应用领域广泛,市场发展空间大。本项目的建立投资合理,回收快,市场销售好,无环境污染,经济效益和社会效益良好,这也奠定了公司可持续发展的基础。第二章 行业发展分析一、 行业发展态势及面临的机遇
17、1、碳化硅市场需求旺盛,全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用,碳化硅器件市场需求迅速增长,全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给,满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求,各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展,产业链的景气程度有望持续向好,碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化
18、硅器件成本降低,行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比,虽然碳化硅基器件价格仍然较高,但是由于其优越的性能及价格持续走低,其综合成本优势逐渐显现,客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本:在衬底方面,通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等,共同推动碳化硅衬底成本的降低;在制造方面,随着市场的开启,各大器件供应商扩产制造,随着规模扩大和制造技术不断成熟,也带来制造成本的降低;在市场方面,主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定,供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降,其
19、行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护,自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁,国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程,为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域,下游应用企业已在调整供应链,支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会,进入了多个关键厂商供应链,逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020
20、年8月,国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策,提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发,在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设;2021年3月,十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要,提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外,上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机,有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。二、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体及
21、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看,上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表,其典型应用是集成电路,主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表,砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙,故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能,因此被广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化
22、硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。值得注意的是,前述三代半导体材料各有利弊,并无绝对的替代关系,而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业:新材料(第三代半导体材料),与硅相比,碳化硅拥有更为优越的电气特性:耐高压:击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并
23、大大降低器件的导通损耗。耐高温:半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化。实现高频的性能:碳化硅的饱和电子漂移速率大,是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性,碳化硅衬底的使
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 昆山 关于 成立 碳化硅 衬底 公司 可行性报告 模板
限制150内