昆山碳化硅衬底项目建议书_参考模板.docx

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1、泓域咨询/昆山碳化硅衬底项目建议书目录第一章 项目概述7一、 项目名称及投资人7二、 编制原则7三、 编制依据7四、 编制范围及内容8五、 项目建设背景9六、 结论分析10主要经济指标一览表12第二章 项目背景分析14一、 碳化硅半导体行业的战略意义14二、 半导体材料行业概述15三、 争取重点领域改革纵深突破15四、 全面构筑现代化高品质城市17第三章 行业、市场分析20一、 行业发展态势及面临的机遇20二、 碳化硅材料产业链22第四章 建设单位基本情况28一、 公司基本信息28二、 公司简介28三、 公司竞争优势29四、 公司主要财务数据30公司合并资产负债表主要数据30公司合并利润表主要

2、数据31五、 核心人员介绍31六、 经营宗旨33七、 公司发展规划33第五章 项目选址方案38一、 项目选址原则38二、 建设区基本情况38三、 培育形成四大地标产业链群43四、 全面提升产业自主可控能力45五、 项目选址综合评价47第六章 建筑工程方案48一、 项目工程设计总体要求48二、 建设方案49三、 建筑工程建设指标50建筑工程投资一览表50第七章 运营模式分析52一、 公司经营宗旨52二、 公司的目标、主要职责52三、 各部门职责及权限53四、 财务会计制度56第八章 SWOT分析说明63一、 优势分析（S）63二、 劣势分析（W）64三、 机会分析（O）65四、 威胁分析（T）6

3、6第九章 进度规划方案74一、 项目进度安排74项目实施进度计划一览表74二、 项目实施保障措施75第十章 人力资源配置分析76一、 人力资源配置76劳动定员一览表76二、 员工技能培训76第十一章 节能方案78一、 项目节能概述78二、 能源消费种类和数量分析79能耗分析一览表80三、 项目节能措施80四、 节能综合评价81第十二章 项目环境影响分析83一、 编制依据83二、 环境影响合理性分析83三、 建设期大气环境影响分析85四、 建设期水环境影响分析88五、 建设期固体废弃物环境影响分析88六、 建设期声环境影响分析88七、 建设期生态环境影响分析90八、 清洁生产91九、 环境管理分

4、析92十、 环境影响结论96十一、 环境影响建议96第十三章 项目投资计划97一、 投资估算的依据和说明97二、 建设投资估算98建设投资估算表102三、 建设期利息102建设期利息估算表102固定资产投资估算表104四、 流动资金104流动资金估算表105五、 项目总投资106总投资及构成一览表106六、 资金筹措与投资计划107项目投资计划与资金筹措一览表107第十四章 项目经济效益109一、 经济评价财务测算109营业收入、税金及附加和增值税估算表109综合总成本费用估算表110固定资产折旧费估算表111无形资产和其他资产摊销估算表112利润及利润分配表114二、 项目盈利能力分析114

5、项目投资现金流量表116三、 偿债能力分析117借款还本付息计划表118第十五章 风险评估分析120一、 项目风险分析120二、 项目风险对策122第十六章 项目综合评价说明125第十七章 附表附录127营业收入、税金及附加和增值税估算表127综合总成本费用估算表127固定资产折旧费估算表128无形资产和其他资产摊销估算表129利润及利润分配表130项目投资现金流量表131借款还本付息计划表132建设投资估算表133建设投资估算表133建设期利息估算表134固定资产投资估算表135流动资金估算表136总投资及构成一览表137项目投资计划与资金筹措一览表138第一章 项目概述一、 项目名称及投资

6、人（一）项目名称昆山碳化硅衬底项目（二）项目投资人xx有限责任公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（待定）。二、 编制原则1、立足于本地区产业发展的客观条件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，提高企业经济效益和社会效益，实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。三、 编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要；2、中国制造2025；3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。四、 编制范围及内容投资必要性：主要根据市场调查及分析预测的结果，以及有关的产业政

7、策等因素，论证项目投资建设的必要性；技术的可行性：主要从事项目实施的技术角度，合理设计技术方案，并进行比选和评价；财务可行性：主要从项目及投资者的角度,设计合理财务方案,从企业理财的角度进行资本预算，评价项目的财务盈利能力，进行投资决策，并从融资主体的角度评价股东投资收益、现金流量计划及债务清偿能力；组织可行性：制定合理的项目实施进度计划、设计合理组织机构、选择经验丰富的管理人员、建立良好的协作关系、制定合适的培训计划等，保证项目顺利执行；经济可行性：主要是从资源配置的角度衡量项目的价值，评价项目在实现区域经济发展目标、有效配置经济资源、增加供应、创造就业、改善环境、提高人民生活等方面的效益；

8、风险因素及对策：主要是对项目的市场风险、技术风险、财务风险、组织风险、法律风险、经济及社会风险等因素进行评价，制定规避风险的对策，为项目全过程的风险管理提供依据。五、 项目建设背景半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节，半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。“十四五”时期，昆山将以“产业科创构筑新优势、现代城市支撑新跨越”为主线，明确“1+4”城市功能定位：“1”就是全力打造“社会主义现代化建设标杆城市”总定位；“4”就是构筑新高地、桥

9、头堡、样板区、宜居城等四大功能矩阵。一是产业科创新高地。围绕建设国家一流产业科创中心，依托“一廊一园一港”科创载体，打造上海等先进城市的技术中试制造基地。加快引进国字号实验室、大科学装置和顶尖研发团队，健全创新孵化体系和梯队型平台型创新企业集群，构筑具有昆山特色的产业科创基地和规模级产业链条，推动昆山从制造之城转型为科创之城。二是临沪对台桥头堡。把握长三角一体化发展国家战略机遇，积极对接长三角生态绿色一体化发展示范区，推进锦淀周一体化发展，打造一体化发展示范区协调区、虹桥商务区配套合作区。深化昆山试验区和昆山金改区建设，以产业、金融合作为重点，探索两岸融合发展新路。三是现代治理样板区。坚持统筹

10、发展和安全，围绕推进治理体系和治理能力现代化，探索开展县域集成改革，构建更加完善的现代市场体系、应急管理体系、公共卫生体系、绿色发展体系和综合治理体系，打造安全发展样板城市，全面提高区域治理的科学化、精细化、法治化、智能化水平，形成高水平县域治理“昆山方案”。四是江南美丽宜居城。以满足人民对美好生活需求为目标，聚焦昆山江南水乡特质和“大美昆曲、大好昆山”城市品牌，同步规划建设链接沪苏两大都市圈的基础设施、公共服务和跨区治理体系，完善生态文明领域统筹协调机制，积极谋划国际范、智慧化、低碳型的新城市框架，成为长三角产城人文深度融合、美丽幸福宜居的节点城市。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位

11、于xx（待定），占地面积约41.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xx吨碳化硅衬底的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资16140.67万元，其中：建设投资12617.55万元，占项目总投资的78.17%；建设期利息124.38万元，占项目总投资的0.77%；流动资金3398.74万元，占项目总投资的21.06%。（五）资金筹措项目总投资16140.67万元，根据资金筹措方案，xx有限责任公司计划自筹资金（资本金）11063.92万元。根据谨慎财务测算，本期

12、工程项目申请银行借款总额5076.75万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：34900.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：28923.84万元。3、项目达产年净利润（NP）：4361.79万元。4、财务内部收益率（FIRR）：19.47%。5、全部投资回收期（Pt）：5.80年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：15152.82万元（产值）。（七）社会效益通过分析，该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构，改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级

13、发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积27333.00约41.00亩1.1总建筑面积40046.471.2基底面积15853.141.3投资强度万元/亩300.212总投资万元16140.672.1建设投资万元12617.552.1.1工程费用万元11292.872.1.2其他费用万元1000.462.1.3预备费万元324.222.2建设期利息万元124.382.3流动资金万元3398.743资金筹措万元16140.673.1自筹资

14、金万元11063.923.2银行贷款万元5076.754营业收入万元34900.00正常运营年份5总成本费用万元28923.846利润总额万元5815.727净利润万元4361.798所得税万元1453.939增值税万元1336.9310税金及附加万元160.4411纳税总额万元2951.3012工业增加值万元9962.9113盈亏平衡点万元15152.82产值14回收期年5.8015内部收益率19.47%所得税后16财务净现值万元6265.79所得税后第二章 项目背景分析一、 碳化硅半导体行业的战略意义碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功

15、率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前，碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段

16、，相比硅和砷化镓等半导体而言，在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外，由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此，我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。二、 半导体材料行业概述半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体。半导体可以分为四类产品，分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。半导体是电子产品的核心，是信息

17、产业的基石，亦被称为现代工业的“粮食”。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、电力电子、医疗电子、工业电子、军工航天等行业。半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节，半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。三、 争取重点领域改革纵深突破围绕激发昆山创新转型动力和活力，坚持市场化改革方向，深化推进政府“放管服”改革、开发区管理体制改革、投融资体制改革和土地利用制度改革，鼓励扶持民营经济发展，推动各项改革更加完善，全面优化昆山营商环境，形成良好

18、的内外发展格局。（一）一是打造一流营商环境打造高效便捷的政务环境，深化“不见面审批”改革，持续打造营商环境“昆山方案”升级版，持续开展模式创新、审批提速。激发市场主体活力，持续降低企业交易成本，确保各项惠企政策直达市场主体，营造公平公正高效的市场环境。提升公共资源交易服务水平，促进交易活动更加规范有序。重视民营企业、中小微企业和个体工商户发展，整合各类融资政策，强化普惠金融服务，支持实体经济发展。（二）深化行政管理体制改革推进行政管理体制改革，加快设立昆山试验区管理机构，推动建立试验区与行政区一体化治理模式。深化中心城区管理体制改革，厘清权责关系，提升行政管理能力。实质化运作旅游度假区，实现对

19、锦淀周一体化统筹管理。深化开发区管理体制改革，探索建立重点园区与重点镇工业集中区协作托管机制。建立健全现代财政管理制度，深入推进预算管理制度改革，不断提升财政资源配置效率和资金使用效益。（三）深化土地利用制度改革深化自然资源管理综合改革，实施国土空间四大工程，构建国土空间开发保护新格局。落实科创产业用地政策，推出城市更新一二级联动开发、多宗地混合出让、多功能复合出让等创新举措，探索重大项目供地精准定制，统筹低效闲置土地精准盘活。（四）深化投融资体制改革扩大产业发展引导基金规模，联合社会资本、龙头企业，打造新兴产业投资基金集群。对接市场发展直接融资，用好注册制改革红利，鼓励更多企业利用多层次资本

20、市场做大做强。大力拓展债券融资，解决重大基础设施项目融资难题。积极开展资产证券化、REITs和类REITs试点探索，有效拓展基础设施建设的融资渠道和社会资本的投资渠道。四、 全面构筑现代化高品质城市围绕全面提升城市品质和服务功能，优化全域空间布局，推进产城深度融合，高标准打造智慧城市、便捷城市、韧性城市和开放城市，全面提高城市智慧化、精细化、国际化水平，聚力打造文明宜居现代化大城市。（一）优化全域空间布局实施城市集中建设区、西部阳澄湖片区、南部滨湖片区“三大片区”差异化空间布局：城市集中建设区进一步完善提升生产生活服务综合功能，增强城市综合竞争力与区域影响力；西部阳澄湖片区发挥自然生态资源、传

21、统文化资源等综合优势，突出旅游度假职能；南部滨湖片区以保障生态安全、保护传统文化为核心任务，大力发展旅游度假产业，带动文创、健康等关联产业发展。同时，优化形成城市集中建设区“一核两翼三区”的空间布局：城市核心区进一步提升行政中心、文化中心、商业中心职能，扩大对周边区域的辐射力和影响力；西部副城（高新区）承担科技研发、高等教育、文体行政等职能；东部副城（开发区）承担经济中心、金融中心等职能。（二）打造泛在互联的智慧城市加快实施新一代网络基础设施建设，逐步构建未来型智慧城市和智慧社区。推动数据资源开放共享，加快建设数字政府、数字城市。提升城市智慧治理水平，完善提升城市大脑安全管控指挥中心功能，大力

22、推进城市安全、城市管理、交通出行、安全生产、环境保护等大数据平台建设，构建覆盖城乡的数字化便民服务网络。（三）构建内畅外联的便捷城市打造现代综合交通体系，围绕长三角交通一体化，融入沪苏铁路都市圈同城化通勤建设。加快建设轨道交通S1线，谋划推进轨道K1线、苏州轨交9号线昆山段规划建设。大力推进路网连接工程，打通市域对外干线通道，强化毗邻地区道路互联互通，完善内部道路布局，加快推进外环快速通道建设。大力推进公交优先发展，打造现代化便捷公共交通系统。完善公共自行车布局，建设智慧停车管理平台，缓解中心城区交通出行压力。（四）建设多维空间的韧性城市健全新型市政设施网络，加快新型基础设施建设，完善无障碍设

23、施建设，系统化全域推进海绵城市建设。加强区域供排水保障互联互通，提升城乡防洪排涝和污水收集处理能力。加快区域电网建设，提高区域电力交换和保障供应能力。加强地铁上盖开发，加大地下空间的开发利用，推进地下廊道共用和综合管廊建设，培育城市弹性。（五）构筑青春活力的开放城市推进国际化公共服务配套设施建设，探索适度布局国际化街区和社区网络。高水平举办国际一流会展活动，打造中外合作交流品牌。推动国际资源进入基本公共服务领域，探索构建与国际接轨的医疗服务和保障体系。健全外籍人士权益保障机制，积极发展国际友城关系，提高城市国际知名度。第三章 行业、市场分析一、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛，

24、全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用，碳化硅器件市场需求迅速增长，全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给，满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求，各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展，产业链的景气程度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低，行业应用

25、的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比，虽然碳化硅基器件价格仍然较高，但是由于其优越的性能及价格持续走低，其综合成本优势逐渐显现，客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本：在衬底方面，通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等，共同推动碳化硅衬底成本的降低；在制造方面，随着市场的开启，各大器件供应商扩产制造，随着规模扩大和制造技术不断成熟，也带来制造成本的降低；在市场方面，主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定，供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。3、

26、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护，自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁，国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程，为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域，下游应用企业已在调整供应链，支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会，进入了多个关键厂商供应链，逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月，国务院印发新时期

27、促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策，提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发，在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设；2021年3月，十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要，提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外，上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机，有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。二、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生

28、长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在

29、无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源

30、相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟，且碳化

31、硅衬底导热性好，适合于大功率应用，同时衬底电阻率高降低了射频损耗，因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告，90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。（2）主要应用领域的发展情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流

32、选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。根据Yole报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。3、导电型碳化硅衬底在功率器件上的应用（1）主要应用情况及其优势功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MO

33、SFET、IGBT等。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（2）主要应用领域的发展情况电动汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加，成

34、为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性，在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分，碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品，由于成本的原因，目前使用比例还相对较低，但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势，通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。目前，碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发

35、售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电动汽车的必然之选。光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更

36、高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率器件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告，2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿

37、美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。第四章 建设单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xx有限责任公司2、法定代表人：胡xx3、注册资本：1330万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2015-11-277、营业期限：2015-11-27至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅衬底相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容

38、开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的

39、优质产品及服务。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产

40、品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月

41、资产总额5755.004604.004316.25负债总额2060.291648.231545.22股东权益合计3694.712955.772771.03公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入20896.9016717.5215672.68营业利润4267.193413.753200.39利润总额3504.242803.392628.18净利润2628.182049.981892.29归属于母公司所有者的净利润2628.182049.981892.29五、 核心人员介绍1、胡xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月

42、至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。2、任xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。3、钱xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。4、郑xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任

43、公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。5、夏xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。6、朱xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。7、何xx，中国国籍，1976年出生，本科学历

44、。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。8、毛xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨凭借专业化、集约化的经营策略，发挥公司各方面的优势，创造良好的经济效益，为全体股东提供满意的经济回报。七、 公司发展规划（一）公司未来发展战略公司秉承“不断超

45、越、追求完美、诚信为本、创新为魂”的经营理念，贯彻“安全、现代、可靠、稳定”的核心价值观，为客户提供高性能、高品质、高技术含量的产品和服务，致力于发展成为行业内领先的供应商。未来公司将通过持续的研发投入和市场营销网络的建设进一步巩固公司在相关领域的领先地位，扩大市场份额；另一方面公司将紧密契合市场需求和技术发展方向进一步拓展公司产品类别，加大研发推广力度，进一步提升公司综合实力以及市场地位。（二）扩产计划经过多年的发展，公司在相关领域领域积累了丰富的生产经验和技术优势，随着公司业务规模逐年增长，产能瓶颈日益显现。因此，产能提升计划是实现公司整体发展战略的重要环节。公司将以全球行业持续发展及逐渐

46、向中国转移为依托，提高公司生产能力和生产效率，满足不断增长的客户需求，巩固并扩大公司在行业中的竞争优势，提高市场占有率和公司影响力。在产品拓展方面，公司计划在扩宽现有产品应用领域的同时，不断丰富产品类型，持续提升产品质量和附加值，保持公司产品在行业中的竞争地位。（三）技术研发计划公司未来将继续加大技术开发和自主创新力度，在现有技术研发资源的基础上完善技术中心功能，规范技术研究和产品开发流程，引进先进的设计、测试等软硬件设备，提高公司技术成果转化能力和产品开发效率，提升公司新产品开发能力和技术竞争实力，为公司的持续稳定发展提供源源不断的技术动力。公司将本着中长期规划和近期目标相结合、前瞻性技术研究和产品应用开发相结合的原则，以研发中心为平台，以市场为导向，进行技术开发和产品创新，健全和完善技术创新机制，从人、财、物和管理机制等方面确保公司的持续创新能力，努力实现公司新技术、新产品、新工艺的持续开发。（四）技术研发计划公司将