拓荆科技:拓荆科技首次公开发行股票并在科创板上市招股意向书.docx
《拓荆科技:拓荆科技首次公开发行股票并在科创板上市招股意向书.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《拓荆科技:拓荆科技首次公开发行股票并在科创板上市招股意向书.docx(346页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、拓荆科技股份有限公司 招股意向书 本次股票发行后拟在科创板市场上市,该市场具有较高的投资风险。科创板公司具有研发投入大、经营风险高、业绩不稳定、退市风险高等特点,投资者面临较大的市场风险。投资者应充分了解科创板市场的投资风险及本公司所披露的风险因素,审慎作出投资决定。 拓荆科技股份有限公司 (辽宁省沈阳市浑南区水家900号) 首次公开发行股票并在科创板上市招股意向书 保荐机构(主承销商) (深圳市福田区福田街道福华一路111号) 联席主承销商 (北京市西城区阜成门外大街29号1-9层) 发行人声明 中国证监会、交易所对本次发行所作的任何决定或意见,均不表明其对注册申请文件及所披露信息的真实性、
2、准确性、完整性作出保证,也不表明其对发行人的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保证。任何与之相反的声明均属虚假不实陈述。 根据证券法的规定,股票依法发行后,发行人经营与收益的变化,由发行人自行负责;投资者自主判断发行人的投资价值,自主作出投资决策,自行承担股票依法发行后因发行人经营与收益变化或者股票价格变动引致的投资风险。 发行人及全体董事、监事、高级管理人员承诺招股意向书及其他信息披露资料不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。 发行人第一大股东承诺本招股意向书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并对其真实性、准确性、完
3、整性承担个别和连带的法律责任。 公司负责人和主管会计工作的负责人、会计机构负责人保证招股意向书中财务会计资料真实、完整。 发行人及全体董事、监事、高级管理人员以及保荐人、承销的证券公司承诺因发行人招股意向书及其他信息披露资料有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,致使投资者在证券发行和交易中遭受损失的,将依法赔偿投资者损失。 保荐人及证券服务机构承诺因其为发行人本次公开发行制作、出具的文件有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,给投资者造成损失的,将依法赔偿投资者损失。 本次发行概览 发行股票类型 人民币普通股(A 股) 发行股数、股东公开发售股数(如有) 本次公开发行股票采用公开发行新股方式,公开发
4、行3,161.9800 万股,占发行后总股本的 25.00%。本次发行中,公司股东不进行公开发售股份。 每股面值 人民币 1.00 元 每股发行价格 人民币【 】元 预计发行日期 2022 年 4 月 8 日 拟上市的证券交易所和板块 上海证券交易所科创板 发行后总股本 12,647.8797 万股 保荐机构(主承销商) 招商证券股份有限公司 联席主承销商 国开证券股份有限公司 发行人高级管理人员、员工拟参与战略配售情况 2022 年 1 月 4 日,公司召开第一届董事会第七次会议,审议通过了关于公司高级管理人员及核心员工参与公司首次公开发行股票并在科创板上市战略配售的议案,同意公司高级管理人
5、员与核心员工设立专项资产管理计划并参与公司本次发行战略配售。2022 年 3 月 18 日,经发行人董事长授权签署了关于调整战略配售计划参与人员认购金额及比例的通知。前述资管计划参与战略配售数量为不超过本次公开发行规模的 10%,即 316.1980 万股,参与认购规模上限(含战略配售佣金)合计不超过 22,256.7750 万元。招商资管拓荆科技员工参与科创板战略配售集合资产管理计划承诺获得本次配售的股票持有期限为自发行人首次公开发行并上市之日起 12 个月。 保荐人相关子公司拟参与战略配售情况 保荐机构将安排子公司招商证券投资有限公司参与本次发行战略配售,初始跟投比例为本次公开发行股份的
6、5%,即 158.0990 万股,具体比例和金额将在 T-2 日确定发行价格后确定。招商证券投资有限公司本次跟投获配股票的限售期为 24 个月,限售期自本次公开发行的股票在上交所上市之日起开始计算。 招股意向书签署日 2022 年 3 月 29 日 重大事项提示 本重大事项提示仅对本公司特别事项及重大风险做扼要提示。投资者应认真阅读本招股意向书正文内容,对本公司做全面了解。 本公司特别提醒投资者注意以下事项: 一、重大风险因素 (一) 技术人员流失及无法持续引入高端技术人才的风险 公司所处的半导体专用设备行业属于技术密集型行业,涉及等离子体物理、射频及微波学、微观分子动力学、结构化学、光谱及能
7、谱学、真空机械传输等多种科学技术及工程领域学科知识的综合应用,高端技术人才是企业持续发展和保持竞争力的原动力。 近年来,国内半导体专用设备市场及晶圆制造需求不断增长,行业内人才竞争日益激烈,专业技术人才呈现严重短缺的情形。报告期各期,公司研发人员离职人数分别为19人、15人、22人和27人,研发人员离职率分别为13.10%、10.95%、13.02%和 12.50%,存在一定的研发人员流失风险。公司若无法持续为技术人才提供较优的薪酬待遇和发展平台,无法持续吸引全球高端技术人才,则将面临技术人才流失、储备不足的局面,并可能导致公司创新能力不足。 (二) 扣除非经常性损益后尚未盈利及持续亏损风险
8、报告期内,公司净利润分别为-10,322.29 万元、-1,936.64 万元、-1,169.99 万元及 5,704.87 万元,扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为 -14,993.05 万元、-6,246.63 万元、-5,711.62 万元和-2,305.21 万元。报告期内,公司扣除非经常性损益后尚未实现盈利,主要由于半导体设备行业技术含量高,研发投入大,产品验证周期长,公司需要持续进行了大量的研发投入。报告期内,公司研发费用分别为 10,797.31 万元、7,431.87 万元、12,278.18 万元和 12,955.63 万元,占各期营业收入的比例为 152.8
9、4%、29.58%、28.19%和 34.65%。研发费用金额较高和占营业收入的比例较大,是公司亏损主要原因。 报告期内,公司扣除非经常性损益后的亏损虽已逐年收窄,但如果未来发生市场竞争加剧、宏观经济和半导体产业的景气度下行、主要客户削减资本性支出预算、公司大幅增加研发投入或公司不能有效拓展客户等情形,将使公司面临一定的经营压力,公司未来一定期间内仍存在无法实现扣除非经常性损益后盈利的风险。 (三) 产品验收周期较长风险 晶圆制造属于高精密制造领域,对产线上各环节的良率要求极高,任何进入量产线的设备均需经过长时间工艺验证和产线联调联试。特别是对薄膜沉积设备而言,由于薄膜是芯片结构的功能材料层,
10、在芯片完成制造、封测等工序后会留存在芯片中,薄膜的技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标,还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后,对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试,以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此,晶圆厂对薄膜沉积设备所需要的验证时间相比其他半导体专用设备可能更长。 对于新客户的首台订单或新工艺订单设备,一般从前期的客户需求沟通、方案设计、样机试制、场内工艺测试与调优到客户端样机安装调试、工艺验证到最后的工艺验证和产品验收通过,整个流程可能需要 6-24 个月甚至更长时间。对于重复订单设备,由于已通过客户工艺验
11、证,新到设备的工艺技术一般无需做较大改动,从出货到设备验收通常需要 3-24 个月的时间。如此宽幅的验收周期时间波动主要是受到客户产线条件、客户端安装调试、客户工艺要求调整、客户验收流程限制以及其他偶然性因素的影响。 如果受某些因素影响,公司产品验收周期延长,公司的收入确认将有所延迟。另外,可能存在公司设备验收不通过、收款时间延后等风险,增加公司的资金压力,影响公司的财务状况。 (四) 收入依赖 PECVD 系列产品,ALD 产品及 SACVD 产品尚未得到大规模验证的风险 公司主要产品为半导体薄膜沉积设备,报告期内,公司 PECVD、ALD、 SACVD 三大类薄膜沉积设备已得到产业化应用。
12、由于公司 PECVD 设备推出较早,产品线较为丰富,下游市场应用广阔,国内市场成熟。报告期内,PECVD 销售收入占发行人主营业务收入比例较高,分别为 77.98%、100.00%、97.55%和 88.69%。目前,公司 ALD、SACVD 均处于产品发往不同客户端进行产线验证的市场开拓阶段,形成批量销售需经过不同客户的验证,周期存在不确定性。 ALD 设备系集成电路先进制程晶圆制造的关键设备,在 14nm 及以下制程逻辑芯片、17nm 及以下 DRAM 芯片中有着广泛应用。SACVD 设备系 40nm 以下逻辑电路制造、高性能存储芯片高深宽比填充的关键设备。晶圆制造产线制程越先进,对于 A
13、LD、SACVD 设备数量的需求越多。我国集成电路制造产业起步较晚,晶圆制造产线制程与国际先进水平相比较为落后,先进制程产线处于发展建设阶段,具备先进制程晶圆制造能力的厂商较少。如果国内先进制程晶圆制造产线发展不及预期,市场对 ALD、SACVD 设备的需求增长较小,发行人 ALD 及SACVD 设备未来销售增长将受到限制。 (五) Demo 机台无法实现最终销售的风险 公司产品主要根据客户的差异化需求和采购意向,进行定制化设计及生产制造,主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。订单式生产,指公司与客户签署正式订单后进行的生产活动。库存式生产,指公司尚未获取正式订单便开始的生产活动,包
14、括根据 Demo 订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动。 对于 Demo 机台,通常在公司与客户充分沟通产品型号、参数、配置等信息,便开始组织生产,完工后以 Demo 订单的形式发往客户端进行验证。一般在 Demo 机台获得客户端验证通过后,客户才会下达正式订单进行采购。 截至报告期末,公司发出商品共计 74 台,其中尚未获取正式订单,仅通过 Demo 订单等形式安排发运的设备共计 25 台,占比为 33.78%。如果遇到集成电路产业景气度大幅下滑、客户需求大幅减弱、订单意外取消等不利因素,可能导致 Demo 机台未来最终无法获得客户验证通过,相关机台可能无法实现销售,公司可能面临调整生产
15、计划、更换已完工机台的部分模块导致生产成本加大、存货库龄加长等情形,对公司的生产、业绩造成不利影响。 (六) 技术创新风险随着全球半导体行业的蓬勃发展,半导体行业技术日新月异,下游客户对薄膜沉积设备兼容的材料类型、电性能、机械性能、薄膜均匀度等需求也随之不断变化。因此,公司需要持续保持较大的研发投入,紧跟制造工艺、基础学科发展的最新方向,积极实验探索新技术路线、新设计思路、新材料性能。 如果公司未来未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求,或者技术创新产品不能契合客户需求,无法适应下游芯片制造工艺节点继续缩小或芯片制造新技术出现,可能导致公司设备无法满足下游生产制造需要,将可能对公司的
16、经营业绩造成不利影响。 (七) 市场竞争风险 半导体设备行业具有很高的技术壁垒、市场壁垒和客户准入壁垒。目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商,与中国大陆半导体专用设备企业相比,国际巨头企业拥有客户端先发优势,产品线丰富、技术储备深厚、研发团队成熟、资金实力较强等优势,国际巨头还能为同时购买多种产品的客户提供捆绑折扣。2019 年度,在 CVD 设备全球市场中,应用材料(AMAT)、泛林半导体(Lam)、东京电子(TEL)的市场占有率分别为 30%、21%和 19%;在 ALD 设备全球市场中,东京电子(TEL)、先晶半导体(ASMI)的市场占有率分别为 31%和 29%。相比国际巨
17、头,公司的综合竞争力处于弱势地位,市场占有率较低。 另外,国内半导体设备厂商存在互相进入彼此业务领域,开发同类产品的可能。例如,在 ALD 设备领域,除发行人外,北方华创、盛美上海、屹唐股份及中微公司已推出自产设备或有进入 ALD 设备市场的计划。 公司面临国际巨头以及潜在国内新进入者的双重竞争。如果公司无法有效应对市场竞争环境,则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等均会受到不利影响。 (八) 客户相对集中的风险 报告期内,公司前五大客户主营业务销售金额占当期主营业务收入的比重分别为 100.00%、84.02%、83.78%和 92.44%。前五大客户集中度较高,主要由于集成电路制造行业属于
18、资本和技术密集型,国内外主要集成电路制造商均呈现经营规模大、数量少的行业特征。公司客户集中度较高可能会导致公司在商业谈判中处于弱势地位,且公司的经营业绩与下游半导体厂商的资本性支出密切相关,客户自身经营状况变化也可能对公司产生较大的影响。如果公司后续不能持续开拓新客户或对少数客户形成重大依赖,将不利于公司未来持续稳定发展。 (九) 无控股股东及实际控制人风险 截至本招股意向书签署日,公司单个股东持有或控制的股份数量均未超过公司总股本的 30%,无法形成控股,单个股东亦不能决定董事会多数席位,使得公司无控股股东及实际控制人。公司经营方针及重大事项的决策均由股东大会或董事会按照公司议事规则充分讨论
19、后确定,避免了因单个股东控制引起决策失误而导致公司出现重大损失的可能,但不排除存在因无控股股东及实际控制人导致公司决策效率低下的风险。 此外,由于公司股权相对分散,不排除未来公司无控股股东的状态发生变化,导致公司经营管理思路发生变化的风险。 二、本次发行相关主体作出的重要承诺 公司提示投资者认真阅读公司、股东、董事、监事、高级管理人员、核心技术人员以及本次发行的保荐机构及证券服务机构等作出的各项重要承诺、未能履行承诺的约束措施,具体内容详见本招股意向书“第十节 投资者保护”之“五、重要承诺”。 三、利润分配政策 (一)发行前滚存利润的分配安排 2021 年 3 月 31 日,公司 2021 年
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 科技 首次 公开 发行 股票 科创板 上市 招股 意向书
限制150内