2022年GHz新型复合管宽带功率放大器设计方案.docx
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1、精品学习资源封面欢迎下载精品学习资源作者: PanHongliang仅供个人学习512GHz新型复合管宽带功率放大器设计时来源:电子科技作者:程 华,严唯敏,滑育楠,胡善文,高 怀 东南高校欢迎下载精品学习资源摘要 利用一种新型 HBT 复合晶体管结构设计了一款宽带功率放大器,有效抑制了HBT 的大信号Kink 效应;接受微波仿真软件 AWR 对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在512 GHz 频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳固,带宽得到有效扩展,最高增益达到 11 dB,带内波动 0 5dB ,在 9 GHz 工作频率时,其 1 dB 压缩点处的输出功率为 26 dBm ;关键词
2、宽带匹配; Kink 效应; GaAs HBT ;复合晶体管随着宽带无线通信系统的不断进展,对高灵敏 度、大动态范畴、高效率的宽带放大器的需求也越来 越大,从某种意义上讲,宽带放大器性能的好坏直接 准备着微波系统性能的优劣;然而在宽带放大器的设 计过程中,砷化镓异质结双极型晶体管HBT 共发组态工作模式下的输出反射系数 S22,在某一频率将会显现 Kink 效应,因此接受 HBT 实现宽带放大器时,会给工作频带跨过 Kink 点的宽带输出匹配设计带来难题;目前,有效扩展带宽的方法有反比例级 联、并联峰值、电容峰值、分布式放大器和fT 倍频器技术等;但这些方法都会不同程度地增加电路的复欢迎下载精
3、品学习资源杂度,需要占用更多的芯片面积;本文使用一种改善 HBT Kink效应的复合晶体管结构来扩展放大器的带宽,简化宽带输出匹配的设计;自 Shey-Shi Lu ,Yo-Sheng Lin 等人提出 HBT 的 Kink 效应以来,关于该现象的小信号理论分析日臻成熟;文献提出一种基于负反馈技术的新型HBT 复合晶体管结构,能够有效排除HBT 的小信号 Kink 效应;但是有关于该现象的大信号争论较为罕见;文中第一基于 AWR 软件争论 HBT 的大信号Kink 效应,其次分别接受新型 HBT 复合管和一般HBT 管以下分别简称复合管、一般管 来完成两款宽带功率放大器的设计;通过软件仿真,结
4、果说明:该 新型 HBT 复合晶体管不但可以有效排除 HBT 的大信号 Kink 效应,而且仍明显扩展放大器的带宽,提高增益带宽积,简化输出端的阻抗匹配设计;1 新型 HBT 复合晶体管大信号特性1.1 HBT 的小信号 Kink 效应随着频率的上升,晶体管自身寄生电容Cce, Cbe,Cbc 等对器件性能的影响明显增加,使得HBT 共发组态工作模式下的输出反射系数S22 在某一频率处显现一拐点,这种现象称为Kink 效应,如图 1欢迎下载精品学习资源所示;另外随着器件尺寸的增加, Kink 效应有增强的趋势;可以看出,低频时 HBT 的输出阻抗等效为串联的RC 电路,而高频时就等效为并联的R
5、C 电路,在两种等效电路的过渡过程中就显现了图1 中所示的拐点,即 Kink 效应;为了有效排除 HBT 的 Kink 效应,文献提出了基于负反馈技术的新型HBT 复合晶体管结构,本文在该结构上另加1 个电阻 R2 调整反馈强度和相位,其拓扑结构如图2 所示;在图 2 中,共射极连接的 HBT1 作为常规放大器件工作在放大状态, HBT2 作为 HBT1 的负反馈支路工作在反向状态; HBT2 发射极通过一个小电感L 和一个小电阻 R2 连接到电路输出端,由于该电感均衡寄生电容对输出阻抗的影响,使得HBT 在共发组态工作模式下,其小信号输出阻抗在整个工作频段内 接近于一个简洁的 RC 串联电路
6、,且电阻值 R 为一常数,能够有效排除 HBT 的小信号 Kink 效应;1.2 大信号 Kink 效应及其排除功率放大器工作在大信号状态时, HBT 放大管的工作状态和等效电路模型不同于小信号情形;为了欢迎下载精品学习资源深化争论 HBT 的大信号 Kink 效应,分别接受新型HBT 复合管和一般 HBT 管设计了两个单级放大电路,如图 3 所示,同时其大信号 S22 随频率变化的仿真曲线如图 4 所示;图 4 仿真结果说明, HBT 在大信号输入情形下的S22 同样具有 Kink 效应,然而接受复合管结构能够使 HBT 大信号情形下的输出阻抗在很宽的频率范畴内为一常数, S22 的 Kin
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- 2022 GHz 新型 复合管 宽带 功率放大器 设计方案
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