2022年常用电子元器件其间型号.docx

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1、常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号一电阻器、电容器、电感器和变压器图形符号名称与说明图形符号名称与说明电感器、线圈、绕组或扼电阻器一般符号流图；注：符号中半圆数不得少于 3 个可变电阻器或可调电阻器带磁芯、铁芯的电感器带磁芯连续可调的电感器滑动触点电位器极性电容双绕组变压器注：可增加绕组数目可变电容器或可调电容器绕组间有屏蔽的双绕组变压器注：可增加绕组数目双联同调可变电容器；注：可增加同调联数在一个绕组上有抽头的变压器微调电容器二半导体管图形符号名称与说明图形符号名称与说明二极管的符号发光二极管光电二极管12JFET 结型场效应管(1) N 沟道(2) P 沟道PNP 型晶体三极管稳

2、压二极管NPN型晶体三极管全波桥式整流器变容二极管三其它电气图形符号图形符号名称与说明图形符号名称与说明具有两个电极的 压 电 晶 体注：电极数目可增加或接机壳或底板熔断器导线的连接指示灯及信号灯导线的不连接扬声器动合 常开 触点开关蜂鸣器动断 常闭 触点开关接大地手动开关其次节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一电阻器和电位器1. 电阻器和电位器的型号命名方法表 1电阻器型号命名方法第一部分：主称其次部分：材料第三部分：特点分类符符意义号意义号意义号电阻器电位器R电阻器T碳膜1一般一般W电位器H合成膜2一般一般S有机实芯3超高频N无机实芯4高阻J金属膜5高温Y氧化膜6C沉积膜7精密精密I

3、玻璃釉膜8高压特别函数P硼碳膜9特别特别U硅碳膜G高功率X线绕T可调M压敏W微调G光敏D多圈R热敏B温度补偿用C温度测量用P旁热式W稳压式Z正温度系数符第四部分：序号对主称、材料相同，仅性能 指标、尺寸大小 有差别，但基本 不影响互换使用 的产品，赐予同 一序号；如性能 指标、尺寸大小 明 显 影 响 互 换时，就在序号后 面用大写字母作 为区分代号；示例：(1) 精密金属膜电阻器RJ73(2) 多圈线绕电位器WXD3第四部分：序号第三部分：类别（精密） 其次部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器）第四部分：序号第三部分：类别（多圈） 其次部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器）2.

4、 电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著转变其性能所答应消耗的最大功率称为电阻器的额定功率；电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时肯定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所答应消耗的最大功率；不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表 2 所示；名称表 2电阻器的功率等级额定功率（W）实芯电阻器0.250.51250.51261015线绕电阻器253550751001500.0250.050.1250.250.51薄膜电阻器25102550100(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范畴不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同；

5、依据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3 所示； E24、E12 和 E6 系列也适用于电位器和电容器；表 3标称值系列标称值系列精度电阻器（）、电位器（）、电容器标称值（PF）1.01.11.21.31.51.61.82.0E245%2.22.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.11.01.21.51.82.22.7E1210%3.33.94.75.66.88.2E620%1.01.52.23.34.76.88.2表中数值再乘以 10n，其中 n 为正整数或负整数；(3) 答应误差等级表 4电阻的精度等级答应误差 %0.0010.0020.00

6、50.010.020.050.1等级符号EXYHUWB答应误差 %0.20.51251020等级符号CDFGJ（ I）K （ II）M （ III ）3. 电阻器的标志内容及方法(1) 文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、答应误差等级等；符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和其次位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5 所示；如 1R5 表示 1.5， 2K7 表示 2.7k，表文字符号RKMGT表示单位欧姆 千欧姆 1036兆欧姆 109千兆欧姆 1012兆兆欧姆 10例如：RJ71 0.125 5k1 II答应误差 10%

7、 标称阻值 5.1k 额定功率 1/8W 型号由标号可知， 它是精密金属膜电阻器， 额定功率为 1/8W ，标称阻值为 5.1k，答应误差为 10% ；(2) 色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点） 标注在它的外表面上；色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法；其含义如图 1 和图 2 所示；标称值第一位有效数字标称值其次位有效数字标称值有效数字后0 的个数答应误差黑00棕11红22橙33黄44绿55蓝66紫77灰88白99金银无色颜色第一位有效值其次位有效值倍率允 许 偏 差图 1两位有效数字阻值的色环表示法 20% +50%10010110210

8、31041051061071081091011025%10%20%三色环电阻器的色环表示标称电阻值（答应误差均为20%）；例如，色环为棕黑红，表示 10 102 1.0k20%的电阻器；四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度；例如，色环为棕绿橙金表示15 103 15k5% 的电阻器；五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度；例如，色环为红紫绿黄棕表示 275 104 2.75M1%的电阻器；一般四色环和五色环电阻器表示答应误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远；较标准的表示应是表示答应误差的色环的宽度是其它色环的（1.52）倍；有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用

9、上面的特点判定，这时只能借助万用表判断；标称值第一位有效数字 标称值其次位有效数字标称值第三位有效数字标称值有效数字后0 的个数答应误差黑000棕111红222橙333黄444绿555蓝666紫777灰888白999金银颜色第一位有效值其次位有效值第三位有效值倍率答应偏差1001011021031041051061071081091%2%0.5%0.250.1%10 110 2图 2三位有效数字阻值的色环表示法4. 电位器的主要技术指标(1) 额定功率电位器的两个固定端上答应耗散的最大功率为电位器的额定功率；使用中应留意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率；(2) 标称阻值标在产品上的名义阻值

10、，其系列与电阻的系列类似；(3) 答应误差等级实测阻值与标称阻值误差范畴依据不同精度等级可答应20%、 10%、 5%、 2%、 1%的误差；精密电位器的精度可达0.1%；(4) 阻值变化规律指阻值随滑动片触点旋转角度（或滑动行程）之间的变化关系，这种变化关系可以是任何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式（指数式）；在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式（指数式）电位器适合于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量掌握器；修理时如找不到同类品，可用直线式代替， 但不宜用对数式代替；对数式电位器只适合于作音调掌握等；5. 电位器的一般标志方法WT 23.3k10%答应误差 10

11、% 标称阻值 3.3k 额定功率 2W 碳膜电位器WX 1510J答应误差 5%标称阻值 510 额定功率 1W 线绕电位器二电容器1. 电容器型号命名法表6电容器型号命名法第一部分： 主称其次部分：材料第三部分：特点、分类第四部分：符号意符符意义序号号意义号瓷介云母玻璃电解其他C瓷介1圆片非密封箔式非密封Y云母2管形非密封箔式非密封I玻璃釉3迭片密封烧结粉固体密封O玻璃膜4独石密封烧结粉固体密封Z纸介5穿心穿心J金属化纸6支柱B聚苯乙烯7无极性L涤纶8高压高压高压Q漆膜9特别特别S聚碳酸脂J金属膜H复合介质W微调D铝A钽N铌G合金T钛E其他义电容器示例：(1) 铝电解电容器CD11对主称、材

12、料相同，仅尺寸、性能指标略有不同， 但基本不影响互使用的产品，赐予同一序号；如尺寸性能指标的差别明显； 影响互换使用时，就在序号后面用大写字母作为区分代号；(2) 圆片形瓷介电容器CC1 1(3) 纸介金属膜电容器CZJX2. 电容器的主要技术指标第四部分：序号第三部分：特点分类（箔式） 其次部分：材料（铝）第一部分：主称（电容器）第四部分：序号第三部分：特点分类（圆片） 其次部分：材料（瓷介质） 第一部分：主称（电容器）第四部分：序号第三部分：特点分类（金属膜） 其次部分：材料（纸介）第一部分：主称（电容器）(1) 电容器的耐压：常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V ，10V ，16

13、V ，25V ， 40V ， 63V ，100V ， 160V ， 250V ， 400V ；(2) 电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7 所示；表 7+20%+50%+100%容许误差2%5%10%20%-30%-20%-10%级别0.2IIIIIIIVVVI電容常用字母代表誤差B: 0.1 ,C: 0.25 ,D: 0.5 ,F: 1 ,G: 2,J: 5 ,K:10 ,M: 20 ,N: 30,Z:+80 -20；(3) 标称电容量：表 8固定式电容器标称容量系列和容许误差系列代号E24E12E6容许误差5%（ I）或（ J）10% （ II）或（ K ）20%（ III ）或（

14、m）标称容量10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,10,12,15,18,22,27,310,15,22,23,47,68对应值33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,903,39,47,56,68,82注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以3. 电容器的标志方法10n ，其中 n 为正整数或负整数， 单位为 pF；(1) 直标法容量单位： F（法拉）、 F（微法）、nF （纳法）、pF（皮法或微微法） ；1 法拉= 106 微法= 1012 微微法，1 微法 =103 纳法 = 106 微微法1 纳法= 103 微微法例如： 4n

15、7表示 4.7nF 或 4700pF，0.22表示 0.22 F， 51表示 51pF；有时用大于 1 的两位以上的数字表示单位为pF 的电容，例如 101 表示 100 pF；用小于1 的数字表示单位为F 的电容，例如 0.1 表示 0.1 F；(2) 数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF；前两位为有效数字， 后一位表示位率； 即乘以 10i，i 为第三位数字， 如第三位数字 9，就乘 10-1；如 223J 代表 22 103pF22000pF 0.22F，答应误差为5%；又如 479K 代表 47 10-1pF，答应误差为5%的电容；这种表示方法最为常见；（ 3）色码表示

16、法这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列；色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF；有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF；三电感器1. 电感器的分类常用的电感器有固定电感器、微调电感器、 色码电感器等； 变压器、 阻流圈、 振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及推迟线和磁头等，都属电感器种类；2. 电感器的主要技术指标(1) 电感量 :在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比其比例常数称为自感系数，用L 表示，简称为电感；即：LI式中： 磁通量I电流强度(2) 固

17、有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容；统称为电感器的固有电容；(3) 品质因数：电感线圈的品质因数定义为：QLR式中： 工作角频率， L线圈电感量， R线圈的总损耗电阻(4) 额定电流：线圈中答应通过的最大电流；(5) 线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻；2电感器电感量的标志方法(1) 直标法；单位 H（亨利）、mH （毫亨）、 H（微亨）、(2) 数码表示法；方法与电容器的表示方法相同；(3) 色码表示法；这种表示法也与电阻器的色标法相像，色码一般有四种颜色，前两种颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为H，第四种颜色是误差位；四半导体分立器件1. 半导体分立器件的命名

18、方法（ 1） 我国半导体分立器件的命名法表 9国产半导体分立器件型号命名法第一部分其次部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器用汉语拼音字母表示器用汉语拼音字母用 数字用 汉 语 拼件电极的数目件的材料和极性表示器件的类型表 示 器件音 表 示 规符意义符意义符意义符意义序号格 的 区 别号号号号代号2二极管AN 型，锗材料P一般管D低频大功率管BP 型，锗材料V微波管（ f 3MHz,CN 型，硅材料W稳压管PC 1WDP 型，硅材料C参量管A高频大功率管Z整流管（ f3MHz3三极管APNP 型，锗材料L整流堆PC 1W）BNPN 型，锗材料S隧道管T半导体闸流管CPNP 型，硅材料N阻尼

19、管可控硅整流器 DNPN 型，硅材料U光电器件Y体效应器件E化合物材料K开关管B雪崩管X低频小功率管J阶跃复原管（ f 3MHz,CS场效应器件PC1W ）BT半导体特别器件G高频小功率管FH复合管（ f3MHzPINPIN 型管PC1W ）JG激光器件例：1 锗材料 PNP 型低频大功率三极管：2 硅材料 NPN 型高频小功率三极管：3AD50C3DG201B规格号规格号序号序号低频大功率低频大功率PNP 型、锗材料PNP 型、锗材料三极管三极管3 N型硅材料稳压二极管：4单结晶体管：2CW51BT33E序号规格号稳压管耗散功率N 型、硅材料三个电极二极管特种管半导体（ 2）国际电子联合会半

20、导体器件命名法第一部分用字母表示使用的材料其次部分用字母表示类型及主要特性第三部分用数字或字母加数字表示登记号第四部分用字母对同一型号者分档导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号）A B C D E同 一型 号 器件 按 某一 参 数进 行 分档 的 标志复合材料KYRL示例（命名） ：A霍尔元件高频大功率三极管Z整流二极管稳压二极管即齐纳二极管位数字专用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号）F239SAF239 型某一参数的S 档一般用登记序号高频小功率三极管锗材料符号意义符号意义检波、开关和符号M意义封闭磁路中的符号意义符号意义A锗材料A混频二极管霍尔元件通用半表 10

21、国际电子联合会半导体器件型号命名法B硅材料BC变容二极管 低频小功率三极管低频大功率三PQ光敏元件发光器件三位数字D极管R小功率可控硅E隧道二极管S小功率开关管C砷化镓高频小功率三一F极管T大功率可控硅个复合器件字D锑化铟G及其它器件U大功率开关管母H磁敏二极管开放磁路中的X倍增二极管加两国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：1) 这种命名法被欧洲很多国家采纳；因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母 是 A ， B， C，D 或 R 的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品；2) 第一个字母表示材料（A 表示锗管， B 表示硅管），但不表示极性（ NPN 型或 PN

22、P型）；3) 其次个字母表示器件的类别和主要特点；如C 表示低频小功率管， D 表示低频大功率管， F 表示高频小功率管， L 表示高频大功率管等等；如记住了这些字母的意义，不查手册也可以判定出类别；例如，BL49 型，一见便知是硅大功率专用三极管；4) 第三部分表示登记次序号；三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，次序号相邻的两个型号的特性可能相差很大；例如， AC184 为 PNP 型，而 AC185 就为 NPN型；5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE 或 N F）进行分档；6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN 或 PNP）；极性的确定需查阅手册或测量

23、；(3) 美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较纷乱；这里介绍的是美国晶体管标准型号 命名法，即美国电子工业协会（EIA ）规定的晶体管分立器件型号的命名法；如表11 所示；表 11美国电子工业协会半导体器件型号命名法第一部分其次部分第三部分第四部分第五部分用符号表示用途的类型用数字表示PN 结的数目美国电子工业协会EIA 注册标志美国电子工业协会EIA 登记次序号用字母表示器件分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义JAN或 J军用品无非军用品例：1 二极管2 三极管3 三个 PN结器件nn 个 PN结器件该 器 件已 在 美 国N电 子 工 业协 会 注 册登

24、记多该器件在位美国电子工数业协会登记字的次序号A 同 一B 型 号 的C 不 同 档D 别1 JAN2N29042 1N4001JAN2N29041N4001EIA 登记序号EIA 登记序号EIA 注册标志EIA 注册标志三极管二极管军用品美国晶体管型号命名法的特点：1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备；例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来；例如，2N 开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管；因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名；2) 组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分；3) 除去前缀以外，凡型号以1N

25、、2N 或 3N开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品；4) 第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义；因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大；例如， 2N3464 为硅 NPN ，高频大功率管，而2N3465 为 N 沟道场效应管；5) 不同厂家生产的性能基本一样的器件，都使用同一个登记号；同一型号中某些参数的差反常用后缀字母表示；因此，型号相同的器件可以通用；6) 登记序号数大的通常是近期产品；(4) 日本半导体器件型号命名法日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准（ JIS）规定的命名法（JIS C 702

26、）命名的；日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成；通常只用到前五部分；前五部分符号及意义如表 12 所示；第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的；第六部分的符号表示特别的用途及特性，其常用的符号有：M 松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上防卫队参谋部有关标准登记的产品；N 松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（ NHK ）有关标准的登记产品；Z松下公司用来表示专用通信用的牢靠性高的器件；H 日立公司用来表示专为通信用的牢靠性高的器件；K 日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的牢靠性高的器件；T日立公司用来表示收发报机用的举荐产品；G东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件；

27、S三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件；第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志；例如，三菱公司常用R，G，Y 等字母；日立公司常用A ， B， C， D 等字母，作为直流放大系数hFE 的分档标志；表 12日本半导体器件型号命名法第一部分其次部分第三部分第四部分第五部分用数字表示类型或有效电极数符号意义S 表示日本电子工业协会（ EIAJ ）的注册产品符号意义用字母表示器件的极性及类型符号意义用数字表示在日本电子工业协会登记的次序号符号意义用字母表示对原先型号的改进产品符号意义光电 即光敏 二极管、 晶体0 管 及 其 组 合管1 二极管三极管、 具有两个以上PN2 结 的 其

28、他 晶体管具 有 四 个 有3 效 电 极 或 具有三个 PN 结的晶体管具有 n 个有效电 极 或 具 有n-n-1 个 PN 结1的晶体管表示已在日本电子工业协S会 EIAJ 注册登记的半导体分立器件APNP 型高频管BPNP 型低频管CNPN 型高频管DNPN 型低频管FP 掌握极可控硅GN 掌握极可控硅HN 基极单结晶体管J P 沟道场效应管K N 沟道场效应管M 双向可控硅从 11 开A始，表示在B四日本电子工C位业协会注册D以登记的次序E上号，不同公F的司性能相同数的器件可以字使用同一次序号，其数字越大越是近期产品用字母表示对原先型号的改进产品示例：1） 2SC502A （日本收音

29、机中常用的中频放大管）2SC502A2SC502 型的改进产品日本电子工业协会登记次序号NPN 型高频三极管日本电子工业协会注册产品三极管（两个PN 结）2） 2SA495 （日本夏普公司 GF 9494 收录机用小功率管）2SA495日本电子工业协会登记次序号PNP 高频管日本电子工业协会注册产品三极管（两个PN 结）日本半导体器件型号命名法有如下特点：1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数；例如，用“1”表示二极管，用“ 2”表示三极管；而屏蔽用的接地电极不是有效电极；2) 其次部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性；3) 第三部分表示极性和类型

30、；例如用A 表示 PNP 型高频管，用 J 表示 P 沟道场效应三极管；但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小；4) 第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ ）注册登记的次序号，并不反映器件的性能， 次序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远；例如，2SC2680 型的最大额定耗散功率为200mW，而 2SC2681 的最大额定耗散功率为100W ；但是， 登记次序号能反映产品时间的先后；登记次序号的数字越大，越是近期产品；5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同；6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采纳简化标记的方法，即把2S 省略；例如， 2SD764 ，简化

31、为 D764 ， 2SC502A 简化为 C502A ；7) 在低频管（ 2SB 和 2SD 型）中，也有工作频率很高的管子；例如，2SD355 的特点频率 f T 为 100MHz ，所以，它们也可当高频管用；8) 日本通常把 Pcm 1W 的管子，称做大功率管；2. 常用半导体二极管的主要参数表 13部分半导体二极管的参数参最大正向正 向 压反向最 高 反反向零偏反向复原类数整流电流降在左击穿向 工 作电流压电时间/ns型电 流/mA号/mA栏 电 流值下 /V电/V压电压/V/A容/pF2AP92.54020fHMHz12AP716511501002501502AP11251010fHM

32、Hz42AP1715101100250102AK130102AK21501402032002AK52000.9604021502AK1010170502AK13604021502AK142500.770502CK70AE103型一般检波二极管锗开关二极管硅开2CK71AE200.8A30A201.54关2CK72AE30B45B30二2CK73AE50极2CK74AD100管2CK75AD1502CK76AD200C60C40D75D50151E90E60最大正向正 向 压反向最高 反反向零偏反 向 恢 复时整流电流降在左击穿向工 作电流压电间/ns电/mA流/mA栏 电 流值下 /V电/V压

33、电压/V/ A容/pF参类数型型号整2CZ52B20.1160.31100.5120116530.8流H二2CZ53B极M管2CZ54B M2CZ55BM 2CZ56BB1N400140073011.11N53915399501.51.41N5400540820031.22560050100050100050100025100050510005010100050101000同 2AP 一般二极管3.常用整流桥的主要参数表 14几种单相桥式整流器的参数整流正 向 电反 向 漏反向工作电压 /V最高工作电流/A压降/V电/ A结温/oC0.050.1常见的分档为： 25 ，参数不重复正向型号浪涌电

34、流 /AQL11QL22QL460.31050， 100，200，400，QL5100.51.2500，600，700， 800，QL6201900，1000QL7402QL860315130表 15部分稳压二极管的主要参数工作电流为稳固电流稳固电压下环境温度稳固电50oC流下稳固电流下环境温度 10oC稳固电压/V稳固电流/mA最大稳固反向漏电动态电电流/mA流阻/电压温度系数/10-4/oC最大耗散功率/W4. 常用稳压二极管的主要参数测试条件参型数号2CW512.53.571560-92CW523.24.555270-82CW5345.841150-642CW545.56.51038302CW5678.827152CW578.59.8260.5202CW591011.820302CW6011.512.5519402CW10345.850165120-35 7899-640.252CW11011.512.520760.520912CW113161910520.540112CW1A5302402012CW6C153070812CW7C6.06.51030100.050.25. 常用半导体三极管的