模拟电子技术模电模拟试题.doc
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1、. .模拟电路复习预习方法:1、 掌握根本理论:二极管、三极管的特点和用途,反应的定义、分类、判断,功率放大的原理与分类,滤波器的根本原理,波形发生器的原理与能否起震的判断,直流电源的根本原理及构成。2、 掌握的计算:三极管放大电路的静态、动态分析,集成远放的相关计算,振荡电路频率计算,直流电源的简单计算。3、 除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题。习题一、半导体二极管及其应用1本征半导体中的自由电子浓度_空穴浓度 a大于 b 小于 c 等于 答案:C2.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于_a温度 b 材料 c掺杂工艺 d掺杂浓度 答案:B3.在掺杂半导体中,少子的浓度受_的影响
2、很大 a 温度 b掺杂工艺 c 掺杂浓度 答案:C4.在掺杂半导体中,多子的浓度越高,少子的浓度越_a 高 b 低 c不变 答案:B5.N 型半导体_a 带正电 b 带负电 c 呈中性 答案:C6.温度升高 N 型半导体的电阻率将_a 增大 b 减小 c 不变 答案:C7. 当 PN 结正向偏置时,耗尽层将_a 不变 b 变宽小于 c 变窄 答案:C8.当环境温度升高时,二极管的正向电压将 a 升高 b 降低 c 不变 答案:b9.当环境温度升高时,二极管的死区电压将_a 升高 b 降低 c 不变 答案:b10.当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流将_a 增大 b 减小 c 不变 答案:a1
3、1.二极管的正向电压降一般具有_温度系数 a 正 b 负 c 零 答案:b12.确保二极管平安工作的两个主要参数分别是_和_a UD,IF b IF,IS c IF,UR答案:c13.理想二极管的主要性能指标为 _a UD=0,IR=0, b UD =0.3V ,IR=0 c UD =0.5V ,IR =IS答案:a13.稳压管通常工作于_,来稳定直流输出电压 a 截止区 b 正向导通区 c 反向击穿区 答案:c12.对于稳定电压为 10V 的稳压管,当环境温度升高时,其稳定电压将 _a 升高 b 降低 c 不变 答案:c13.二极管的反偏电压升高,其结电容 _a 增大 b 减小 c 不变 答
4、案:b17.二极管正向偏置时,其结电容主要是 _a 势垒电容 b 扩散电容 c无法判断 答案:b18.锗二极管的死区电压约为 _答案:aa 0.1V b 0.2V c 0.3V 19.硅二极管的完全导通后的管压降约为 _a 0.3V b 0.5V c 0.7V 答案:c20.由二极管的伏安特性可知,二极管的管压降越高,二极管的电阻越 _a 大 b 小 c 不变 答案:b22.二极管的静态工作点 UD 和ID ,那么二极管的静态电阻为 _a UD/ID b UT /ID c UD/IS答案:a24. 一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时,正向电流ID=10mA。假设 UD增大到 0.66V ,
5、那么电流ID约 为 _a 11mA b 20mA c 100mA 答案:c26. 在上题图示电路中,假设 E=8V ,当温度为 10 时测得二极管的管压降为UD =0.7V, 当温度上升到 40 时,那么UD大小为 _a =0.7V b 0.7V答案: 27.在本征半导体中参加元素可形成N型半导体,参加元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 答案:A ,C 28.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 答案:A29.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。 答案: 30.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电
6、。 答案: 31.PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。 答案: 32.PN结加正向电压时,空间电荷区将。 A. 变窄 B. 根本不变 C. 变宽 答案:A33.设二极管的端电压为U,那么二极管的电流方程是。 A. ISeU B. C. 答案:C 34.稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 答案:C 图P1.1135.电路如图P1.11a、b所示,稳压管的稳定电压UZ3V,R的取值适宜,uI的波形如图c所示。试分别画出uO1和uO2的波形。 解:波形如解图P1.11所示 解图P1.1136.在以下四种整流或滤波电路中,负载时输出电压最低的是 ,二极管承受冲
7、击电流最高的是 ,承受反向电压最高的是 ;输出电压脉动最小的是 。 A. 单相半波整流电路; B. 单相桥式整流电路; C. 单相半波整流、电容滤波电路; D. 单相桥式整流、电容滤波电路 答案:acad37.纯洁的半导体叫半导体。掺入3价杂质元素形成的半导体叫型 半导体,它主要靠导电。 答案:本征,P空穴,空穴 38.PN结正向偏置是指P区接电源的极、N区接电源的极。这时多子的 运动较强,PN结厚度变 ,结电阻较 。 答案:正,负,扩散,薄,小 39.设二极管D1、D2为理想二极管,判断它们在图1中是导通还是截止?输出电压 Uo = .图1答案:D1导通,D2截止,UO = 0 V40.在本
8、征半导体中参加元素可形成N型半导体,参加元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 答案:A ,C41.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 答案:A 42.稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 答案:C43.分析图所示电路的工作情况,图中I为电流源,I=2mA。设20时二极管的正向电压降UD=660mV,求在50时二极管的正向电压降。该电路有何用途?电路中为什么要使用电流源? 【解题过程】 该电路利用二极管的负温度系数,可以用于温度的测量。其温度系数2mV/。 20时二极管的正向电压降 UD=660mV
9、50时二极管的正向电压降 UD=660 230=600 mV 因为二极管的正向电压降UD是温度和正向电流的函数,所以应使用电流源以稳定电流,使二极管的 正向电压降UD仅仅是温度一个变量的函数。 44.电路如图(a)所示,二极管导通电压。试画出uI与uO的波形,并标出幅值。 图(a)【解题过程】由条件可知二极管的伏安特性如下图,即开启电压Uon和导通电压均为0.7V。 由于二极管D1的阴极电位为3V,而输入动态电压uI作用于D1的阳极,故只有当uI高于3.7V时 D1才导通,且一旦D1导通,其阳极电位为3.7V,输出电压uO=3.7V。由于D2的阳极电位为3V, 而uI作用于二极管D2的阴极,故
10、只有当uI低于3.7V时D2才导通,且一旦D2导通,其阴极电位即为 3.7V,输出电压uO=3.7V。当uI在3.7V到3.7V之间时,两只管子均截止,故uO=uI。 uI和uO的波形如图(b)所示。 图(b) 45.某二极管的反向饱和电流,如果将一只1.5V的干电池接在二极管两端,试计算流过二极管的电流有多大? 【解题过程】 如果将干电池的正、负极分别与二极管的阴极、阳极相接,二极管反向偏置,此时流过二极管的电 流等于。反之,流过二极管的电流等于: 此时二极管的等效直流电阻为: 实际上电池的内阻、接线电阻和二极管的体电阻之和远远大于RD,流过二极管的电流远远小于计算 值。电路中的电流值不仅仅
11、是由二极管的伏安特性所决定,还与电路中的接线电阻、电池的内阻和 二极管的体电阻有关。通常这些电阻都非常小,足以使二极管和干电池损坏。因此,实际应用时电路中必须串接适当的限流电阻,以防损坏电路元器件。 46.电路如图a所示,二极管的伏安特性如图b所示,常温下UT26mV,电容C对交流信号可视为短路;ui为正弦波,有效值为10 mV。试问: 1二极管在ui为零时的电流和电压各为多少 2二极管中流过的交流电流有效值为多少?【解题过程】 1利用图解法可以方便地求出二极管的Q点。在动态信号为零时,二极管导通,电阻R中电流与二 极管电流相等。因此,二极管的端电压可写成为 uD=V iDR在二极管的伏安特性
12、坐标系中作直线uD=V iDR,与伏安特性曲线的交点就是Q点,如(b)所示 。读出Q点的坐标值,即为二极管的直流电流和电压,约为 UD0.7 V,ID26 mA2Q点下小信号情况下的动态电阻为 rdUT/ ID = (26/2.6)=10 根据条件,二极管上的交流电压有效值为10 mV,故流过的交流电流有效值为ID = Ui/ rd =(10/10) mA=1 mA图c 47.电路如图a所示。设输入信号,二极管导通压降可以忽略不计,试分别画出输出电压的波形。图 (a)【解题过程】 在图a所示电路中,当二极管断开时,二极管两端的电压等于。所以当时,二极管截止,当时,二极管导通,由此画出输出电压的
13、波形如图b所示。 图 (b)48.在图示电路中,设二极管正向导通时的压降为0.7V,试估算a点的电位。【解题过程】 首先分析二极管开路时,管子两端的电位差,从而判断二极管两端加的是正向电压还是反向电压。 假设是反向电压,那么说明二极管处于截止状态;假设是正向电压,但正向电压小于二极管的死区电压, 那么说明二极管仍然处于截止状态;只有当正向电压大于死区电压时,二极管才能导通。 在图示电路中,当二极管开路时,二极管两端的正向电压,二极管反向偏置,处于 截止状态,故。 49. 电路如图a所示。设电路中的二极管为硅管,输入信号,电容器C对交流信号的容抗可以忽略不计,试计算输出电压的交流分量。 图 (a
14、) 【解题过程】 因为二极管电路中同时存在较大的直流电源和微变的交流信号,应首先假设交流信号为零 ,对电路进展直流分析。 在图a电路中,当令、电容器C开路时,采用二极管的恒压模型计算出流过二极管的 直流电流 由此可估算出二极管的动态电阻 。 然后利用二极管的微变等效模型分析计算其交流分量。在进展交流分析时,令直流电源和 电容器C短路,二极管D用交流等效电阻rd代替。此时,图a电路的交流等效电路如图b所示。 图 (b) 由图b可得输出电压交流分量为 。 50. 设此题图所示各电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管是导通还是截止,并求出A、B两点之间的电压AB值。 【解题过程】在图电路
15、中,当二极管开路时,由图可知二极管D1、D2两端的正向电压分别为10V和25V。二极管D2两端的正向电压高于D1两端的正向电压,二极管D2优先导通。当二极管D2导通后,UAB=15V,二极管 D1两端又为反向电压。故D1截止、D2导通。UAB=15V。 51. 硅稳压管稳压电路如下图。其中硅稳压管DZ的稳定电压UZ=8V、动态电阻rZ可以忽略,UI=20V。试求: (1) UO、IO、I及IZ的值; (2) 当UI降低为15V时的UO、IO、I及IZ值。 【解题过程】 (1) 由于 UZ稳压管工作于反向电击穿状态,电路具有稳压功能。故UO=UZ=8VIZ= IIO=64=2 mA(2) 由于这
16、时的 UZ稳压管没有被击穿,稳压管处于截止状态。故 IZ=052.电路如图(a)所示。其中未经稳定的直流输入电压UI值可变,稳压管DZ采用2CW58型硅稳压二极管,在管子的稳压X围内,当IZ为5mA时,其端电压UZ为10V、为20,且该管的IZM为26mA。 (1) 试求当该稳压管用图(b)所示模型等效时的UZ0值; (2) 当UO =10V时,UI 应为多大? (3) 假设UI在上面求得的数值根底上变化10%,即从0.9UI变到1.1UI,问UO将从多少变化到多少?相对于原来的10V,输出电压变化了百分之几?在这种条件下,IZ变化X围为多大? 1. 假设UI值上升到使IZ=IZM,而rZ值始
17、终为20,这时的UI和UO分别为多少? (5) 假设UI值在69V间可调,UO将怎样变化? 图 (a) 图 (b)【解题过程】 (1) 由稳压管等效电路知, (2) (3) 设不变。当时 当时 (4) (5) 由于U IUZ0,稳压管DZ没有被击穿,处于截止状态 故UO将随U I在69 V之间变化 53.电路如图(a)、(b)所示。其中限流电阻R=2,硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V,正向压降为0.7V,动态电阻可以忽略。试求电路输出端A、B两端之间电压UAB的值。图(a) 图(b)【解题过程】 判断稳压管的工作状态: 1首先分析二极管开路时,管子两端的电位差,从
18、而判断二极管两端所加的是正向电压还是反向电压。假设是反向电压,那么当反向电压大于管子的稳定电压时,稳压管处于反向电击穿状态。否那么, 稳压管处于截止状态;假设是正向电压,但当正向电压大于其的死区电压时,二极管处于正向导通状态。 2在用上述方法判断的过程中,假设出现两个以上稳压管承受大小不等的电压时,那么应判定承受正 向电压较大者优先导通,或者在同样的反向电压作用下,稳定电压较小者优先导通,然后再用上述 方法判断其它二极管的工作状态。 根据上述稳压管工作状态的判断方法: 在图(a)示电路中,当管开路时,二个管子两端的反向电压均为20V。由于稳压管DZ1的稳定电压低, 所以DZ1优先导通。当稳压管
19、DZ1导通后,UAB= UZ1 =6 V,低于稳压管DZ2的击穿电压。故DZ1导通、 DZ2截止。UAB=6V。 在图(b)示电路中,当管开路时,二个管子两端的反向电压均为20V。由于稳压管DZ1 与DZ2的稳定电压之和为6+8=14V。故DZ1和 DZ2同时导通。UAB=14V。 习题二、半导体三极管及其放大电路 1.晶体管能够放大的外部条件是_a 发射结正偏,集电结正偏 b 发射结反偏,集电结反偏 c 发射结正偏,集电结反偏 答案:c2.当晶体管工作于饱和状态时,其_ a 发射结正偏,集电结正偏 b 发射结反偏,集电结反偏 c 发射结正偏,集电结反偏 答案:a3.对于硅晶体管来说其死区电压
20、约为_ a 0.1V b 0.5V c 0.7V 答案:b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_ a 0.1V b 0.3V c 0.5V 答案:b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。那么该管的为_ a 40 b 50 c 60 答案:c6.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_ a 越好 b 越差 c 无变化 答案:a7.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_ a 高 b 低 c 一样 答案:a8.温度升高,晶体管的电流放大系数 _ a 增大 b 减小 c 不变 答案:a9.温度升高,晶体管的管压降|UBE|_ a 升高 b 降低 c 不变
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