电子填空、选择、判断、简答.doc

《电子填空、选择、判断、简答.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电子填空、选择、判断、简答.doc（62页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、. .第一章 二极管及其应用一.填空题共20道1.利用半导体的特性，可制成和半导体。2.PN结最重要的特性是_，它是一切半导体器件的根底。3. 半导体最主要的导电特性是、和。4.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为_，常用的半导体材料有_和_等。5.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为_、_和_三类。6. PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位_。7. PN结正偏时，P区接电源的_极，N区接电源的_极；PN结反偏时，P区接电源的_极，N区接电源的_极。8.硅二极管的死区电压为V，锗二极管的为 V；导通管压降，硅管为V，锗管为V。9.当电压时，反向电流会急剧增大，这种现象称为。10

2、.发光二极管和光敏二极管也是常用的二极管，其中_是用来将光信号变成电信号的，_是作为显示器件用的。11. 晶体二极管是用一个PN结制成的半导体器件，它的最根本的性质是_，用伏安特性来描述。硅管的死区电压和正向压降比锗管的_，而反向饱和电流比锗管的_得多。12.发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。13. 有一锗二极管正反向电阻均接近于零，说明该二极管已_；有一硅二极管正、反向电阻均接近于无穷大，说明二极管已_。14.2CW是_材料的_二极管；2AP是_材料的_二极管；2DZ是_材料的_二极管；2AK是_材料的_二极管。15. 二极管实质上就是一个_，区的引出端叫_极或_极，N

3、区的引出端叫_极或_极。16. 二极管按用途分，有_二极管，_二极管，_二极管，_二极管，_二极管，_二极管，_二极管等。17.所谓二极管的反向特性是指。18. 二极管最主要的特性是_，它是指：PN结正偏时呈_状态，正向电阻很_小，大，正向电流很_(小，大)，PN结反偏时呈_状态，反向电阻很_小，大，反向电流很_ (小，大)。19. 在一样的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常_于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较_。20. 使用二极管时，应考虑的主要参数是_、_和。二.选择题共20道1. PN结正向偏置是指。AP区接电源的负极，N区接电源的正极BP区接电源的正极，N区接电源

4、的负极CP区和N区均接电源的正极2.杂质半导体比纯洁半导体导电能力。A强B弱C一样3.PN结正向偏置时。AP区接电源正极，N区接电源负极BN区接电源正极，P区接电源负极C电源极性可以任意调换D不接电源4.当外界温度升高时，半导体的导电能力。A不变 B增加 C显著增加 D先减小后增加5. PN结的最大特点是具有。A导电性绝缘性单向导电性6. 变容二极管在电路中使用时，其PN结是。 A正向运用 B反向运用 C. 正反向均可7.两只同型号的二极管，都加上1V的正向电压，假设甲管电流大，乙管电流小，那么。A.甲和乙均不好 B乙好 C甲和乙一样好 D甲好8. 测量二极管小功率的管脚极性时，万用表的电阻档

5、应选。AR1 BR10 CR100或R1k DR10k9.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V，判断二极管应是。A正偏 B反偏 C零偏10. 测量二极管反向电阻时，假设用两手将两管脚捏紧，其电阻值会。A变大 B先变大后变小 C变小 D不变11. 2AP9表示。AN型材料整流管 BN型材料稳压管CN型材料普通管 DN型材料开关管12.二极管正反向电阻相差。A越小越好 B越大越好C无差异最好 D无要求13. 加在二极管上的正向电压大于死区电压，其两端电压为( )。A.随所加电压增加而变大B. 0.7V左右C.随所加电压增加而减小D随所加电压增加变化不大14. 用万用表R100挡来测试二

6、极管，其中( )说明管子是好的。A正、反向电阻都为零B正、反向电阻都为无穷大C正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧15. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，那么该管。A根本正常 B击穿 C烧坏 D电流为零16.当加在硅二极管两端的正向电压从0开场逐渐增加时，硅二极管( )。A立即导通 B到0.3V才开场导通C超过死区电压时才开场导通 D不导通17. 用于整流的二极管型号是( )。A2AP9 B2CW14C C2CZ52B D2CK84A18.某二极管反向击穿电压为150V，那么其最高反向工作电压。 A约等

7、于150V B略大于150V C等于75V D.等于300V19.交通信号灯采用的是管。A发光二极管 B光电二极管 C变容二极管20.判断二极管的极性用万用表的挡。A直流电压 B直流电流C交流电流 D.欧姆三.判断题共20道1.( ) 本征半导体比杂质半导体导电能力强。2.( ) PN结是一种特殊的物质，一般情况下不能导电。3.( )半导体具有掺杂特性。4.( ) PN结是利用半导体的热敏特性而形成的。5.( ) PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。6.( ) 半导体随温度的升高，电阻会增大。7.( ) 光电二极管可以将光信号转化成为电信号。8. ( )二极管的正向电流越大二极管质量越高

8、。9. ( ) 硅二极管的正向压降比锗二极管的正向压降大。10.( )发光二极管可以接收可见光线。11.( )光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。12.( ) 有两个电极的元件都叫二极管。13.( ) 二极管加正向电压时一定导通。14.( ) 二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。15.( ) 不管是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3左右。16.( ) 二极管是线性元件。17. ( ) 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。18.( ) 二极管具有单向导电性。19. ( ) 当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压后，

9、其反向电流迅速增加。20. ( ) 二极管加反向电压时一定截止。四.综合题1.杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？2. 什么是PN结？PN结最根本的特性是什么？3. 什么是半导体？半导体有哪些特性？4.如下图的电路中，试求以下两种情况下输出端Y的电位VY及各元件R，DA，DB中通过的电流；1VA=VB=0V；2VA=+3V，VB=0V；5. 在以下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？6. 电路图如以下图所示，输入电压为正弦波，设二极管为理想元件，试画出uo的波形。7. 据表a)、b)所给输入值，判断二极管的工作状态。确定uo的值，并将结果填入表中。8. 在以下图所示电路中，设二极管是

10、理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求UAO=？9. 源极性或通过电流过大而损坏，常在表头处串联或并联一个二极管，如以下图所示。试分别说明为什么这两种接法的二极管都能对表头起保护作用？10. 从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？第二章.半导体三极管及其放大电路一.填空题共25题1. 当UCE不变时，输入回路中的和之间的关系曲线称为输入特性曲线。输入特性曲线是非线性的，而且有一定死区电压，硅管约为，锗管约为。当三极管充分导通时，其正向压降UBE近似等于一个常数，硅管约为，锗管约为。2. 当IB不变时，输出回路中的与之间的关系曲线称为输出特性曲线，该曲线可以分为三个区域，分别

11、称为区、区和区。3.某放大状态的晶体管，50，测得其IE2.04mA，忽略穿透电流，那么其IB为_mA4. 三极管的内部构造是由_ 、_和_及_结和_结组成的。三极管对外引出的电极分别是_、_和_。5.在三极管中IE与IB、IC的关系为，由于IB的数值远远小于IC，如忽略IB，那么ICIE。6.当三极管的发射结_，集电结_时，工作在放大区；发射结_，集电结_或_时，工作在饱和区；发射结_或_集电结_时，工作在截止区。7.晶体三极管用作放大器时，必须具备的外部条件是： _和_。8.假设共射根本放大器的RB太小，会使静态工作点沿直流负载线移，放大时容易产生失真。9. 在一放大电路中，如果静态集电极

12、电流偏大，那么电路的输出波形容易产生_失真；如果静态集电极电流偏小，那么电路的输出波形容易产生_失真；它们都是_失真。10.当放大电路不带负载时，共射极放大电路的电压放大倍数Au_。11.影响放大电路静态工作点稳定的因素有_的波动、_因老化而发生变化、_变化等，其中_的影响最大。12.从放大电路输入端看进去的等效电阻称为放大器的_，近似等于_；从放大电路输出端看进去等效信号源内阻称为放大电路的_，近似等于_。13.放大电路按三极管连接方式可分为_、_和_。放大器按放大信号的频率分有_、_和_等。14.放大电路中，静态工作点设置得太高，会使i的半周和uce的半周失真，称为_失真；静态工作点设置太

13、低时，会使ic半周和uce半周失真，称为_失真。根本放大电路中，通常通过调整_来消除失真。15. 在多级放大电路中，_的输入电阻是_的负载；_的输出电阻是_的信号源内阻；_放大电路输出信号是_放大电路的输入信号电压。16. 多级放大器电路中，每两个放大单元之间的连接方式称为耦合，常见的耦合方式有_、_、_和直接耦合四种方式。17.负反应可以稳定静态工作点，负反应能改善放大电路的动态性能。18.射极输出器也称为_，它的电压放大倍数_，输出电压与输入电压相位_。19.放大器引入交流负反应，电压放大倍数(增大或者减小)。放大倍数的稳定性增强或减弱，要稳定静态工作点，需要引入。20.常用功率放大器按照

14、输出端特点不同可分为_、_和_功率放大器。21.同时考虑反应网络的输入回路和输出回路，那么负反应电路可分为四种根本类型：、。22.电压负反应的作用是_，电流负反应的作用是_。23.所谓电压反应是指_;所谓电流反应是指_。24. 功率放大器的的主要任务是。功率放大器按工作状态可分为_放大器、_放大器和_放大器三类。25. 功放电路出现交越失真，可在两功放管之间串入，供应功放管一定的_，使之在静态时处于_状态，从而消除交越失真。二.选择题共25道1. 以下说法错误的选项是。 A适合各类三极管 B适合各类三极管 C所有三极管都要满足发射结正偏，集电结反偏 D所有三极管放大，三极管都要满足2.判别三极

15、管的发射极E和集电极C时，应该。A估测穿透电流Iceo B测量发射结和集电结的反向电阻C测量发射结和集电结的正向电阻 D测量是NPN还是PNP型管3. 晶体三极管的输入特性曲线呈。.线性.非线性.开场时是线性，后来是非线性.开场时是非线性，后来是线性4.使用三极管时，假设误将发射极当作集电极，那么。A三极管将损坏 B三极管放大倍数不稳定C三极管处于关断状态 D不会损坏，但是放大系数很小5. 用万用表判别三极管的管脚时，应该。A用R1挡或R10挡 B先判别出基极BC先判别出发射极E D不需判别是NPN还是PNP6.关于晶体三极管，下面说法错误的选项是。A有NPN和PNP两种 B有电流放大能力C发

16、射极和集电极不能互换使用 D等于两个二极管的简单组合7.用直流电压表测量NPN型三极管中管子各极电位是UB4.7V，UC4.3V， UE4V，那么该晶体三极管的工作状态是。 A截止状态 B饱和状态 C放大状态.击穿状态8.三极管是一种( )半导体器件。A电压控制的 B电流控制的C既是电压又是电流控制的 D. 功率控制的9. NPN型三极管放大器中，假设三极管基极与发射极短路，那么三极管A发射结正偏 B集电结正偏 C截止 D饱和10. NPN型晶体管构成的共射极放大电路，当RB减小时，IC将。A. 减小 B. 增加 C. 不变 D. 不能确定11.放大器的电压放大倍数在时增大。A负载电阻减小 B

17、负载电阻增大C负载电阻不变 D电源电压升高12.某放大器输入为正弦波信号，集电极电流输出波形如以下图，那么这种波形失真是。A. 饱和失真 B. 截止失真 C. 正常放大13. 在共射极放大电路的输入端参加一个正弦波信号，这时基极电流的波形为以下图中的哪一个。( )14.当放大电路设置适宜的静态工作点时，如参加交流信号，这时工作点将( )。A沿直流负载线移动 B. 沿交流负载线移动C. 不移动 D. 沿坐标轴上下移动15. 在单管共发射极放大电路中，其输出电压uo与输入电压ui。A. 频率一样 B. 波形相似 C. 幅度一样 D. 相位相反16. 放大器的静态是指。A输入信号为零 B. 输出信号

18、为零C. 输入、输出信号均为零 D. 输入、输出信号均不为零17.在分压式偏置电路中，RB1=20k，RB2=10 k，RC=2 k，RE=2 k，UCC=12V，=50，RL=2k。设UBEQ=0，Au为。A-51 B. -61 C. -71 D. -8118.带射极电阻RE的共射放大电路，在并联交流旁路电容CE，后其电压放大倍数A. 减小B. 增大 C. 不变 D. 变为零19.两级放大电路，Au1=-40，Au2=-50，假设输入电压Ui=5mV，那么输出电压Uo为( )。A.-200mV B.-250mV C.10V D.100V20. 一个三级放大器，工作时测得Au1=100，Au2

19、= -50，Au3=1，那么总的电压放大倍数是( )。 A51 B100 C-5000 D121.在以下图所示电路中引入了。A交流负反应 B直流负反应C交直流负反应 D直流正反应22.放大电路采用负反应后，以下说法不正确的选项是。 A放大能力提高了 B放大能力降低了 C通频带展宽了 D非线性失真减小了23. 射极输出器的特点之一是。A输入电阻大，输出电阻大 B输入电阻小，输出电阻大C输入电阻大，输出电阻小 D输入电阻小，输出电阻小24.乙类互补对称功率放大电路在正常工作中，晶体管工作在状态。 A放大 B饱和 C截止D放大或截止25. OCL电路采用的直流电源是。A正电源 B负电源 C正负双电源

20、 D不能确定三. 判断题 (共20道)1. ( ) 温度升高，三极管穿透电流增大，管子工作稳定性变差。2. ( ) 3DA1型三极管是硅管高频大功率晶体管。3. ( ) 三极管的输入特性与二极管的正向特性曲线相似。4. ( ) 三极管工作在放大区时，具有恒流特性，即IC不随IB增大而增大。5. ( ) 某晶体三极管的IB=10A时，IC=0.44mA；当IB=20A时，IC=0.89mA，那么它的电流放大系数为45。6. ( ) 发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。7.( ) 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料N型或P型构成的，所以，集电极和发射极可以互换使用。8. ( )

21、三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。9. ( ) 在共射极放大电路中，输出电压与输入电压同相。10. ( ) 放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真。11. ( ) 晶体管放大电路所带负载阻抗大小不一样，会使其电压放大倍数不一样。12. ( ) 信号源和负载不是放大器的组成局部，但它们对放大器有影响。13. ( ) 放大电路的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。14. ( ) 分析多级放大电路时，可以把后级放大电路的输入电阻看成是前级放大电路的负载。15. ( ) 射极输出器输出信号电压uo比输入信号ui相差UBEQ。16. (

22、 ) 假设将负反应放大器的输出端短路，那么反应信号也一定随之消失。17. ( ) 功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。18. ( ) 甲类功率放大器的效率低，主要是静态工作点选在交流负载线的中点，使静态电流CQ较大造成的。19. ( ) 射极输出器电压放大倍数小于1而接近于1，所以射极输出器不是放大器。20. ( ) 负反应能改善放大器的性能。四.综合题共10道1.如何用万用表的电阻挡判断某一个三极管是NPN型还是PNP型？如何确定它们的三个电极e、b、c？2. 假设测得放大电路中的几个三极管三个引脚对地的电位U1、U2、U3分别为下述数值，试判断它们是硅管还是锗管，是NPN型

23、还是PNP型？并确定三个电极。(1) U1=2.5V U2=6V U3=1.8V(2) U1=2.5V U2=-6V U3=1.8V(3) U1=-6V U2=-3V U3=-2.8V(4) U1=-4.8V U2=-5V U3=0V3. 为了模拟NPN型三极管的构造，把两个二极管以以下图所示方式连接起来，问给它加上适宜电压后是否具有电流放大作用？为什么？4.电路如以下图所示，UCC12V，RC3kW，40 且忽略UBE，假设要使静态时UCE9V，那么RB应取多少？输入电阻为多少？输出电阻为多少？5. 判断以下图所示电路有无正常的电压放大作用。6. 如以下图所示为NPN型晶体三极管组成的单管放

24、大电路，UCC12V，RB400k，RC4k，晶体管的40。假设晶体管的40，求静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ的值UBE忽略不计；假设将原三极管换成90的另一只同类型三极管，问电路能否正常工作？7. 画出以下图a、b、c所示电路的直流通路和交流通路。8. 以下图所示为共射极根本放大电路，假设三极管的UCC12V， RC3，UBE忽略不计(1)假设RB400k，50，试求静态工作点。(2)假设要把UCEQ调到2.4V，RB应调到多大阻值？(3)假设要把ICQ调到1.6mA，RB应调到多大阻值？9. 在以下图所示的电路中，RB160k，RB220k，RC3k，RE2k，RL6k，UCC16，5

25、0。求：静态工作点；输入电阻和输出电阻；空载和负载两种情况下的电压放大倍数；假设该三极管换成一只30的同类型晶体三极管，问该放大电路能否正常工作；(5) 分析电路在环境温度升高时稳定静态工作点的过程。10. 分析以下图电路中RF1和RF2引入反应的类型，并说明这些反应对放大器性能有何影响。第三章 集成运算放大器及其应用一.填空题共20道1.差动放大器的共模抑制比定义为其_和_之比。其数值越高，那么_能力越强。理想情况下应是_。2.两个大小_且极性_的输入信号称为共模信号；两个大小_且极性_的输入信号称为差模信号。3.放大直流信号时，放大器应采用的耦合方式为_。4.集成运放有和两个输入端。5.所

26、谓通用型，是指这种运放的_根本上兼顾了各方面的使用要求，没有特别的_，根本上能满足一般应用的需要。6.集成运算放大器一般由_、_、_和_几局部组成。7.比例运算放大器的闭环电压放大倍数与集成运放本身的参数，与外围电阻的比值有关，这是引入的结果。8.理想集成运放工作在非线性区时，当uPuN时，uo=_；当uPuN时，uo =_；而两个输入端的电流iP=iN=_。9.分析集成运放时，通常把它看成是一个理想元件，即_无穷大，_无穷大，_无穷大以及_为零。10. 集成运放工作在线性区的特点是输入电流_和输出电阻_；工作在非线性区的特点：输出电压只有_状态和净输入电流等于_；在运算放大器电路中，集成运放

27、工作在_区，电压比拟器工作在_区。11.集成运放线性应用时，电路中必须引入_才能保证集成运放工作在_区；它的输出量与输入量成_。集成运放非线性应用时，集成电路接成_或_状态，工作于_区。它的输出量与输入量_。12.为防止集成运放自激振荡，在补偿端子上接指定的_或_。13.由于运放_和_的存在，当输入电压为零时，输出电压并不为零，为此，当输入信号为零时，需将输出电压调零。14.产生零漂的原因有_、_、_，其中主要原因是_。15.衡量差动放大电路性能优劣的主要指标是_。16.为了克制零点漂移，常采用_差动放大电路和_差动放大电路。17.集成运放封装有_、_、等多种。18.集成运放线性应用的两个重要

28、概念为。19.一个理想运放应具备以下条件：1开环电压放大倍数Auo=_；2输入电阻rid=_；3输出电阻ro=_；4共模抑制比CMRR=_。20.集成运放线性应用时，电路中必须引入_才能保证集成运放工作在_区；它的输出量与输入量成_。集成运放非线性应用时，集成电路接成_或_状态，工作于_区。它的输出量与输入量_。二.选择题共20道1.差动放大器在差模输入时的放大倍数与电路中每一级根本放大电路的放大倍数的关系为。A一半 B相等 C二者之和 D二者之积2.差动放大器是利用( )抑制零漂的。A电路的对称性 B共模负反应C电路的对称性和共模负反应 D. 差模负反应3.长尾式差动放大电路中引入RE的原因

29、是( ) A提高差动放大电路的对称性以抑制零漂B引入差模信号的负反应以抑制零漂C减小每只晶体管集电极对地所产生的零漂D. 对差模信号和共模信号作用一样4.直流放大器级间常采用( )耦合方式。 A阻容 B变压器 C直接 D光电5.在运算电路中，集成运放工作在( )。 A饱和区 B开关状态 C放大区 D截止区6.集成运放制造工艺使得同类半导体管的( )。 A.指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C.参数一致性好。7.输入失调电压越大表示运放( )。A.放大倍数越大B.输入差放级的UBE的失配越严重C.输入差放级的不对称程度越严重8.用集成运算放大器组成模拟信号运算电路时，通常工作在( )。 A线

30、性区 B非线性区 C饱和区 D.放大状态9.假设一个实际的运算放大器越接近理想运放，那么它的( )。AAuo越小，rid越高 BAuo越大，rid越高CAuo越大，rid越小10.反相比例运算电路的一个重要特点是。A.反相输入端为虚地 B.输入电阻大C.电流并联负反应 D.电压串联负反应11.判断理想运放是否工作在线性区方法是( )。A. 看是否引入负反应 B看是否引入正反应C. 看是否开环 D. 看是否闭环12.过零比拟器实际上是( )比拟器。 A单门限 B双门限 C无门限13.不属于集成运放保护电路的是。A防止电源极性接反的保护 B输入、输出保护电路C过压保护电路 D过流保护电路14.集成

31、运放的保护有( )。A电源接反 B输入过压C输出短路 D自激振荡15.所谓差模输入信号是指两输入信号为( )。 A大小和相位都一样 B相位相反 C大小一样，相位相反16.选用差动放大电路的原因( )。A克制温漂 B提高输入电阻C提高放大倍数 D减小输出电阻17.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻。18.高精度型集成运放属于型。A通用型B专用型 C大功率型19.不属于集成运放的主要参数是。A输入失调电压 B输入失调电流C输入偏置电流 D输入偏置电压20.集成运算电压跟随器应是( )。AAuf =1 BAuf = CAuf =-1 D

32、. Auf =0三.判断题共20道1. ( ) 变压器耦合能使零点漂移信号传递到后级。2. ( ) 具有恒流源的差动放大电路，会影响差模信号的放大。3. ( ) 只要有信号输入，差动放大电路就可以有效地放大输入信号。4. ( ) 零漂是指输出端电压缓慢的不规那么的变化。5. ( ) 直接耦合放大电路是把第一级的输出直接加到第二级的输入端进展放大的电路。6. ( ) 集成运放组件中的电阻阻值不宜超过20K，需用高阻时，多用外接电阻或晶体管代替。7. ( ) 因为集成运放的实质是高放大倍数的多级直流放大器，所以它只能放大直流信号。8. ( ) 开环差模电压增益越高，构成的电路运算精度越高，工作也越

33、稳定。9. ( ) 集成运算放大器是具有高放大倍数的直接耦合放大电路。10. ( ) 集成运放工作在线性状态下，要实现信号运算时，两个输入端对地的直流电阻必须相等，才能防止偏置电流带来的运算误差。11. ( ) 运算放大器的输出电压在相位上与同相输入电压反相，与反相输入端的输入电压同相。12. ( ) 理想集成运放的同相输入端和反相输入端之间不存在虚短、虚断现象。13. ( ) 利用电压比拟器可将矩形波变换成正弦波。14. ( ) 电压比拟器是集成运放的线性应用。15. ( ) 集成运放非线性应用时，输出电压只有两种状态，即等于+Uom或-Uom。16. ( ) 在反相加法运算电路中，集成运放的反相输入端为虚地，流过反应电阻的电流根本上等于各输入电流之和。17. ( ) 集成运放在温度漂移可用外接调零装置来补偿。18. ( ) 集成运放的保护是利用二极管的限幅电路来实现的。19. ( ) 集成运放的调零都是通过调整调零电位器的阻值来实现的。20. (