8月微纳电子技术卷期中国半导体行业协会 .docx
《8月微纳电子技术卷期中国半导体行业协会 .docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《8月微纳电子技术卷期中国半导体行业协会 .docx(10页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、精品名师归纳总结“微纳电子技术 ” 2021年第 11 期专家论坛P621-InP 中的深能级杂质与缺陷 续纳 M 器件与技术P627-GeSi/Si 共振隧穿二极管P635- 小发散角量子阱激光器争论纳 M 材料与结构P639-MOCVD生长高 Al 组分 AlGaN 材料争论P643- 透亮导电薄膜对太阳能平板集热器性能的影响MEMS 器件与技术P647-RF MEMS开关的进呈现状P654-Research Progress of Passive Micromixers显微、测量、微细加工技术与设备P662- 扫描近场光学显微镜中探针样品间距掌握方法P668-CMP 承载器的初步争论微电
2、子器件与技术P672- 高亮度发光二极管封装用透镜胶争论进展P677-RFID 中 EEPROM 时序及掌握电路设计市场Invensense 公司获得 1 900 万美元 C 系列基金Yole 报告 2021 年轻引擎和微微投影仪市场手机 MEMS 产业的机遇美新孙聂枫 1,赵有文 2,孙同年 11. 中国电子科技集团公司第十三争论所专用集成电路国家重点试验室, 石家庄 050051 。 2. 中国科学院半导体争论所,北京100083 )纳 M 器件与技术P627-GeSi/Si 共振隧穿二极管郭维廉 1,2,31. 天津工业高校信息与通讯学院,天津300160 。 2. 专用集成电路国家重点
3、试验室, 石家庄 050051 。 3. 天津高校电子信息工程学院,天津300072 )摘要: GeSi/Si 共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD 和 GeSi/Si 带间共振隧穿二极管三种结构。着重争论了后两种 GeSi/Si 基 RTD 结构。指出 GeSi/Si 异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间 Ec),形成的电子势阱很浅,因此适用于空穴型 RTD 的研制。 n 型带内 RTD 只有通过应力 Si 或应力 GeSi 来实现,这种应力型 RTD 为带内 RTD 的主要结构。而带间 GeSi/SiRITD 就将成为更有应用前景的、性能较好的Ge
4、Si/Si RTD 器件结构。关键词: GeSi/Si 共振隧穿二极管。 GeSi/Si 异质结。 GeSi/Si 带间共振隧穿二极管。能带结构。材料结构P635-小发散角量子阱激光器争论李雅静 1,2,安振峰 2,陈国鹰 1,王晓燕 2 ,赵润 2 ,杜伟华 1,2,王薇 1,21. 河北工业高校信息工程学院,天津300130 。2. 中国电子科技集团公司第十三争论所,石家庄050051 )摘要: 使用三层平板波导理论分析了半导体量子阱激光器远场分布。针对大功率激光器争论了极窄和模式扩展波导结构方法减小垂直方向远场 发散角,得到了极窄波导结构量子阱激光器远场分布的简化模型,获得 了垂直发散角
5、的理论值,垂直方向远场发散角减小为28.6 。使用传输矩阵方法模拟了模式扩展波导结构量子阱激光器的近场光斑及远场分 布,垂直方向远场发散角减小为16。试验测试了极窄和模式扩展波导结构量子阱激光器的垂直发散角,理论结果与试验测试获得的发散角 基本一样,实现了降低发散角的要求,获得了小发散角量子阱激光器。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结关键词: 量子阱激光器。极窄波导。模式扩展。波导结构。发散角纳 M 材料与结构P639-MOCVD生长高 Al 组分 AlGaN 材料争论刘波,袁凤坡,尹甲运,刘英斌,冯震,冯志宏专用集成电路国家级重点试验室,石家庄 050051)摘要: 报道了用
6、MOCVD 在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN 基紫外探测器用的高质量 AlN、AlGaN 材料。通过优化 AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及/比等,得到了器件级高质量的AlN 、AlGaN 外延材料。 AlN 外延膜 X 射线双晶衍射 002 )面扫描曲线半高宽为 97 ,102 )面扫描曲线半高宽为 870 , Al0.6Ga0.4N 外延膜双晶衍射 002 )面扫描曲线半高宽为240 。使用原子力显微镜AFM )对两种样品 5 m5 m 区域的表面平整度进行了表征, AlN 外延膜的粗糙度 摘要: 在介绍透亮导电薄膜光学性质的基础上,分别争论了不怜悯形下,太阳能平板
7、集热器盖板采纳镀有透亮导电薄膜的玻璃对集热器的光热转换效率和保温性能的影响。结果说明,当集热器吸热板表面没有掩盖挑选性吸取涂层 ,在盖板玻璃下表面镀有透亮导电薄膜可以在肯定温度范畴内提高集热器的转换效率和保温性能,而当吸热板已掩盖有挑选性吸取涂层时,盖板玻璃再镀透亮导电薄膜,集热器辐射热损就削减很少,甚至不足以补偿由于玻璃透过率降低而增加的光反射缺失,在这种情形下,盖板不宜再采纳镀有透亮导电薄膜的玻璃。关键词: 透亮导电薄膜。挑选性涂层。光学特性。平板集热器。热效率可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结MEMS 器件与技术P647-RF MEMS开关的进呈现状严春早,许高斌,叶刘晓A
8、bstract: Ageneralreviewismadeonresearchofpassive micromixers,includingtypicalmixingelementprinciples,mixer configurations,microfabricationsandnumericalsimulations.Somemain passivemicromixingprinciples,suchasthemulti-laminating,chaotic advection,split-recombining, fluidtwistingandflattening,andthe ci
9、rculationflowarestudied,respectively.Emphasesare put on the micromixers using combined mixing principle to achieve high mixingefficiencyin low Re regime.Thesemixers generallyimprovethe mixing efficiencyby othersimpleoutside effects,suchas using the centrifugal force,geometry constriction and three-i
10、nlet structure,multi-inlet structure to increaseflows periodically.Asthe requestof low Re and high viscosity growing,moreand more attentionis paid on the design and researchof combined SAR micromixers,in which the split-recombining elements cancauserotationof fluid and the geometryconstrictionstruct
11、ureadopted can cut down the diffusion distance at the same time.These dramatically improvethe mixingefficiency,howevermakethe microfabricationmore可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结difficult.Key words : passive micromixer 。mixing principles 。high mixing efficiency 。multi-lamination 。chaotic advection 。split-re
12、combining.显微、测量、微细加工技术与设备P662- 扫描近场光学显微镜中探针样品间距掌握方法王昭,吴世法大连理工高校近场光学与纳M技术争论所,辽宁大连116024)摘要: 在动态原子力与近场光学扫描显微镜中,探针与样品的间距关系到辨论率以及扫描速度这两个最重要参数的性能。在对几种主要的动态 原子力 /扫描近场光学组合显微镜的探针/样品间距掌握模式分析的基础上,认为提高探针 Q 值是提高扫描显微镜辨论率的有效方法。但是, 对采纳检测掌握探针振幅模式,期望在提高辨论率的同时加快扫描成像 速度是不行实现的,因而限制了其进展的空间。而在检测掌握探针频率 模式下,提高探针 Q 值,可有效提高扫
13、描探针显微镜的辨论率,且不会制约扫描成像速度的提高。该结论为将来的纳M 操作和纳 M 超高密度光储备的有用化供应了可能,对大连理工高校近场光学与纳 M 技术争论所研制的原子力与光子扫描隧道组合显微镜 AF/PSTM )的改进和产业化具有积极意义。关键词: 动态原子力显微镜。近场扫描光学显微镜。间距掌握。掌握模式。扫描速度。辨论率P668-CMP 承载器的初步争论周国安 , 柳滨, 王学军 , 种宝春 , 詹阳中国电子科技集团公司第四十五争论所,北京101601)摘要: 在 CMP 中,由于抛光垫在与其接触的晶圆边缘产生反常压力点,以及转台和承载器旋转的线速度之差在边缘处较其他点大得多,从 而导
14、致了晶圆边缘效应的产生。阐述了承载器在CMP 中的作用,具体分析了边缘效应产生的缘由和克服的方法。在承载器上采纳与晶圆保持 适当间隙的保持环结构,对保持环施加适当的压力,使保持环和晶圆位 于同一抛光平面上。针对旋转式CMP 设备固有的线速度之差导致片内非匀称性增大的问题, 对 200 mm 晶圆划分两区域进行微压力补偿, 同时具体说明白压力补偿气路的设计和实现的功能,指出今后多区域微可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结压力补偿将采纳矩阵掌握技术。关键词: 化学机械平整化。边缘效应。多区域掌握。承载器。保持环微电子器件与技术P672- 高亮度发光二极管封装用透镜胶争论进展张文飞 ,
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 8月微纳电子技术卷期中国半导体行业协会 月微纳 电子技术 中国 半导体 行业协会
限制150内