电力电子技术期末总结(共11页).doc
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1、精选优质文档-倾情为你奉上#绪论:1. 电子技术的两大分支是什么? 信息电子技术与电力电子技术*2. 简单解释电力电子技术。 使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,即应用于电力领域的电子技术。3. 要学习的4种电力电子器件是什么? 器件:电力二极管、晶闸管、IGBT、POWER MOSFET 四种。*4. 电力变换器有哪几种? 交流变直流、直流变交流、直流变直流、交流变交流*5. 电力电子技术的应用?一般工业: 电化学工业;交通运输:电动汽车、航海;电力系统:柔性交流输电、谐波治理、智能电网;电子装置电源;家用电器:变频空调;其他:航天飞行器、发电装置。#第一章:1. *电力电子器件的分
2、类:半控型:晶闸管;全控型:电力MOSFET、IGBT;不可控型:电力二极管;电流驱动型:晶闸管;电压驱动型:电力MOSFET、IGBT;2. *应用电力电子器件的系统组成: 由控制电路和驱动电路和电力电子器件为核心的主电路组成。3. 电导控制效应: 电导控制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低,维持在1v左右,所以正向偏置的PN结表现为低阻态。4. 电力二极管的基本特征:1.静态特征:当电力二极管承受的正向电压大到一定值(门槛电压UTO),正向电流才开始明显增加,处于稳定导通状态。与正向电流IF对应的电力二极管两端的电压UF即为其正向电压降。2.动态特性:延迟时间:td= t1- t0
3、, 电流下降时间:tf= t2- t1 反向恢复时间:trr= td+ tf 恢复特性的软度:下降时间与延迟时间的比值tf /td,或称恢复系数,用Sr表示交界处电子和空穴的浓度差别,造成了各区的多子向另一区的扩散运动,到对方区内成为少子,在界面两侧分别留下了带正、负电荷但不能任意移动的杂质离子。这些不能移动的正、负电荷称为空间电荷。空间电荷建立的电场被称为内电场或自建电场,其方向是阻止扩散运动的,另一方面又吸引对方区内的少子(对本区而言则为多子)向本区运动,即漂移运动。扩散运动和漂移运动最终达到动态平衡,正、负空间电荷量达到稳定值,形成了一个稳定的由空间电荷构成的范围,被称为空间电荷区,按所
4、强调的角度不同也被称为耗尽层、阻挡层或势垒区。5. 电力二极管的主要参数:正向平均电流IF(AV)、正向压降UF、反向重复峰值电压URRM、最高工作结温TJM、反向恢复时间trr、浪涌电流IFSM6. 电力二极管的类型:普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管7. 晶闸管的静态特性和动态特性:1. 静态特性承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通;伏安特性类似二极管的反向特性;承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通,或:(p42 T1 参考答案)晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用;要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。延迟时间td、上升时
5、间tr、开通时间tgt td+ tr 反向阻断恢复时间trr、正向阻断恢复时间tgr、关断时间tq(tq=trr+tgr)8. 晶闸管的主要参数:电压定额、电流定额、动态参数9.电力MOSFET的基本特征:图1图1-21 电力MOSFET的开关过程a) 测试电路 b) 开关过程波形up脉冲信号源,Rs信号源内阻,RG栅极电阻,RL负载电阻,RF检测漏极电流, tr : Ugs 从开启电压Ut上升到MOSFET进入非饱和区的栅源电压Ugsp这段时间称为上升时间图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移
6、特性ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs10. IGBT基本特征:(1)开关速度高,开关损耗小。在电压1000V以上时,开关损耗只有GTR的1/10,与电力MOSFET相当(2)相同电压和电流定额时,安全工作区比GTR 大,且具有耐脉冲电流冲击能力(3)通态压降比VDMOSFET低,特别是在电流较大的区域(4)输入阻抗高,输入特性与MOSFET类似(5) 与MOSFET和GTR相比,耐压和通流能力还可以进一步提高,同时保持开关频率高的特点 优点:开关速度高,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,安全工作区:正偏安全
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