华中科技大学CMOS拉扎维第二章课后作业答案中文版(共13页).doc
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1、精选优质文档-倾情为你奉上CMOS Analog DesignHome work 1 SolutionBy: 张涛()2007年3月18日作业内容:一、书本上的习题2.22.5 (a)、(b)、(c)2.6 (a)、(b)2.72.152.82.182.24参考解答过程2.2.(1)对于NMOS,工作在饱和区时,有: = = (忽略沟长调制效应) =3.66mAV =20 A=73.3(2)对于PMOS,公式基本同上 = = (忽略沟长调制效应) =1.96mAV =10 A=19.62.5a.若不考虑二级效应,则 = 实际情况下,由于衬偏效应会影响 IXVX曲线图b.(1)当01时,S、D反
2、向VGS-VTH=1.2-VX VDS此时,NMOS处于S、D方向的三极管区(2)当11.2时,VGS-VTH=0.2VDS=VX-1 (未考虑衬偏效应)此时,NMOS处于正向导通的三极管区IX=(3)当VX 1.2时NMOS处于饱和区 = IXVX曲线图未考虑衬偏效应时的曲线若考虑衬偏效应,则VTH增大,当衬偏效应比较小,反向后仍有VGSVTH,曲线同上,当衬偏效应比较大时,VGSVTH,则MOS管在反向之后一直截止,曲线如下:IXVX曲线图考虑衬偏效应时的曲线(c)(1)0Vx0.3时,MOS管反向导通。(未考虑衬偏效应)VGS=1-VX VDS=1.9-VXVGS-VTH=0.3-VX0
3、.3时,MOS管截止IXVX曲线图考虑衬偏效应后,曲线与X轴的交点会该变位置2.6 |VGS|= |VDS|= 所以|VDS|VGS|-|VTH| PMOS处于饱区 = Gm= =IDVX曲线图Gm与VX曲线图 |VGS|= |VDS|= 所以VDSVGS-VTH PMOS处于饱区 = Gm= =IDVX曲线图Gm与VX曲线图2.7 (为了简化运算和分析,这里没有考虑二级效应)1.VOUT有电流通过R1产生,电路工作时,S、D反向。(1)当0VIN0.7时,MOS管截止VOUT=0(2)当0.7VIN1.7 VGS-VTH=VIN-VOUT-0.7 VDS=1-VOUT VGS-VTHVDSM
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- 华中科技大学 CMOS 拉扎维 第二 课后 作业 答案 中文版 13
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