模拟集成电路设计期末试卷(共10页).doc

《模拟集成电路设计期末试卷(共10页).doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模拟集成电路设计期末试卷(共10页).doc（10页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、精选优质文档-倾情为你奉上模拟集成电路设计原理期末考试 一填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按_比例_缩小，CMOS电路被证明具有_较低_的制造成本。2、 放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。3、为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，值_较小_（较大、较小）。4、源跟随器主要应用是起到_电压缓冲器_的作用。5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成_恒定电流源_。6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引

2、起差动输出的改变。7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为_共源共栅电流镜_结构。8、为方便求解，在一定条件下可用_极点结点关联_法估算系统的极点频率。9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容Cin为_ CF（1A）_。10、为沟长调制效应系数，值与沟道长度成_反比_（正比、反比）。二名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。2、亚阈值导

3、电效应解：实际上，VGS=VTH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当VGSVTH时，ID也并非是无限小，而是与VGS呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说，L实际上是VDS的函数，这种效应称为沟道长度调制。4、等效跨导Gm解：对于某种具体的电路结构，定义为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力5、米勒定理解：如果将图（a）的电路转换成图（b）的电路，则Z1=Z/(1-AV)，Z2=Z/(1-AV-1)，其中AV=VY/VX。这种现象可总结为米勒定理。6、N阱:解：CMOS工艺中，P

4、MOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，若衬底为P型，则PMOS管要做在一个N型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N型“局部衬底”叫做N阱。7、有源电流镜解：像有源器件一样用来处理信号的电流镜结构叫做有源电流镜。8、输出摆幅解:输出电压最大值与最小值之间的差。三画图题（每题8分，共16分）1、以VDS作为参数画出NMOS晶体管的IDVGS曲线。要求：（1）画三条曲线，VDS的值分别为VDS1、VDS2、VDS3，其中VDS1VDS2VDS3；有适当的分析推导过程，并标出曲线中关键转折点的坐标。（2）画两条曲线，VDS的值分别为VBS=0、VBS1/gm，则Gm1/RS，所以漏电流是输入

5、电压的线性函数。所以相对于基本共源极电路，带有源极负反馈的共源极放大电路具有更好的线性。4. 在传输电流为零的情况下，MOS器件也可能导通么？说明理由。 解：可能。当时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的VGS可以满足器件的导通条件，但是VDS很小，以至于没有传输电流五分析计算题（共34分）（下列题目中使用教材表2.1所列的器件数据，所有器件尺寸都是有效值，单位均为微米。）1、（7分）假设=0，计算图示电路的小信号增益（表达式）。解： 2、（9分）差动电路如图所示，ISS=1mA，VDD=3V，(W/L)1、2=(W/L)3、4=50/0.5。（1）假设=0，求差动电压增益；（2）=0.45

6、V-1时，如果ISS上的压降至少为0.4V，求最小的允许输入共模电平。解：（1）ID=0.5mA，gmN=3.6610-3，rON=2104，rOP=104，Av=-gmN(rON | rOP)=-24.4（2）VGS1=0.786+0.27=1.056V，Vin,CM=1.056+0.4=1.456V 3、（9分）(W/L)N=10/0.5，(W/L)P=10/0.5，IREF=100A，VDD=3V，加到M1、M2栅极的输入共模电平等于1.5V。（1）分别计算流过晶体管M3、 M4 、M5、 M6 、M7的电流；（2）假设=0，分别计算=0和=0.45V-1时P点电位。解：（1）I3=I4

7、=50A，I5=I6=200A，I7=500A（2）=0：VP=0.368V=0.45V-1：VTH1（VP=0.368V）=0.78V，VP1=0.288V；VTH2（VP1=0.288V）=0.764V，VP2=0.304；VTH3（VP2=0.304V）=0.767V，VP3=0.301；VTH4（VP3=0.301V）=0.766V，VP4=0.302；VTH5（VP4=0.302V）=0.766V，VP4=0.302.所以VP0.302V4、（9分）画出下图共源极高频模型的小信号等效电路，并利用小信号模型精确推导系统的极点频率。解：第三章 集成电路中的器件及模型1. 对MOS器件主要

8、关心的是器件的阈值电压，电流方程，器件的瞬态特性，小信号工作的模型。2. 阈值电压是一个重要的器件参数，它是MOS晶体管导通和截止的分界点。当VGSVT，而VDS=0时，在源漏区之间形成均匀的导电沟道，无电位差，无电流。当VDS0但比较小时，在源漏区有近似均匀的导电沟道，形成漏电流。当VDS=VGS-VT时，漏端反型层电荷减少到零，沟道在源端夹断。当VDSVGS-VT时，沟道夹断的位置向源端方向移动，形成耗尽区。3. K，K的关系：K是MOS晶体管的导电因子。K是本征导电因子。MOS晶体管的导电因子（K）由两方面因素决定：K晶体管宽长比（W/L）4. 亚阈值电流：MOS晶体管处于表面弱反型状态

9、，即亚阈值区，在其沟道中存在反型载流子，以扩散为主运动，而形成的电流。亚阈值斜率：亚阈值电流减小一个数量级所对应的栅电压的变化。5.MOS管瞬态特性：本征电容：与本征工作区电荷变化相联系的电容。寄生电容：包括覆盖电容，源漏区PN结电容。6. 大，小信号分别针对什么问题提出的？答：大信号针对数字电路提出的，小信号针对模拟电路提出的。7. 小尺寸器件的二级效应包括哪些方面，任选一种说明。答：包括：短沟道效应 窄沟道效应 饱和区沟道长度调制效应 迁移率退化和速度饱和 热电子效应短沟道效应（SCE）：MOS晶体管沟道越短，源漏区pn结耗尽层电荷在总的沟通区耗尽层电荷中占的比例越大，使实际由栅压控制的耗

10、尽层电荷减少，造成的值电压随沟道长度减小而下降。8. 本征晶体管的EM模型用来分析什么问题。答：晶体管饱和压降和工作电流的关系晶体管的输出曲线9. 集成双极晶体管的寄生效应有哪些？如何改善？答：无缘寄生：寄生电阻和电容与PN结和电流通过的路径相关联有缘寄生：由基极、集电极、隔离墙、衬底组成的PNP晶体管改善：在工艺加工中掺金，增加复合中心数量在集电区下设置n+埋层，加大寄生PNP管基区宽度在NPN管收集结上并连一个SBD10. EM2模型怎么来的？答：在本征EM模型基础上增加反映寄生效应的元件。11. 晶体管特征频率fT：晶体管交流输出短路共发射极电流增益（f）=1时的工作频率。12. 无源元

11、件分为：电阻器，电容器，电感器，（互连线）第四章1. COM反相器的直流噪声容限，开、关门电平分别针对什么？答：为了保证电路能正常工作，对电路的输入逻辑电平有一个允许的变化范围，这个范围就是直流噪声容限。它反映了电路的抗干扰能力，决定于电路所能承受的最差的输入逻辑电平。关门电平是电话允许的输入低电平的上限，而开门电平是电路允许的输入高电平的下限。2. CMOS反相器的设计。答：（1）为了使CMOS反相器有最佳性能，采用全对称设计：VTN=-VTP，KN=KP，因为全对称设计Vit=VPP，所以VNLM=VNHM=VDD且tr=tf，这样最有利于提高速度。（2）在实际工艺中，不可能获得完全对称设

12、计。因此取LN=LP=，WN=WP=WA，WP=2WN，WN=WA。（3）要求一个反相器在驱动1pF负载电容时tr和tf不超过0.5ns，采用0.6um工艺，VDD=5V，VTN=0.8V，VTP=-0.9V，KN=nCOX=12010-6A/V2，KP=PCOX=6010-6A/V2根据其中要求tr=0.5ns，则p=0.28ns又根据p=CL/KPVDD得KP=7.1410-4A/V2因则 要求PMOS管宽长比满足：同理 要求NMOS管宽长比满足：取LN=LP=0.6um 则 WN=6.9um，WP=14.28um在画版图时，MOS管的沟道宽度要根据实际情况取整3. CMOS与NMOS反相

13、器的比较答：从直流特性看 NMOS：负载元件常导通，是有比反相器，达不到最大逻辑摆幅，有较大静态功耗噪声容限。CMOS：NMOS，PMOS交替导通，是无比电路，可获得最大逻辑摆幅，有利于减小静态功耗，可获得最大的直流噪声容限。从瞬态特性看 NMOS：因为Kr1，使得trtf，因此限制了速度。CMOS：采用对称设计，使tr=tf，从而有利于提高速度。4. 什么叫上拉，下拉开关？答：在CMOS反相器中，NMOS管导通的作用是把输出拉到低电平，因此叫下拉开关。PMOS管导通的作用是把输出拉到高电平，因此叫上拉开关。把单个NMOS管和PMOS管换成一定串、并联关系。NMOS逻辑块叫下拉开关网络。PMO

14、S逻辑块叫上拉开关网络。5. 什么是类MOS，在什么情况下提出？答：因为静态CMOS逻辑门每个输入都有NMOS和PMOS两个管子，不利于减小面积和提高集成度，所以采用类MOS电路。类NMOS：只用NMOS管串，并联构成的逻辑功能块，上拉通路常导通的PMOS管代替PMOS逻辑功能块。类PMOS：只用PMOS逻辑块实现逻辑功能，下拉通路的NMOS逻辑块用常导通的NMOS管代替。6. 什么是富MOS，在什么情况下提出？答：为了避免形成直流通路，使上拉通路和下拉通路不能同时导通，故提出富MOS电路。用一对受时钟信号控制的NMOS管和PMOS管使上拉和下拉通路不能同时导通，用NMOS逻辑块实现逻辑功能，

15、NMOS管占大多数，叫富NMOS电路。7. 预充求值动态电路中的电荷分享成因及解决方法。答：若输入信号在求值阶段变化，会引起电荷分享，使输出信号受到破坏。出现条件：=0时A=0，=1时A=1，B始终为0结果：输出高电平下降，下降比例与两个电容比值有关解决方法：加反馈管和预充电管使输出电平恢复，克服电荷分享。8. 富MOS级联问题：为了避免预充求值动态电路在预充期间的不真实输出影响下一级电路的逻辑操作，富NMOS与富NMOS（或富PMOS与富PMOS）电路不能直接级联，而是采用富NMOS与富PMOS交替级联的方式。9. CMOS逻辑电路的功耗来源，及各自成因？答：（1）动态功耗：负载电容充、放点

16、所消耗的功耗。（2） 开关过程中的短路功耗：输入信号上升或下降过程中，直流导通电流引起的功耗。（3） 静态功耗：由泄漏电流导致的功耗。10. 双极型电路的成因及RTL电路的逻辑功能。答：双极型晶体管有较大的跨导，比MOS电路有更快的开关速度。RTL电路由双极单管反相器并联而成，输出电平VOUT的逻辑是C1和C2的“点与”。RTL是一种或非门逻辑，它的主要问题是噪声容限低。第五章1. 数字集成电路分类，差别？答：组合逻辑电路：无反馈，无记忆，输出仅与输入有关。时序逻辑电路：有反馈，有记忆，输出与输入和前级输出有关。2. 组合逻辑电路单元设计的基本过程。答：所需功能真值表逻辑表达式（优化，找到最适

17、合的结构形式，不一定得到最简的逻辑表达式）多种形式实际电路纸上进行优化（在考虑管子数目和串、并联关系条件下，进行优化）版图设计（反复优化，在工艺条件，性能要求和延迟时间前提下，尽量减小芯片面积）掩模板3.分析图与双稳反馈答：（1）图说明了在R-S锁存器基础上增加反馈线实现了J-K锁存器的原理，其中：与非门1和2是实现了输入转换控制与双稳反馈；与非门3和4构成了R-S锁存器，输入输出交叉耦合。（2） 当CK=0时，R-S数据锁存当CK=1时，J=K=0时，R-S锁存器输出保持不变J=0，K=1时，R-S锁存器输出低电平J=1，K=0时，锁存器输出高电平J=K=1时，R-S锁存器输出发生空翻，为了

18、避免，采用主从J-K触发器（3） 工作模式：先主求值，从保持；后主保持，从求值。第六章1. 输入、输出缓冲器缓冲器各自的特征和作用答：输入特征：两级反相级联：在输入反相器的PMOS管源上增加一个二极管，但会使这级反相器输出高电平变差，故再增加一个PMOS反馈管来改善CMOS施密特触发器，是一种阈值转换电路，有两个逻辑阈值电平，带来的回滞电压可改善其噪声效果作用：作为电平转换的接口电路改善输入信号的驱动能力输出特征：在CMOS集成电路中，用多级反相器构成反相器链作用：提高所需要的驱动电流使缓冲器的总延迟时间最小2. ESD保护电路如何产生，怎样保护？答：ESD指静电释放产生：在VLSI芯片四周环

19、绕有很长的电源线和地线，它们有较大的寄生电阻和电容，使ESD放电时间延迟，造成远离ESD的器件容易受到ESD损伤。保护：在芯片四边各放置一个电源对地的ESD钳位保护电路。3. 三态输出有哪三态，其逻辑符号有哪些？答：输出高电平状态有电流输出输出低电平状态有电流输入高阻态既不能有电流输出，也不能有电流输入逻辑符号：（请自己记住！）第七章1. MOS存储器的分类及区别答：随机存取存储器RAM：挥发性，断电存储内容不存在只读存储器ROM：不挥发性，存储内容长期保持2. RAM的分类及类别答：动态随机存取存储器DRAM：靠电容存储信息，单元电路简单，面积小，集成度高静态随机存取存储器SRAM：靠双稳态

20、电路存储信息，单元电路复杂，面积大，工作速度快3. 存储器总体结构的四个模块分别的作用答：存储单元阵列：构成存储器的核心译码器：对单元进行选择输入/输出缓冲器：使片内和片外信号匹配，满足电平和驱动能力的要求。时钟和控制电路：使存储器各部分的工作按一定时序进行4. DRAM单元结构和工作原理答：DRAM是由一个门管和一个电容构成的单管单元结构。门管的栅极接字线（WL）受行译码器控制，漏极接位线（BL）。各种泄漏电流会使电容存储的电荷丢失，通过增大存储电容的容量，减少泄漏电流。信息的写入：当写1时：预备动作：位线高电平过程：字线高电平门管导通位线向存储电容充电结果：存储节点的高电平当写0时：预备动作：位线低电平过程：字线高电平门管导通位线向存储电容放电结果：存储节点的低电平信息的读取：预备动作：位线预充电过程：字线高电平门管导通存储电容和位线电容发生电荷分享，VB0VR或VB1VRDRAM单元结构优点：结构简单，面积小，有利于提高集成度存在问题：存储信息不能长期保持，会由于泄漏电流而丢失单元读出信号微弱，破坏性读出解决办法：定期刷性 设置灵敏/再生放大器设计DRAM单元时需考虑两个因素：面积 性能为缩小面积提高性能需：缩小特征尺寸，减少氧化层厚度，提高单位面积电容量单元结构的改进材料的变革专心-专注-专业