半导体工艺控制标准(共5页).doc

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1、精选优质文档-倾情为你奉上有色金属-国际-SEMI半导体-硅材料工艺控制标准录入：王凯 2008-7-9人气：20 序号标准号标准名称所属委员会/卷号1SEMI MS1-0306晶片结合对准标线规范指南2SEMI MF 2166-0304通过使用特殊参考晶片监控非接触式电介质评定系统的方法3SEMI MF 2139-1103采用二次离子质谱法测量硅衬底上氮浓度的方法4SEMI MF 2074-1103硅及其他半导体材料晶片直径的测量方法指南5SEMI MF 1982-1103热解吸附气相色谱法评估硅片表面有机污染物的方法6SEMI MF1811-0704从表面轮廓数据估计功谱密度和相关加工参数

2、的指南7SEMI MF 1810-0304用于记录硅片择优腐蚀和加工表面缺陷的方法8SEMI MF 1809-0704表征硅中结构缺陷的腐蚀溶液的选择和使用指南9SEMI MF 1771-0304通过电压斜线上升技术评估栅极氧完整性的方法10SEMI MF 1763-0706线性偏光镜测试方法11SEMI MF 1727-0304硅抛光片表面氧化诱生缺陷的检测方法12SEMI MF 1726-1103硅片结晶学完整性分析规程13SEMI MF 1725-1103硅锭结晶学完整性的分析方法14SEMI MF 1724-1104采用酸萃取原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属沾污15SEMI MF 17

3、23-1104通过漂移区生长和光谱法评价多晶硅棒的方法16SEMI MF 1708-1104用区融和光谱分析仪评定粒状多晶硅的规程17SEMI MF 1630-0704单晶硅级杂质的低温FTIR分析测试方法18SEMI MF 1619-1105以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅片中间隙氧含量19SEMI MF 1618-1104硅晶片薄膜的不均匀性判定规程20SEMI MF 1617-0304二次离子质谱法测定硅和硅外延衬底表面上钠、铝和钾序号标准号标准名称所属委员会/卷号21SEMI MF 1569-0705半导体技术用统一参考材料的形成指南22SEMI MF 1535-1106

4、用微波反射非接触光电导衰减方法测试硅晶片载流子复合寿命的方法23SEMI MF 1530-1105用非接触自动扫描法测量硅片平整度、厚度和厚度变化的试验方法24SEMI MF 1529-1104用双配置程序的一列式四点探针法评定薄板阻抗不均匀性的方法25SEMI MF 1528-1104用二次离子质谱法测量重搀杂N型硅衬底中的硼污染的方法26SEMI MF 1527-1104用于硅电阻测量仪器校准和控制的参考材料和参考晶片的使用指南27SEMI MF 1451-1104用自动无接触扫描法测量硅片峰谷差的方法28SEMI MF 1392-1103用带汞探针的容量电压测量器测定硅晶片中净载流子密度

5、分布的测试方法29SEMI MF 1391-0704红外吸收法测试硅中替位碳原子含量30SEMI MF 1390-1104自动非接触式扫描法测量硅晶片翘曲度的测试方法31SEMI MF 1389-0704号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法32SEMI MF 1388-1106用金属氧化物硅电容器容量时间(C-T)法测定硅材料产生寿命 和生产速度的试验方法33SEMI MF 1366-0305用二次离子质谱法测量重掺杂硅衬底中氧含量的方法34SEMI MF 1239-0305用测量间隙氧减少方法测试硅晶片的氧析出特性35SEMI MF 1188-1105用短基线红外吸收法测试硅中间隙原

6、子氧含量36SEMI MF 1153-1106用电容电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法37SEMI MF 1152-0305硅片刻槽尺寸的测试方法38SEMI MF 1049-0304硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法39SEMI MF1048-1105测量全反射集成分散器的方法40SEMI MF 978-1106采用瞬时电容法标示深能级半导体实验方法序号标准号标准名称所属委员会/卷号41SEMI MF 951-0305测量硅片间隙氧径向变化的试验方法42SEMI MF 950-1106用角抛光和疵点侵蚀加工法测量机械加工硅片表面晶体损坏深度的试验方法43SEMI MF 928-0305圆

7、形半导体晶片及硬性磁盘基片的边缘轮廓的试验方法44SEMI MF 847-0705用X射线技术测量硅单晶片上的参考面结晶取向的方法45SEMI MF 728-1106尺寸测量用光学显微镜预置规范46SEMI MF 723-1105掺硼、掺磷和掺砷硅片的电阻率与掺杂剂浓度的换算惯例47SEMI MF 674-0705扩展电阻测量用硅的制备48SEMI MF 673-1105用非接触式涡流标尺测量半导体晶片电阻率或半导体薄膜薄层电阻的方法49SEMI MF 672-0706用扩展电阻探针测量硅晶片垂直于纵断面表面的电阻率的方法50SEMI MF 671-0705硅晶片及其他电子材料的参考面长度测量

8、方法51SEMI MF 657-0705用非接触扫描法测量硅片的翘曲度及总厚度变化的试验方法52SEMI MF 576-0706用椭圆对称法测量硅衬底上绝缘体厚度及折射指数的试验方法53SEMI MF 534-9796硅片的弯曲度测试方法54SEMI MF 533-0706硅片厚度及厚度变化的测试方法55SEMI MF 525-0705用扩展电阻探针测量硅片电阻率的方法56SEMI MF 523-0706硅抛光片的目检规程57SEMI MF 397-1106用二探针法测定硅棒电阻率的标准方法58SEMI MF 391-1106通过测量稳态硅表面光致电压确定硅中少数载流子扩散长度的试验方法59S

9、EMI M F 374-1105用直排四探针法测试硅外延层、扩散层、多晶硅和离子注入层的薄层电阻的试验方法60SEMI MF 154-1105鉴别镜面状硅片表面观察到的结构和沾污的指南序号标准号标准名称所属委员会/卷号61SEMI MF 110-1105用磨角和染色技术测定硅外延层或扩散层厚度的试验方法62SEMI MF 95-1105用红外线反射法测定重掺杂硅衬底上轻掺杂硅外延层厚度的试验方法63SEMI MF 84-1105用直排四探针法测量硅片电阻率的试验方法64SEMI MF 81-1105硅片径向电阻率变化测量方法65SEMI MF 43-0705半导体材料电阻率试验方法66SEMI MF 42-1105掺杂半导体材料导电类型试验方法67SEMI MF 28-1106光电导衰减测量法测定大块锗和硅中少数载流子寿命的方法68SEMI MF 26-0305测定半导体单晶体取向的方法69SEMI ME1392-3005在表面反射或散射的角分辨光散射测量指南专心-专注-专业