模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版)(共24页).docx
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1、精选优质文档-倾情为你奉上绪论一. 符号约定 大写字母、大写下标表示直流量。如:VCE、IC等。 小写字母、大写下标表示总量(含交、直流)。如: vCE、iB等。 小写字母、小写下标表示纯交流量。如: vce、ib等。 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如: 等。二 信号 (1)模型的转换(2)分类(3)频谱二.放大电路(1)模型(2)增益如何确定电路的输出电阻ro ?三频率响应以及带宽第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子
2、 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型-通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结 * PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V,锗材料约为0.20.3V。 * PN结
3、的单向导电性-正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性-正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性-同结。 *正向导通压降-硅管0.60.7V,锗管0.20.3V。 *死区电压-硅管0.5V,锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 u-时,uo=+Uom 当u+u-时,uo=-Uom 两输入端的输入电流为零: i+=i-=0 第七章 放大电路中的反馈一. 反馈概念的建立开环放大倍数闭环放大倍数 反馈深度环路增益: 1当时,下
4、降,这种反馈称为负反馈。 2当时,表明反馈效果为零。3当时,升高,这种反馈称为正反馈。4当时 , 。放大器处于 “ 自激振荡”状态。二反馈的形式和判断1. 反馈的范围-本级或级间。2. 反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存在反馈则为交流反馈,交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。 3. 反馈的取样-电压反馈:反馈量取样于输出电压;具有稳定输出电压的作用。 (输出短路时反馈消失) 电流反馈:反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。 (输出短路时反馈不消失)4. 反馈的方式-并联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电 流形式相叠加。Rs越大反馈效果
5、越好。 反馈信号反馈到输入端) 串联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电压 的形式相叠加。 Rs越小反馈效果越好。 反馈信号反馈到非输入端) 5. 反馈极性-瞬时极性法:(1)假定某输入信号在某瞬时的极性为正(用+表示),并设信号的频率在中频段。 (2)根据该极性,逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性(升 高用 + 表示,降低用 表示)。(3)确定反馈信号的极性。(4)根据Xi 与X f 的极性,确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反 馈;Xid 增大为正反馈。 三. 反馈形式的描述方法 某反馈元件引入级间(本级)直流负反馈和交流电压(电流)串 联(并联)负反馈。四. 负反馈对放大电路性
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