集成电路反向设计实验(共6页).doc
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1、精选优质文档-倾情为你奉上集成电路反向设计实验实验目的:掌握集成电路解剖的原理和方法;掌握集成电路反向分析的方法;了解集成电路反向设计的基本步骤。实验原理:反向设计是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理,实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉,可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题,也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。 1反向设计流程反向设计的流程如下:(1)提取横向尺寸打开封装,进行照相(把电路产品放大数百倍分块照相,提取集成电路的复合版图);n 打开外壳:用浓硫酸等方法打开塑料封装,露出管芯;n 芯片拍照:用光学显微镜进行排照,得到管芯外观图;n 去掉
2、钝化层,拍照,得到金属连线图;n 去掉金属层和绝缘介质层,拍照,得到下层金属或多晶硅版图;n 若为多层布线,重复上一步骤,得到各层版图;n 去掉所有外部各层,露出硅表面,染色区分p和n区,拍照。 拼图(把照片拼成整个产品的复合版图); 由产品的复合版图提取电路图、器件尺寸和设计规则; 进行电路模拟,验证所提取的电路是否正确; 如果模拟正确,可以着手画版图。 (2)提取纵向尺寸 用扫描电镜,扩展电阻仪等提取氧化层厚度、金属膜厚度、多晶硅厚度、结深、基区宽度等纵向尺寸和纵向杂质分布。(3)测试产品的电学参数 电学参数包括阈值电压,又称开启电压(VT)、薄膜电阻,又称方块电阻(R)、电流放大倍数()
3、、特征频率(fT)等。然后,在(2)和(3)的基础上确定工艺参数,制订工艺条件和工艺流程。已出现与计算机联网的显微镜,无需照相可直接进行版图分析。从版图中提取出电路图,进行仿真及功能分析、结构修改后,又转入正向设计。详见下表。自顶向下 由底向上 正向设计 行为设计结构设计逻辑设计电路设计版图设计系统划分、分解单元设计功能块设计子系统设计系统总成 反向设计 版图解析电路图提取功能分析结构修改逻辑设计电路设计版图设计 版图解析电路图提取功能分析单元设计功能块设计子系统设计系统设计 2反向设计软件集成电路的分析再设计全流程应包括:芯片和图像的预处理、网表和版图数据提取以及验证和再设计三部分。Film
4、shop和CLF系统不仅把三部分有机的结合起来,而且能够完成数字电路、模拟电路、数模混合以及ROM区码点等各种类型芯片的分析和再设计,因此,它们提供的是完美的解决方案,它不但能够满足各种电路类型的设计要求,而且可以极大地提高了工程师的分析效率和质量。 网表提取标准流程利用网表提取器ChipLogic Analyzer能够提取得到芯片的网表数据,并以标准格式(Verilog、SPICE和EDIF)输出。软件提供的线网自动提取算法和单元自动搜索算法可以很大程度地减少手工操作的工作量。同时,软件简化了引线孔、接触孔的放置操作,使得网表提取的效率大大提高。 ChipLogic Analyzer导出的是
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- 关 键 词:
- 集成电路 反向 设计 实验
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