计算机组成原理第三章习题(共4页).doc
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1、精选优质文档-倾情为你奉上第三章、内部存储器1、存储器是计算机系统中的记忆设备,它主要是用来_A.存放数据B.存放程序C.存放数据和程序D.存放微程序2、存储单元是指_A.存放一个二进制信息位的存储元B.存放一个机器字的所有存储单元集合C.存放一个字节的所有存储元集合D.存放两个字节的所有存储元集合3、计算机的存储器采用分级存储体系的主要目的是_A.便于读写数据B.减小机箱的体积C.便于系统升级D.解决存储容量、价格和存取速度之间的矛盾5、和外存相比,内存的特点是_A.容量大,速度快,成本低B.容量大,速度慢,成本高C.容量小,速度快,成本高D.容量小,速度快,成本低6、某单片机字长16位,它
2、的存储容量64KB,若按字编址,那么它的寻址范围是_A.64KB.32KC.64KBD.32KB7、某SRAM芯片,其存储容量为64K16位,该芯片的地址线和数据线数目为_A.64,16B.16,64C.64,8D.16,168、某DRAM芯片,其存储器容量为512K8位,该芯片的地址线和数据线数目为_A.8,512B.512,8C.18,8D.19,89、某机器字长32位,存储容量256MB,若按字编址,它的寻址范围是_A.1MB.512KBC.64MD.256KB10、某机器字长32位,存储容量4GB,若按字编址,它的寻址范围是_A.1GB.4GBC.4GD.1GB11、某机器字长64位,
3、存储容量4GB,若按字编址,它的寻址范围是_A.4GB.2GC.0.5GD.1MB12、某机器字长32位,存储容量4GB,若按双字编址,它的寻址范围是_A.4G B.5G C.8G D.2G13、某SRAM芯片,其容量为5128位,包括电源端和接地端,该芯片引出线的数目应为_A.23B.25C.50 D.1914、某微型计算机系统,其操作系统保存在硬盘上,其内存储器应该采用_A.RAMB.ROMC.RAM 和ROMD.CCD15、相联存储是按_进行寻址的存储器。A.地址指定方式B.堆栈存取方式C.内容指定方式D.地址指定方式与堆栈存取方式结合16、交叉存储器实质上是一种_存储器,它能_执行_独
4、立的读写操作。A.模块式,并行,多个B.模块式,串行,多个C.整体式,并行,一个D.整体式,串行,多个17、主存储器和CPU之间增加Cache的目的是_A.解决CPU和主存之间的速度匹配问题B.扩大主存储器的容量C.扩大CPU中通用寄存器的数量D.既扩大主存容量又扩大CPU通用寄存器数量18、以下半导体存储器,以传输同样多的字为条件,则读出数据传输率最高的是_A.DRAMB.SRAMC.FLASHD.E2PROM19、双端口存储器所以能高速进行读/写,是因为采用_A.高速芯片B.两套相互独立的读写电路C.流水技术D.新型器件20、双端口存储器在_情况下会发生读/写冲突?A.左端口与右端口的地址
5、码不同B.左端口与右端口的地址码相同C.左端口与右端口的数据码相同D.左端口与右端口的数据码不同21、下列因素中,与Cache的命中率无关的是_A.主存的存取时间B.块的大小C.Cache的组织方式D.Cache的容量22、下列说法中正确的是_A.SRAM存储器技术提高了计算机的速度B.若主存由ROM和RAM组成,容量分别为2n和2m,则主存地址共需要n+m位C.闪存是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器D.存取时间是指连续两次读操作所需间隔的最小时间23、下列说法中正确的是_A.多体交叉存储器主要解决扩充容量问题B.Cache与主存统一编址,cache的地址空间是主存地址空间的一部分C.
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