专用集成电路实验2---导线(共3页).doc

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1、精选优质文档-倾情为你奉上实验2 导线特性1 实验目的了解导线的RC特性和建模方法。2 实验内容设某层金属阻值为0.086欧姆/方。金属层导线长度为1300um，宽度为0.13um；其集总电容为0.1pf。设信号源为1.2V，内阻1K欧姆。利用Elmore延时公式计算、并使用下列模型仿真此导线的延时（50%至50%）以及上升和下降时间（10%至90%）。（1） 一个电阻、一个电容的集总模型；（2） 3型RC模型；（3） T3型RC模型。下面是当时编写的，自己都记不清了，问号是保存为记事本txt有问题。(a)INVa.options list node post.model m1 pmos le

2、vel=2.model m2 nmos level=2m1 out in vdd vdd?m1 L=0.250u?W=1.125um2 out in 0? 0? m1 L=0.250u?W=0.375ucl out 0 1pfvdd vdd 0 dc 2.5vin in 0 dc 2.5.op.dc vin 0 2.5 0.5 .print dc v(in) v(out).probe dc v(in) v(out).END(b)INVb.options list node post.model m1 pmos level=2.model m2 nmos level=2m1 out in vdd

3、 vdd?m1 L=0.250u?W=2.750um2 out in 0? 0? m1 L=0.250u?W=0.375ucl out 0 1pfvdd vdd 0 dc 2.5vin in 0 dc 2.5.op.dc vin 0 2.5 0.5 .print dc v(in) v(out).probe dc v(in) v(out).END(c)INVc.options list node post.model m1 pmos level=2.model m2 nmos level=2m1 out in vdd vdd?m1 L=0.250u?W=1.125um2 out in 0? 0?

4、 m1 L=0.250u?W=0.375ucl out 0 1pfvdd vdd 0 dc 2.5vin in 0 dc vd.data vd_table11.52.5.enddata.op.tran 100p 100n.print tran v(in) v(out).probe tran v(in) v(out).END(d)INVc.options list node post.model m1 pmos level=2.model m2 nmos level=2m1 out in vdd vdd?m1 L=0.250u?W=0.750um2 out in 0? 0? m1 L=0.250u?W=0.375ucl out 0 1pfvdd vdd 0 dc 2.5vin in 0 dc 2.5.op.tran 100p 100n.print tran v(in) v(out).probe tran v(in) v(out).END专心-专注-专业