光电技术应用及发展展望(共4页).docx

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1、精选优质文档-倾情为你奉上光电技术应用及发展前景43年前，世界上第一台红宝石激光器诞生。那是的人们可能还没有意识到，由这台激光器引发、孕育出的光电技术将会给人类的生活带来翻天覆地的变化。随着光电子技术的发展，当今社会正在从工业社会向信息社会过渡，国民经济和人们生活对信息的需求和依赖急剧增长，不仅要求信息的时效好、数量大，并且要求质量高、成本低。在这个社会大变革时期，光电子技术已经渗透到国民经济的每个方面，成为信息社会的支柱技术之一。总之，光电子技术具有许多优异的性能特征，这使得它具有很大的实用价值。而今天，光电子产业已经成为了21世纪的主导产业之一，光电子产业的参天大树上也结出了丰富的果实，它

2、们包括但不限于光通信、光显示、光存储、影像、光信号、太阳能电池等，也可以简单地把现在的光电子产业分为信息光电子（光纤光缆、光通讯设备等）、能量光电子（激光器、激光加工成套设备、测控仪表、激光医疗设备等）和娱乐光电子（VCD、DVD等）等方面。而本文将介绍光电子技术在以下几个领域的应用前景：光通信：目前，光通信网络行业进入高速发展期，以光纤为技术基础的网络通信现在已经覆盖了许多地区，我国的光通信技术也走在世界前沿。2011年，武汉邮科院在北京宣布完成“单光源1-Tbit/s LDPC 码相干光OFDM 1040公里传输技术与系统实验”，这一传输速率是目前国内商用最快速率（40Gb/s）的25倍。

3、十年发展，光通信商用水平的最高单通道速率增长16倍，最大传输容量增长160倍。2005年，邮科院实现了全球率先实现在一对光纤上4000万对人同时双向通话。2011年7月29日，该院在全球率先实现一根光纤承载30.7Tb/s信号的传输，可供5亿人同时在一根光纤上通话，再次刷新了世界纪录。而正在研制中的科技开发项目，有望在2014年实现12.5亿对人同时通话。这一技术打破了美国在该领域保持的单光源传输世界纪录。在2012年的中国光博会上，新技术新产品层出不穷。随着“宽带中国”上升为国家战略，中国得天独厚的优势将使光通信制造企业信心十足。通过对各技术分支专利的分析看出，光传输物理层PHY和光核心网O

4、CN已相对成熟和大规模商用，PHY作为各类网络传输技术的基础，既有相对成熟、淡出主流研究视野的部分，也有业界正致力于寻求最佳方案的技术点；无光源网络PON技术作为世界普遍应用的接入网技术，在“光纤到户”、“三网融合”等概念家喻户晓的今天，已成为各国基础设施建设投资中不可或缺的一部分；分组传输网PTN既是新兴技术，又得到了相对广泛的商用，其在移动回传中的应用使其成为下一代移动通信网络建设中的一种较优的可选方案，同时相应技术标准正在争议中发展，其技术发展将带来难以估量的商机；智能交换光网络ASON技术和全光网AON技术是光通信网络技术中的前沿技术，目前处于研发的活跃期。此外，复旦大学近期研发的可见

5、光通讯技术也是光通信的发展前景之一，通过给普通的LED灯泡加装微芯片，使灯泡以极快的速度闪烁，就可以利用 灯泡发送数据。而灯泡的闪烁频率达到每秒数百万次。通过这种方式，LED灯泡可以快速传输二进制编码。但对裸眼来说，这样的 闪烁是不可见的，只有光敏接收器才能探测。这类似于通过火炬发送莫尔斯码， 但速度更快，并使用了计算机能理解的字母表。 使用标准的LED照明灯，哈斯与他的同事戈登波维创建的研究小组已经达 到了两米距离的130兆比特每秒的传输速度。 随着白炽灯、荧光灯逐渐退出市场并被LED取代，未来任何有光的地方都可 以成为潜在的LiFi数据传输源。 想象一下这样的场景：在街头，利用路灯就可以下

6、载电影；在家里，打开台 灯就可以下载歌曲；在餐厅，坐在有4灯光的地方就可以发微博；即便是在水下， 只要有灯光照射就可以上网。 LiFi另一个巨大的好处是在任何对无线电敏感的场合都可以使用，比如飞机上、手术室里等。光显示：近年来，人们对显示产品高清、轻薄、节能的需求不断深化，显示领域新技术不断涌现，带动显示产业高速增长，已成为国家科技创新的重点领域和国民经济发展的支柱产业。目前，液晶如日中天，有机发光显示（OLED）蓄势待发。OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物(ITO)，与电力之正极相连，再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了：空穴传输层(HTL)、发

7、光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色，构成基本色彩。OLED的特性是自己发光，不像TFT LCD需要背光，因此可视度和亮度均高，其次是电压需求低且省电效率高，加上反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低等，被视为 21世纪最具前途的产品之一。有机发光二极体的发光原理和无机发光二极体相似。当元件受到直流电（Direct Current；DC）所衍生的顺向偏压时，外加之电压能量将驱动电子（Electron）与空穴（Hole）分别由阴极与阳极注入元件，当两者在传导中相遇、结合，即形成所谓的电

8、子-空穴复合（Electron-Hole Capture）。而当化学分子受到外来能量激发後，若电子自旋（Electron Spin）和基态电子成对，则为单重态（Singlet），其所释放的光为所谓的荧光（Fluorescence）；反之，若激发态电子和基态电子自旋不成对且平行，则称为三重态（Triplet），其所释放的光为所谓的磷光（Phosphorescence）。当电子的状态位置由激态高能阶回到稳态低能阶时，其能量将分别以光子（Light Emission）或热能（Heat Dissipation）的方式放出，其中光子的部分可被利用当做显示功能；然有机荧光材料在室温下并无法观测到三重态的磷

9、光，故PM-OLED元件发光效率之理论极限值仅25%。很多手机厂商使用OLED技术研发出了可弯曲的AMOLED屏幕，2013年1月，LG电子在CES上全球首次发布LG曲面OLED电视，这表明全球进入了大尺寸OLED时代。9月13日，LG电子在北京召开电视新品发布会，推出中国第一款LG曲面OLED电视LG55EA9800-CA，这标志着中国的OLED电视时代正式来临。据市场研究公司iSuppli最新发表的研究报告称，2013年全球OLED（有机发光二极管）电视机出货量将从2007年的3000台增长到280万台，复合年增长率为212.3%。从全球销售收入看，2013年全球OLED电视机的销售收入将

10、从2007年的200万美元增长到14亿美元，复合年增长率为206.8%。iSuppli称，OLED显示技术要对市场产生真正的影响还需要克服一些挑战。首先，AMOLED显示屏制造工艺还不充分。随着显示屏尺寸的加大，成品率损失和制造损失也越来越大。此外，OLED显示屏材料的使用寿命仍需要提高。AMOLED供应商不能保证产量。不过，OLED电视机也有许多优点。OLED电视不需要背光，因此比其它技术更省电和更多做的更薄。OLED电视响应时间非常快，在观看电视的时候没有移动模糊的现象。此外，OLED电视比其它技术的色彩更丰富。光存储目前主要的光存储技术有光盘存储技术、全息存储技术等，而多阶光存储技术、高

11、清晰光存储技术等也在研发、实践过程中。其中多阶光存储是目前国内外光存储研究的重点之一，缘于它可以大大地提高存储容量和数据传输率。在传统的光存储系统中，二元数据序列存储在记录介质中，记录符只有两种不同的物理状态，例如只读光盘中交替变化的坑岸形貌。多阶光存储是读出信号呈现多阶特性，或者直接采用多阶记录介质。多阶光存储分为信号多阶光存储和介质多阶光存储。而对于高清晰度的光存储技术，随着高清晰度电视系统的出现及使用，更高画面质量和音质节目的出现意味着需要更大容量和更高性价比的物理载体。国内外相继推出了各种高清晰度光盘技术方案，如采用红光技术的EVD、NVD、FVD和采用蓝光技术的BD、HD DVD、C

12、BHD。如红光技术中的EVD技术，是我国企业联合研发的基于红光技术的光存储技术。代表企业为北京阜国数字技术有限公司(开发EVD主体系统)、今典环球公司(负责EVD片源的供应)、新科电子公司(最先推出EVD影碟机的厂商)。EVD的主要特点是：在不改变DVD物理格式的前提下，使用部分新的音视频编码技术，如在视频部分EVD可使用MPEG-2、H264、WMV一9、AVS等，在音频方面使用EVD独有的EAC音频编码技术。而蓝光技术中的HD DVD也采用蓝紫光技术，盘片容量为单面单层1 5 GB、双层30 GB，双面单层30 GB、双层60 GB。HD DVD采用MPEG-4、H264、WMV一9和MP

13、EG-2视频编码，音频采用Dolby Digital Plus、DTS、Dolby Digital和MPEG Audio等有损编码和LPCM、MLP和DTS HD等无损编码。HD DVD兼容现有DVD，生产成本也较低。激光技术对于激光技术的发展前景，最近比较热的是3D打印技术和光刻机。3D打印技术分为很多种，主要有：以高分子聚合反应为基本原理的：激光立体印刷术（Stereolithography， SLA，有著名的Objet（已和Stratasys合并）和FormLabs为代表）, 高分子打印技术（Polymer Printing）, 高分子喷射技术（Polymer Jetting）, 数字化

14、光照加工技术（Digital Lighting Processing）, 微型立体印刷术（Micro Stereolithography）。其中SLA全称Stereolithography（立体印刷术）。它用激光选择性地让需要成型的液态光敏树脂发生聚合反应变硬，从而造型。SLA有两大类，一种是Objet为代表的，从下到上打印的。另一种是FormLabs为代表的，从上往下打印的。以烧结和熔化为基本原理： 选择性激光烧结技术（Selective Laser Sintering， SLS，3D打印行业龙头老大3D System的看家本领）, 选择性激光熔化技术（Selective Laser Mel

15、ting, SLM）, 电子束熔化技术（Electron Beam Melting， EBM）。而其中SLS全称Selective Laser Sintering（选择性激光烧结）。和SLA类似，SLS使用激光。和SLA不同的是，SLS用的不是液态的光敏树脂，而是粉末。激光的能量让粉末产生高温和相邻的粉末发生烧结反应连接在一起以粉末-粘合剂为基本原理：三维打印技术（Three Dimensional Printing, 3DP，MIT在90年发明的，Zcorp（已被3D Systems收购）、EOS和voxeljet是杰出代表），而这种技术是一种以数字模型文件为基础，运用粉末状金属或塑料等可粘

16、合材料，通过逐层打印的方式来构造物体的技术。3D打印机则出现在上世纪90年代中期，即一种利用光固化和纸层叠等技术的快速成型装置。它与普通打印机工作原理基本相同，打印机内装有液体或粉末等“印材料”，与电脑连接后，通过电脑控制把“打印材料”一层层叠加起来，最终把计算机上的蓝图变成实物。目前最先进的光刻技术采用的是浸入式光刻技术，浸入式光刻的原型实验在上世纪90年代开始陆续出现。1999年，IBM的Hoffnagle使用257nm干涉系统制作出周期为89nm的密集图形。当时使用的浸入液是环辛烷。但因为当时对浸入液的充入、镜头的沾污、光刻胶的稳定性和气泡的伤害等关键问题缺乏了解，人们并未对浸入式光刻展

17、开深入的研究。2002年以前，业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm技术节点，而157nm将成为主流技术。然而，157nm光刻技术遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。这是由于绝大多数材料会强烈地吸收157nm的光波，只有CaF2勉强可以使用。但研磨得到的CaF2镜头缺陷率和像差很难控制，并且价格相当昂贵。雪上加霜的是它的使用寿命也极短，频繁更换镜头让芯片制造业无法容忍。正当众多研究者在157nm浸入式光刻面前踌躇不前时，时任TSMC资深处长的林本坚提出了193nm浸入式光刻的概念。在157nm波长下水是不透明的液体，但是对于193nm的波长则是几乎完全透明的。并且水在193nm的折射率高达

18、1.44，而可见光只有1.33！如果把水这样一种相当理想的浸入液，配合已经十分成熟的193nm光刻设备，那么设备厂商只需做较小的改进，重点解决与水浸入有关的问题，193nm水浸式光刻机就近在咫尺了。同时，193nm光波在水中的等效波长缩短为134nm，足可超越157nm的极限。193nm浸入式光刻的研究随即成为光刻界追逐的焦点。在晶圆代工领域，浸入式光刻应用在45nm量产已成为普遍共识。至于45nm以下的32nm或22nm技术节点，采用何种光刻技术却面临业界看法的分歧。现在可以预见的三条路径是：通过采用折射率更高的浸入液、光刻胶以及光学材料进一步提高数值孔径，进而满足更高的分辨率需求；在维持现

19、有浸入式光刻技术的前提下，依靠双重曝光或双重成像技术满足更高的分辨率需求；极紫外光刻技术(EUV)。根据ITRS预测，随着合适的光刻胶和掩膜版技术的发展，193nm浸入式光刻配合双重图形极有希望成为32nm节点的主流工艺。不过双重图形技术还存在套刻精度以及由一次光刻变为两次光刻所引起的生产效率下降等问题。虽然这些双重曝光步骤只可能用于最关键的器件层，但无论如何，生产能力下降始终是芯片制造商无法泰然处之的问题。至于更小的技术节点，EUV的采用在目前看来也许是大势所趋。太阳能电池太阳能电池一向为人所诟病的是光电转化效率，实验室所研发的硅基太阳能电池中，单晶硅电池效率为25.0%，多晶硅电池效率为2

20、0.4%，CIGS薄膜电池效率达19.6%，CdTe薄膜电池效率达16.7%，非晶硅(无定形硅)薄膜电池的效率为10.1%，而我们熟知的晶硅电池分为单晶和多晶，区别在于所用硅片。单晶硅片由多晶硅原料经拉晶炉拉成单晶棒后再切片制成，多晶硅片是由多晶硅料经铸锭炉铸成多晶硅锭后再切片制成。由于多晶硅电池的制作工艺与单晶硅电池差不多。但就转换率看，目前单晶硅电池转换率普遍在16%18%，多晶硅电池普遍转换率在15%16%。从制作成本比较，多晶硅电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，得到了大量发展。因此多晶硅电池占到晶硅电池量的2/3，占太阳能电池市场份额55%以上。但是，多晶硅虽然

21、成本占据优势，除了上述转换率低于单晶硅外，其使用寿命也比单晶硅太阳能电池短。而目前研发的转化效率较高的电池主要有：1.博世太阳能（阿恩施塔特，德国）和哈梅林太阳能研究所（ISFH，Emmerthal，德国）已经使用离子注入指叉背结背接触（IBC）技术，产生出了22.1的高效晶体硅（C-Si）的太阳能光伏（PV）电池。这是一个博世SE和ISFH的IBC技术的联合开发计划。正方形的156毫米太能能板子上的光伏电池已达到5.32瓦峰值输出，创造了单晶硅光伏电池的记录，组织预计使用该技术将实现更高的电池输出。中电光伏(CSUN)日前宣布其单晶太阳能电池转换率再创纪录，达20.26%。中电光伏称其新款破

22、纪录电池是对公司前几代电池产品-Waratah和QSAR-的结合与突破。通过在传统硅片上使用新结构设计，中电光伏获得了在中国光伏企业内引领转换率水平的ISE认证。晶澳太阳能8月宣布公司旗下“博秀”P-型单晶太阳能电池转换效率已突破20%。而此前不久，公司多晶硅太阳能电池效率也已达到业界领先的18.3%。至此，晶澳太阳能旗下单多晶电池转换效率均已超过光伏“国八条”里规定的20%及18%的准入门槛，可谓是意义重大。其他此外，光电技术的发展前景还有许多，比如内窥镜定位系统、光学计算机等，其中光学计算机的研发能够使计算机集成度更高、运算速度更快，科学家估计，到本世纪末，光学计算机可能导致开发出以光为基础的超级计算机，它的运算速度将比现有计算机快1万倍。可以预见，这又将带来计算机领域的革命。专心-专注-专业