化工结晶单选练习题(共2页).doc

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1、精选优质文档-倾情为你奉上一.单项选择题（每小题2分，共20分）1.下列不属于溶液结晶的是（A）A 熔融结晶 B 蒸发结晶C 盐析结晶 D 反应结晶2. 当溶液处于（B）时，表现为过饱和溶液瞬间析出较多晶核。A 稳定区 B 不稳区C 介稳区 D 亚稳区3.关于极限过饱和度，下列说法错误的是（C）A任何一种杂质的引入都会引起极限过饱和度的变化B用沃利梅尔速率方程式测定第一极限过饱和度，不需要考虑时间因素C 在一般情况下，固相杂质促使极限过饱和度升高D极限过饱和度与新相产生的速率有关4.关于晶核与结晶中心，下列说法正确的是（D）A结晶中心是与不稳定液相处于平衡状态的粒子B晶核为一种能够继续长大的新

2、相粒子C结晶中心的大小受某些因素限制 D 都是生长着的晶体5.下列关于晶体的生长，错误的是（B）A单核生长的特点是成核时间大大超过单层生长时间B多核生长机理适用相对过饱和度较高的体系C层生长理论认为晶体生长过程是晶面层层外推的过程D二维生长机理的适用条件为溶质浓度不小于溶解度的101%-102%6.下列有关结晶动力学的说法错误的是（C）A多温结晶的特点是速率常数不是恒定的B诱导期时间、结晶速率及其最大值、过程阶数都属于结晶过程的动力学特征参数C结晶时间是指结晶开始至某时刻t的时间段，并且包括诱导期D过饱和度增大的速度主要依赖于系统的冷却速度7. 杂质对成核速率的影响，可由（A）判断。A 溶解度

3、的变化 B 温度的变化C 压力的变化 D诱导期的变化8.关于结晶分离，下列说法错误的是（B）A不同的熔化温度可作为结晶分离的依据B 结晶法不可分离沸点相近的混合物C 结晶法可分离热稳定性差的混合物D. 结晶分离消耗能量小9.下列不属于影响结晶产品纯度因素的是（D）A 母液 B 晶体粒度C 晶簇 D 晶核大小10下列说法错误的是（C）A 吸湿点越高，化合物的吸湿能力越差B 结晶条件对于极限过饱和度的值有直接的影响C 低过饱和度下的晶体生长与结构缺陷无关D晶体粒度分布与晶习改变与否有关一.单项选择题（每小题2分，共20分）1.下列不属于晶体基本特性的是（ C ）A 自范性 B 各向异性C 最大内能

4、性 D 稳定性2.下列公式表示绝对过饱和度的是（A）A. C-Ceq B C-Ceq）/ CeqC Tf-T D C/Ceq3.当溶液处于（ C ）时，表现为溶液过饱和，无加晶种等外界扰动作用下，不发生晶核的自发形成A 稳定区 B 不稳区C 介稳区 D 过饱和曲线4.下列方法不属于测定第一极限过饱和度的是（ D ）A 沃利梅尔速率方程式 B 托弗宾和克拉斯诺娃法C 求得某一浓度 D 什雷科夫和戈尔巴切夫法5.晶核与结晶中心的共同点是（B ）A 不稳定液相处于平衡状态的粒子 B 生长着的晶体C 一种能够继续长大的新相粒子 D 一种能作为生成新相基础的其它固体粒子6.下列说法错误的是（ B）A 二

5、维生长机理的适用条件:过饱和系数S1.01-1.02B.多核生长机理适用相对过饱和度较高的体系C 低过饱和度下的晶体生长与结构缺陷有关D 阶梯状生长属于层生长理论的范畴7.影响晶体生长最主要的因素为（ A ）A 温度 B 压力C 搅拌强度 D 过冷度8.下列关于诱导期的说法错误的是（ B ）A 相变发生时的潜伏转变时期B 范围比较窄，通常只有几秒C 诱导期的延续时间与温度有关D 诱导期的延续时间取决于过冷度9.下列关于吸湿性正确的是（ A ）A 吸湿点越高，吸湿性越差B 混合盐吸湿性具有直接的加和性C 吸湿点取决于温度, 吸收系数与温度无关D 物质的结块性与吸湿性无关10.关于晶体粒度分布错误的是（ C ）A 晶体粒度分布与晶体的成核速率、生长速率有关B 晶体粒度分布与晶习改变与否有关C 晶体粒度，不受出现结晶中心的时间影响D 可通过杂质调节晶核数，进而调节粒度专心-专注-专业