基于DS18B20的温度采集系统设计(共25页).doc
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1、精选优质文档-倾情为你奉上 2012 2013 学年 第 2 学期 单片机原理与应用课 程 设 计 报 告 题 目:基于DS18B20的温度采集系统设计 专 业: 自动化 班 级: 电气工程系2013年5月3日任务书 课题名称基于DS18B20的温度采集系统设计指导教师(职称)林开司设计目的 (1)学会LED数码管的显示方法;(2)学会使用pertues仿真软件进行电路仿真;(3)熟悉DS18B20的相关知识,并学会使用该传感器进行温度检测的编程方法。(4)通过基于数码管的DS18B20温度传感器的温度采集系统设计的 实践,从而加强我们对单片机专业基础知识的认识和兴趣,培养我们 综合运用所学知
2、识,发现,提出,分析和解决实际问题,锻炼实践能力。设计要求要求:设计一个基于DS18B20的温度控制系统,其可实现的功能为:(1)使用DS18B20温度传感器采集当前的温度,并采集的温度值送数码管显示。(2)设计温度的上下界限,超过温度上限或下限时,蜂鸣器报警同时一个发光二极管闪烁报警 摘 要 通过系统的分析和总结 ,得出温室大气温度信号的采集传感器件所需的测量程小 ,精确度不高 ,抗干扰性较强 ,经济性较好的结论。并以此为依据 ,选用 DS18B20数字温度传感器为温度采集器件 ,进行了温度采集系统的硬件和软件设计 ,实现了采集系统分布式采集温度信号的功能。同时 ,通过串行总线完成了采集系统
3、与上位计算机的连接 ,实现了采集系统的网络化监控功能。关键词 温度采集;DS18B20温度传感器;仿真;单片机 专心-专注-专业基于DS18B20的温度采集系统设计目 录 第一章 DS18B20温度传感器1.1 DS18B20的工作原理DS18B20的读写时序和测温原理与DS1820相同,只是得到的温度值的位数因分辨率不同而不同,且温度转换时的延时时间由2s 减为750ms。 DS18B20测温原理如图3所示。图中低温度系数晶振的振荡频率受温度影响很小,用于产生固定频率的脉冲信号送给计数器1。高温度系数晶振 随温度变化其振荡率明显改变,所产生的信号作为计数器2的脉冲输入。计数器1和温度寄存器被
4、预置在55所对应的一个基数值。计数器1对 低温度系数晶振产生的脉冲信号进行减法计数,当计数器1的预置值减到0时,温度寄存器的值将加1,计数器1的预置将重新被装入,计数器1重 新开始对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行计数,如此循环直到计数器2计数到0时,停止温度寄存器值的累加,此时温度寄存器中的数值即 为所测温度。图3中的斜率累加器用于补偿和修正测温过程中的非线性,其输出用于修正计数器1的预置值。 图1-1DS18B20数字温度传感器内部结构DS18B20有4个主要的数据部件: (1)光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是
5、:开始8位(28H)是产品类型标号,接着的48位是该DS18B20自身的序列号,最后8位是前面56位的循环冗余校验码(CRC=X8+X5+X4+1)。光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同,这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。(2)DS18B20中的温度传感器可完成对温度的测量,以12位转化为例:用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供,以0.0625/LSB形式表达,其中S为符号位。 表1-1: DS18B20温度值格式表这是12位转化后得到的12位数据,存储在18B20的两个8比特的RAM中,二进制中的前面5位是符号位,如果测得的温度大于0,这5位为0,只要将
6、测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度;如果温度小于0,这5位为1,测到的数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际温度。例如+125的数字输出为07D0H,+25.0625的数字输出为0191H,-25.0625的数字输出为FF6FH,-55的数字输出为FC90H。 表1-2: DS18B20温度数据表(3)DS18B20温度传感器的存储器DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的EEPRAM,后者存放高温度和低温度触发器TH、TL和结构寄存器。(4)配置寄存器该字节各位的意义如下:TMR1R011111 表1-3: 配置寄存器结构低五位一直
7、都是1,TM是测试模式位,用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20出厂时该位被设置为0,用户不要去改动。R1和R0用来设置分辨率,如下表所示:(DS18B20出厂时被设置为12位)R1R0分辨率温度最大转换时间009位93.75ms0110位187.5ms1011位375ms1112位750ms 表1-4: 温度分辨率设置表序号名称引脚功能描述1GND地信号2DQ数据输入/输出引脚。开漏单总线接口引脚。当被用着在寄生电源下,也可以向器件提供电源。3VDD可选择的VDD引脚。当工作于寄生电源时,此引脚必须接地。 表1-5 引脚功能 1.2 DS18B20的使用方法 由于D
8、S18B20采用的是1Wire总线协议方式,即在一根数据线实现数据的双向传输,而对AT89S51单片机来说,硬件上并不支持单总线协议,因此,我们必须采用软件的方法来模拟单总线的协议时序来完成对DS18B20芯片的访问。 由于DS18B20是在一根I/O线上读写数据,因此,对读写的数据位有着严格的时序要求。DS18B20有严格的通信协议来保证各位数据传输的正确性和完整性。该协议定义了几种信号的时序:初始化时序、读时序、写时序。所有时序都是将主机作为主设备,单总线器件作为从设备。而每一次命令和数据的传输都是从主机主动启动写时序开始,如果要求单总线器件回送数据,在进行写命令后,主机需启动读时序完成数
9、据接收。数据和命令的传输都是低位在先。 DS18B20的初始化 (1) 先将数据线置高电平“1”。 (2) 延时(该时间要求的不是很严格,但是尽可能的短一点) (3) 数据线拉到低电平“0”。 (4) 延时750微秒(该时间的时间范围可以从480到960微秒)。 (5) 数据线拉到高电平“1”。 (6) 延时等待(如果初始化成功则在15到60毫秒时间之内产生一个由DS18B20所返回的低电平“0”。据该状态可以来确定它的存在,但是应注意不能无限的进行等待,不然会使程序进入死循环,所以要进行超时控制)。 (7) 若CPU读到了数据线上的低电平“0”后,还要做延时,其延时的时间从发出的高电平算起(
10、第(5)步的时间算起)最少要480微秒。 (8) 将数据线再次拉高到高电平“1”后结束。 DS18B20的写操作 (1) 数据线先置低电平“0”。 (2) 延时确定的时间为15微秒。 (3) 按从低位到高位的顺序发送字节(一次只发送一位)。 (4) 延时时间为45微秒。 (5) 将数据线拉到高电平。 (6) 重复上(1)到(6)的操作直到所有的字节全部发送完为止。 (7) 最后将数据线拉高。 DS18B20的读操作 (1)将数据线拉高“1”。 (2)延时2微秒。 (3)将数据线拉低“0”。 (4)延时3微秒。 (5)将数据线拉高“1”。 (6)延时5微秒。 (7)读数据线的状态得到1个状态位,
11、并进行数据处理。 (8)延时60微秒。 ROM指令表1-6 : 指 令 约定代码功 能读ROM33H读DS1820温度传感器ROM中的编码(即64位地址) 符合 ROM 55H发出此命令之后,接着发出 64 位 ROM 编码,访问单总线上与该编码相对应的 DS1820 使之作出响应,为下一步对该 DS1820 的读写作准备。 搜索 ROM 0FOH用于确定挂接在同一总线上 DS1820 的个数和识别 64 位 ROM 地址。为操作各器件作好准备。 跳过 ROM 0CCH忽略 64 位 ROM 地址,直接向 DS1820 发温度变换命令。适用于单片工作。 告警搜索命令0ECH执行后只有温度超过设
12、定值上限或下限的片子才做出响应。 RAM指令表1-7: 指 令 约定代码功 能温度变换44H启动DS1820进行温度转换,12位转换时最长为750ms(9位为93.75ms)。结果存入内部9字节RAM中。 读暂存器 0BEH 读内部RAM中9字节的内容 写暂存器 4EH 发出向内部RAM的3、4字节写上、下限温度数据命令,紧跟该命令之后,是传送两字节的数据。 复制暂存器 48H 将RAM中第3 、4字节的内容复制到EEPROM中。 重调 EEPROM 0B8H 将EEPROM中内容恢复到RAM中的第3 、4字节。 读供电方式 0B4H 读DS1820的供电模式。寄生供电时DS1820发送“ 0
13、 ”,外接电源供电 DS1820发送“ 1 ”。 第二章 单片机AT89C51 2.1 AT89C51简介AT89S51美国ATMEL公司生产的低功耗,高性能CMOS 8位单片机,片内含4K BytesISP(In-system programmable)的可反复擦写1000次的Flash只读程序存储器,器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术制造,兼容标准MCS-51指令系统及AT89C51引脚结构,芯片内集成了通用8位中央处理器和ISP Flash存储单元。单片机AT89S51强大的功能可为许多嵌入式控制应用系统提供高性价比的解决方案。2.2 AT89C51功能 AT89S51提供
14、以下标准功能:40个引脚、4K Bytes Flash片内程序存储器、128 Bytes的随机存取数据存储器(RAM)、32个外部双向输入/输出(I/O)口、5个中断优先级2层中断嵌套中断、2个数据指针、2个16位可编 程定时/计数器、2个全双工串行通信口、看门狗(WDT)电路、片内振荡器及时钟电路。此外,AT89S51可降至0Hz的静态逻辑操作,并支持两种软件可选的节电工作模式,空闲模式,CPU暂停工作,而RAM、定时/计数器、串行通信口、外中断系统可继续工作。掉电模式冻结振荡器而保存RAM的数据,停止芯片其它功能直至外中断激活或硬件复位。同时该芯片还具有PDIP、TQFP和PLCC等三种封
15、装形式,以适应不同产品的需求。2.3 AT89C51引脚P0口:P0口为一个8位漏级开路双向I/O口,也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时,能驱动8个TTL逻辑门电路。对端口写“1”时,被定义为高阻输入。在访问外部数据存储器或程序存储器时,这组口线分时转换地址(低8位)和数据总线复用,在访问期间激活内部上拉电阻。在Flash编程时,P0口接收指令字节,而在程序校验时,输出指令字节,校验时,要求外接上拉电阻。P1口:P1口是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口,P1口的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对端口写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口。
16、作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(I)。P2口:P2口是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/O口, P2口的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对端口写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口。作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(I)。在访问外部程序存储器或16位地址的外部数据存储器(例如执行MOVXDPTR指令)时,P2口送出高8位地址数据。在访问8位地址的外部数据寄存器(例如执行MOVXRi指令)时,P2口线上的内容(也即特殊功能寄存器(SFR)区中P2寄存器的内容),
17、在整个访问期间不改变。P3口: P3口是一个带有内部上拉电阻的双向8位I/O口, P3口的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对P3口写“1”时,它们被内部的上拉电阻拉高并可作为输入端口。作输入口使用时,被外部信号拉低的P3口将用上拉电阻输出电流(I)。RST:复位输入。当振荡器工作时,RST引脚出现两个机器周期以上的高电平时间将使单片机复位。WDT溢出将使该引脚输出高电平,设置SFR AUXR的DISRTO位(地址8EH)可打开或关闭该功能。 DISRTO位缺省为RESET输出高电平打开状态。 ALE/:当访问外部存储器或数据存储器时,ALE(地址锁存允许)输出脉冲用于锁
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