模拟电子技术基础——摘要(共6页).doc
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1、精选优质文档-倾情为你奉上第一章1. 多子的浓度约等于所掺杂的杂质原子的浓度,他受温度的影响小,少子是本征激发形成的,尽管浓度低,但是对温度非常敏感,这将影响半导体的性能。2. PN结导通时的压降上只有零点几伏,因而应在它所在的回路上串联一个电阻,以限制回路电流,防止PN结因为正向电流过大而烧毁。3. 在电子电路中,如果A1(5-10)A2,则可称为A1远远大于A2。4. 高掺杂,耗尽层窄,低电压即可击穿,称为齐纳击穿。5. 低掺杂,耗尽层宽,高电压才能击穿,称为雪崩击穿。6. 二极管的主要参数:最大整流电流If,最高反向工作电压Ur,反向电流Ir,最高工作频率Fm。7. 二极管外加微变电流时
2、,等效成为一个动态电阻8. 稳压管在反向击穿时,在一定的电流范围内端电压不变,表现出稳压特性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。9. 在稳压电路中,一般要串联一个电阻来限流,从未保证稳压管正常工作。10. 稳压管的主要参数:稳定电压Uz;稳定电流Iz;额定功耗Pzm;动态电阻Rz;温度系数11. 发光二极管的发光颜色取决于所用的材料,开启电压比普通的二极管要大。12. 双极型晶体管(BIT)又称为晶体三极管、半导体三极管。13. 基区薄且掺杂浓度低,发射区掺杂浓度高,集电区面积大。14. 放大是对模拟信号最基本的处理,晶体管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。15. 晶体管的直流
3、放大系数和交流放大系数基本相等,放大倍数太小起不到放大作用,太大则不稳定。16. 晶体管的三个状态:截止区、饱和区、放大区,Ube小于开启电压且集电极反偏时。饱和区,此时发射极正偏,集电极也正偏,也就是说Uce小于Ube,Ic不仅与Ib有关,还与Uce有关,随着Uce的增大,Ic会增大。当Uce大于Ube时,也就是集电极反偏时,Ic的大小几乎与Uce无关,只与Ib的大小有关,表现为线性放大的状态。17. 晶体管的主要参数:共射放大倍数、最大集电极电流、最大反向击穿电压、级间反向电流Iceo,越小越稳定。18. 场效应管(FET)利用输入电压来控制输出电流,只有多数载流子导电,属于单极性器件。1
4、9. ebc对应于sgd(源、栅、漏)结型N沟道的箭头朝里,P沟道的箭头朝外。20. 对于结型N沟道,在UgdUgs(off)时(就是未夹断时),当Uds增大时Id几乎不变,即Id几乎集锦取决于Uus,表现出Id的恒流特性。当UgdUgs(off),Ugd=Ugs-Uds,Uds为一个常量时,对应于确定的Ugs,就有确定的id,可以通过改变Ugs来,控制Id的大小,故称场效应管为电压控制元件。21. 绝缘栅型场效应管,又称为MOS管,也分N沟道,P沟道,每种又分增强型和耗尽型。Ugs=0时,Id也为零的为增强型,Ugs为零,Id不为零的为耗尽型。22. 场效应管的主要参数:开启电压Ugs(th
5、),夹断电压Ugs(off),饱和漏极电流Idss,直流输入电阻,低频跨导Gm,级间电容,最大漏极电流Idm,击穿电压,最大功耗。23. 场效应管和晶体管的比较:1.场效应管栅极基本不取电流,而晶体管的基极要索取一定的电流,要求输入电阻高的电路选择场效应管,若信号源能提供一定的电流,则选择晶体管,晶体管的放大倍数大些。2.场效应管只有多子导电,晶体管还有少子导电,少子受温度、辐射的影响较大,所以场效应管的温度稳定性和抗辐射能力强。3.场效应管的额噪声系数小4.场效应管的漏极和源级可以互换5.场效应管更灵活6.二者据可用于放大和开关电路第二章 基本放大电路1. 放大电路放大的本质是能量的控制和转
6、换,电子电路放大的基本特征是功率放大,这样,在放大电路中必须存在能够控制能量的元件,即有源元件,如晶体管和场效应管。2. 放大前提条件是不失真,只有不是真的条件下放大才有意义,晶体管工作在线性区,场效应管工作在恒流区,才能使输出量和输入量保持线性关系,即线路不会失真。3. 输入电阻Ri是从放大电路输入端看去的等效电阻,定义为输入电压有效值Ui和输入电流有效值Ii之比,Ri越大,索取的电压也越大。任何放大电路的输出都可以看作是一个有内阻的电压源,从放大电路输出端看进去的等效内阻称为输出电阻Ro,Ro越小,带负载能力越强。4. 静态工作点Q:Ibq,Icq,Ubeq,Uceq。5. 直流通路:1.
7、电容视为开路2.电感视为短路3.信号源视为短路,但保留内阻。交流通路:1.电容视为短路2.无内阻的直流电源(VCC)视为短路。6. 放大电路的输入电阻与信号源内阻无关,输出电阻与负载无关。7. 共射是Ib控制Ic,共集是Ib控制Ie,共基是Ie控制Ic。8. 共集放大电路常称为射级跟随器,输入电阻大,输出电阻小,因而从信号源索取的电流小而且带负载能力强,所以常用于多级放大电路的输入级和输出级,也可以用它连接两个电路,减少电路间的直接连接所带来的影响,起缓冲作用。9. 共基放大电路的最大优点是频带宽,因为常用于无线通讯方面。10. 三种接发的比较:共射,既能放大电流又能放大电压,输入电阻在三种中
8、居中,输出电阻较大,频带较窄,常作为低频放大电路的单元电路。共集,只能放大电流不能放大电压,三中接法中输入电阻最大,输出电阻最小的电路,具有电压跟随的特点。常用于电压放大电路的输入级和输出级,共基,只能放大电压,不能放大电流,输入电阻小,频带好,适用于宽频带放大电路。11. 复合管的组合原则:1.在正确的外加电压下每只管子的各级电流均有合适的通路,且均工作在放大区。2.为了实现电流放大,应将第一支管子的集电极和发射极电流作为第二只管子的基极电流。第三章 多级放大电路1. 多级放大电路的常用耦合方式有:直接耦合、阻容耦合、变压器耦合、光电耦合。2. 直接耦合,直接相连或者加一个电阻,直接耦合具有
9、良好的低频特性,易于集成,温票现象不好。3. 输出级通过加电容连接到后端的输入级,为阻容耦合阻容耦合的各级静态工作点相互独立,易于设计调试,低频特性差。变压器耦合相似,最大的特点是可以进行阻抗变换。4. 光电耦合是以光信号为媒介来实现电信号的耦合和传递的,抗干扰能力强。5. 直接耦合放大电路存在温度漂移的问题,但因为其低频特性好,能够放大变换缓慢的信号,便于集成,而得到越来越多的应用;阻容耦合费那个大电路利用耦合电容隔离直流,较好的解决了温票的问题,但是其低频特性差,不便于集成化,因此仅在分立元件电路情况下使用;变压器耦合放大电路低频特性差,但能够实现阻抗变换,常用于调谐放大电路,或者输出功率
10、很大的功率放大电路;光电耦合方式具有电气隔离的作用,是电路具有很强的干扰能力,适用于信号的隔离及远距离传输。6. 多级放大电路的输入电阻定义为第一级的输入电阻,输出电阻定义为最后一级的输出电阻。当共集电路作为输入级时,输入电阻和负载即第二级的输入电阻有关,共集作为最后一级的时候,输出电阻和信号源内阻即前一级的输出电阻有关。7. 由温度变换引起的半导体器件参数的变化时产生零点漂移的主要原因,因而也称零点漂移为温度漂移。从某种程度上来讲,温票就是Q点漂移,抑制温票的三种方法1.在电路中引入直流负反馈2.采用温度补偿的方法,利用热敏原件来抵消放大管的变化。3.采用差分放大电路8. 共模抑制比Kcmr
11、为差模放大倍数和共模放大倍数的比值的绝对值。越大越好9. 单端输入双端输出和双端输入双端输出的静态工作点和动态特性完全一致。10. 恒流源电路可以代替高阻值的电阻,恒流源的动态电阻无穷大。11. 对于电压输出级一般有两个要求:一是输出电阻低二是最大不失真输出电压尽可能的大。12. 互补输出级(OCL)常作为功率放大电路,也常称为电压跟随电路,一般是差分输入,共射放大,互补输出。13. 互补输出电路的特点,零输入时零输出,具有很强的带负载能力,输出政府方向对称,双向跟随,因而适用于直接耦合多级放大电路的输出级。直接耦合多级放大电路多以共射电路作为中间级,用来增大整个电路的放大倍数。第四章 运放1
12、. 运放一般采用直接耦合方式,一般采用差分输入和恒流源电路(作为偏置电路和有源负载),由于不易制作高阻值的电阻所以有源器件来代替(晶体管和场效应管)。2. 偏置电路用于设置集成电路各部分的静态工作点,与分立元件不同,集成运放采用恒流源电路为各级电路提供合适的静态工作电流。3. 运放指标:开环差模增益的Aod,在集成运放无外加反馈时的差模放大倍数;共模抑制比;差模输入电阻;输入失调电压;输入失调电流;输入偏置电流越小,信号源内阻对集成运放的静态工作点影响也越小,通常偏置电流小,失调电流也小;最大共模输入电压;最大差模输入电压;3DB带宽(主要是由于分布电容和寄生电容的影响);转换速率SR,表示集
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