YAG材料合成综述(共9页).doc
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1、精选优质文档-倾情为你奉上课程论文论文题目: YAG材料合成制备综述学 院 : 理工学院 专 业 : 材料科学与工程专业指导老师 : 姓 名 : 学 号 : 2012年1月2日YAG材料合成制备综述题目:YAG材料合成设计综述单位: 理工学院材料系作者; 摘要 简单介绍了YAG材料的发展历史,性能及应用,着重对其制备方法进行叙述。Abscart We briefly introduces the YAG materials development history, performance and application, and the preparation method of narrat
2、ion.关键词 钇铝石榴石 材料 合成 共沉淀法 研究进展 综述 引言钇铝石榴石(Y3AI5O12, YAG)空间群为Oh10-Ia3d,属立方晶系,其晶格常数为 1.2002nm,它的分子式结构又可写成:L3B2(AO4)3,其中L,A,B分别代表三种格位。在单位晶胞中有8个Y3Al5O12分子。一共有24个钇离子,40个铝离子,96个氧离子。其中每个钇离子各处于由8个氧离子配位的十二面体的L格位,16个铝离子各处于由6个氧离子配位的八面体的B格位,另外24个铝离子各处于由4个氧离子配位的四面体的A格位。八面体的铝离子形成体心立方结构,四面体的铝离子和十二面体的钇离子处于立方体的面等分线上,
3、八面体和四面体都是变形的,其结构模型见图1。石榴石的晶胞可看作是十二面体、八面体和四面体的连接网。YAG材料有单晶,透明陶瓷,玻璃等,较为先进且研究热门的是YAG陶瓷材料。YAG陶瓷具有制备工艺简单,性能可媲美单晶的特点。具有取代YAG单晶作为主要激光材料的趋势。另外,YAG粉体通过掺杂Ce3+,Tb3+,Eu3+等离子还可以作为超短余辉荧光粉,在等离子平板显示(PDP),阴极射线管(CRT)以及发光二极管(LED)等方面有着广阔的应用前景。本文将对其制备合成方法的研究现状做出叙述。2 YAG陶瓷材料发展历史YAG 透明陶瓷的研究始于 20 世纪 80 年代。1984 年,G.De With
4、等首次报道了透明 YAG 陶瓷的制备工艺。采用固相合成法合成 YAG 粉料,以0.050.15%SiO2或 MgO 作为添加剂,经等静压成型后在 17001800条件下真空烧结保温 4h 制备出相对密度近 100的透明 YAG 陶瓷。1990 年,M.Sekita报道了利用尿素共沉淀法制备 Nd:YAG 粉体,等静压成型后于 1700真空烧结 3h,得到部分光学性能几乎与 Nd:YAG 单晶相同的 Nd:YAG 陶瓷,但是光的背底吸收较高,其透光率为 70左右。1995 年,日本 Ikesue 等采用高温固相反应方法首次制备出了高度透明的 Nd:YAG 陶瓷。对其折射率、热导率、硬度等物理特性
5、的测量结果表明,Nd:YAG 透明陶瓷与 Nd:YAG 单晶类似。同时研制出世界上第一台能与 Nd:YAG 单晶激光器相媲美的透明 Nd:YAG 陶瓷激光器,用输出功率为600mW、输出波长为 808nm 的激光二极管,采用端面泵浦技术,泵浦 Nd3+浓度和单晶 YAG 相当的 YAG 陶瓷,结果表明,透明 Nd:YAG 陶瓷的激光阈值仅比单晶稍高,斜率效率达到 28%,激光最大输出功率为 70mW。3 YAG晶体及粉体材料制备方法3.1 提拉法生长YAG激光晶体材料3.1.1中频感应加热提拉法工艺流程为装炉,抽真空与保护气,加热升温,引晶,缩颈,放肩,等径生长,收尾,降温。提拉法的基本思路是
6、将材料熔化,使用籽晶引导熔体在籽晶上继续生长,并通过程序控制拉拔所处的温度场及拉拔速度,旋转速度,使得晶体均匀的纵向及横向生长。晶体提拉法的优点:可以方便地使用定向籽晶和缩颈工艺,以得到完整的晶体和所需取向的晶体。能够以较快的速率生长较高质量的晶体。总之,提拉法生长的晶体完整性很高,而其生长率和晶体尺寸也是令人满意的。3.1.2激光加热提拉法激光加热提拉技术是使用聚焦的激光作为热源,对原料进行加热。可生长出直径小、品质优良的晶体。并且能够观测到晶体生长过程时产生热辐射及晶面形状,以作为控制温度的依据,方便区熔形状与晶体光纤的直径大小的控制。在 1974 年,贝尔实验室最开始使用 LHPG 方法
7、生长参杂的 YAG 晶体,以发光二级管(LED)为激光光源进行晶体生长。LHPG 方法是利用经聚焦的连续激光作为热源,加热熔融原始晶棒一端,在以单晶作为籽晶,接触融熔区并开始提拉,从而长出新的晶体。LHPG 方法是最引人注目的特点:原料除了可使用的单晶或多晶外,也可将粉末压成块体作为生长晶体的原料。为了避免晶体生长时直径的较大的波动,激光热源要有较高的热稳定性,高稳定性 激光能够轻松实现这种要求。LHPG 法生长晶体的特点:速度快,采用聚焦的激光作为热源,温度梯度高,相对于提拉法的温度梯度高出近 20 倍,因而生长速度快。可用于生长直径极小的晶体光纤,生长的晶体光纤的直径与熔区高度相近,甚至可
8、以生长直径约数微米的晶体光纤39,无污染,效率高。3.2 温度梯度法温度梯度法是由上海光机所周永宗等人于1979年首先实现的一种以定向籽晶诱导单晶生长的垂直温度梯度法该方法主要特点:(1) 晶体生长时温度梯度与重力方向相反,并且坩埚、晶体和加热体都不移动,晶体生长界面稳定、无机械扰动、浮力对流小;(2) 晶体生长以后,由熔体包围,仍处于热区,可精确控制其冷却速率,减小热应力;(3) 晶体生长时,固液界面处于熔体包围之中,热扰动在到达固液界面之前可以被减小乃至排除,界面上可获得均匀的温度梯度;(4) 生长更大尺寸的晶体时,难于创造良好的温场环境,晶体易炸裂;(5) 晶体坯料需要分别进行高温氧化、
9、还原气氛的退火处理,坯料的后续处理工艺比较复杂。3.3 水热法制备纳米YAG粉体使用高纯度的和作为前驱体,碱性环境下水热反应生成纳米级YAG粉体。水热合成法的优点在于可直接生成纳米晶体,避免了一般的液相合成法中的煅烧晶化,从而降低了硬团聚的形成。但该方法的晶化时间长,通常要采用有机分散剂、表面活性剂以制得高质量的纳米粒子。3.4 共沉淀法制备纳米YAG粉体共沉淀法是现阶段在YAG纳米粉体合成中应用较多的一种方法。共沉淀法的基本思路是把沉淀剂加入混合的金属盐溶液中(正滴),或者将混合均匀的金属盐溶液滴入沉淀剂中(反滴,YAG常用此方法),使各组分均匀同步沉淀,然后加热分解以获得纳米粉体。Prad
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