电机调速系统设计方案(共16页).docx
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1、精选优质文档-倾情为你奉上电子系统设计方案设计:基于单片机的直流电机调速系统设计方案 团队成员: 指导教师: 提交时间: 基于单片机的直流电机调速系统设计方案设计要求:1) 直流调速系统需要闭环控制。 2) 制作显示装置,实时显示速度。 3) 利用电位器进行速度指令小组成员及分工:组长: 负责内容:方案的整体设计 3分组员: 负责内容:器材选择 1分负责内容:设计报告的编辑 1分负责内容:系统调试 1分负责内容:设计报告的编辑 1分负责内容:系统仿真 1分负责内容:软件编写 1分负责内容:电路搭建 1分基于单片机的直流电机调速系统设计方案摘要:本方案设计了一种基于单片机控制的直流电机速系统。设
2、计包括系统的硬件、软件以及仿真。硬件部分包括:H桥电机驱动电路、LED显示模块、测速模块以及隔离模块,软件部分包括程序设计、PI控制器的设计,仿真部分包括电机传递函数的测试以及系统的仿真。整个系统的电路逻辑结构简单,可靠性高,具有很高的实用价值。1. 本课题的研究意义:在国民生产中,伴随着现代技术的进步,电力电子技术也得到了全面的发展,其技术已应用到各个领域。在各类机电系统中,直流电机调速系统已广泛运用于工业、航天领域的各个方面。直流电机具有良好的启动性能和调速特性,它的特点是启动转矩大,最大转矩大,能在宽广的范围内平滑、经济地调速,转速控制容易,调速后效率很高。与交流调速相比,直流电机结构简
3、单,生产成本低,维护工作量小。随着大功率晶体管的问世以及矢量控制技术的成熟,使得矢量控制变频技术获得迅猛发展,从而研制出各种类型、各种功率的变频调速装置,并在工业上得到广泛应用。适用范围:直流调速器在数控机床、造纸印刷、包装机械、印制电路板设备、医疗设备、通讯设备、雷达设备、等行业广泛应用。独立完成一次电子系统设计是对整个团队的一次考验,直流电机调速系统是一个兼具学习性与实用性的一个设计任务,如何成功地完成这次设计对我们团队的每位成员都是一次挑战,同样也是一次学习的机会2. 设计任务基于单片机的直流电机调速系统设计方案,设计的主要内容及要求如下:参数测定:测试电机的机械时间常数并计算出电机的传
4、递函数仿真实验:利用Mat lab对系统进行仿真设计要求:实现调速闭环控制;利用电位器进行调速;LED速度显示3. 总体设计方案通过分析直流电机的工作原理,对不同的调速方式进行对比,本方案采用了一种基于单片机控制的直流电机速方式。总体设计思路是利用程序控制单片机产生PWM信号,通过调节PWM信号的占空比从而达到控制电机两端电压的效果,实现直流电机的调速。控制方面,通过与电机链接的编码器将电机的转速以电信号的方式传给单片机,通过软件PID实现系统的稳定控制。系统框图如图1。图1 系统框图3.1 电机调速方式本设计采用脉冲宽度调制(PWM)的方法进行调速控制。脉冲宽度调制(PWM)是利用微处理器的
5、数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术,广泛应用在测量、通信、功率控制与变换等领域中。PWM控制技术以其控制简单,灵活和动态响应好的优点而成为电力电子技术最广泛应用的控制方式,也是人们研究的热点。脉宽调制(PWM)基本原理:控制方式就是对逆变电路开关器件的通断进行控制,使输出端得到一系列幅值相等的脉冲,用这些脉冲来代替正弦波或所需要的波形。也就是在输出波形的半个周期中产生多个脉冲,使各脉冲的等值电压为正弦波形,所获得的输出平滑且谐波少。按一定的规则对各脉冲的宽度进行调制,即可改变逆变电路输出电压的大小,也可改变输出频率。PWM控制技术的优点是从处理器到被控系统信号都是数字形式的,无需
6、进行数模转换。让信号保持为数字形式可将噪声影响降到最小。噪声只有在强到足以将逻辑1改变为逻辑0或将逻辑0改变为逻辑1时,也才能对数字信号产生影响。总之,PWM控制技术既经济、节约空间、抗噪性能强,是一种值得广大工程师在许多设计应用中使用的有效技术。本设计利用单片机产生一路PWM信号,通过非门产生两路高低电平信号相反的控制信号,通过单片机对PWM信号的占空比进行调节,操作相对简单且易于实现。3.2 驱动电路设计方案H桥是一个典型的直流电机控制电路,因为它的电路形状酷似字母H,故得名与“H桥”。 4个三极管(MOSFET)组成H的4条垂直腿,而电机就是H中的横杠。如图2所示,H桥式电机驱动电路包括
7、4个三极管(MOSFET)和一个电机。要使电机运转,必须导通对角线上的一对三极管。根据不同三极管对的导通情况,电流可能会从左至右或从右至左流过电机,从而控制电机的转向。原理图1如图2。图2 原理图1要使电机运转,必须使对角线上的一对三极管导通。例如,如图3所示,当Q1管和Q4管导通时,电流就从电源正极经Q1从左至右穿过电机,然后再经Q4回到电源负极。按图中电流箭头所示,该流向的电流将驱动电机顺时针转动。当三极管Q1和Q4导通时,电流将从左至右流过电机,从而驱动电机按特定方向转动(电机周围的箭头指示为顺时针方向)。原理图2如图3。图3 原理图2 为另一对三极管Q2和Q3导通的情况,电流将从右至左
8、流过电机。当三极管Q2和Q3导通时,电流将从右至左流过电机,从而驱动电机沿另一方向转动(电机周围的箭头表示为逆时针方向)。原理图3如图4。图4 原理图34. 硬件模块设计本设计的硬件部分主要包括:H桥电机驱动电路、死区电路、测速模块、LED显示模块。4.1 驱动电路本设计的驱动部分采用2片IR2110驱动4片MOSFET构成H桥控制电路。IR2110是IR公司生产的高压,高速的功率MOSFET,IGBT专用驱动芯片,具有独立的高、低端输出双通道。门电压需求在1020V范围,悬浮通道用于驱动MOSFET的高压端电压可以达到500VMOSFET选用IRF840,其最大工作电压为500V,最大电流为
9、8A,导通电阻为0.85。电路图如图5。图5 IR2110驱动电路图4.11 芯片IR2110性能及特点IR2110是美国国际整流器公司利用自身独有的高压集成电路以及无闩锁CMOS技术,于1990年前后开发并且投放市场的,IR2110是一种双通道高压、高速的功率器件栅极驱动的单片式集成驱动器。它把驱动高压侧和低压侧MOSFET或IGBT所需的绝大部分功能集成在一个高性能的封装内,外接很少的分立元件就能提供极快的功耗,它的特点在于,将输入逻辑信号转换成同相低阻输出驱动信号,可以驱动同一桥臂的两路输出,驱动能力强,响应速度快,工作电压比较高,可以达到600V,其内设欠压封锁,成本低、易于调试。高压
10、侧驱动采用外部自举电容上电,与其他驱动电路相比,它在设计上大大减少了驱动变压器和电容的数目,使得MOSFET和IGBT的驱动电路设计大为简化,而且它可以实现对MOSFET和IGBT的最优驱动,还具有快速完整的保护功能。与此同时,IR2110的研制成功并且投入应用可以极大地提高控制系统的可靠性。降低了产品成本和减少体积。4.12 高压侧悬浮驱动的自举原理图6为IR2110用于驱动半桥的电路。图中C1、VD1分别为自举电容和二极管,C2为VCC的滤波电容。假定在S1关断期间C1已充到足够的电压(VC1VCC)。当HIN为高电平时VM1开通,VM2关断,VC1加到S1的门极和发射极之间,C1通过VM
11、1,Rg1和S1门极栅极电容Cgc1放电,Cgc1被充电。此时VC1可等效为一个电压源。当HIN为低电平时,VM2开通,VM1断开,S1栅电荷经Rg1、VM2迅速释放,S1关断。经短暂的死区时间(td)之后,LIN为高电平,S2开通,VCC经VD1,S2给C1充电,迅速为C1补充能量。如此循环反复。自举二极管(VD1)和电容(C1)是IR2110在PWM应用时需要严格挑选和设计的元器件,应根据一定的规则进行计算分析。在电路实验时进行一些调整,使电路工作在最佳状态图6 半桥驱动电路4.2 硬件死区对H桥驱动电路上下桥臂功率晶体管加互补信号后,由于带载情况下,晶体管的关断时间通常比开通时间长,这样
12、,当下桥臂晶体管未及时关断而上桥臂抢先开通时,就会出现所谓“桥臂直通”故障。这样会使桥臂直通时电流迅速变大,从而造成功率开关损坏。所以设置导通延时及死区时间必不可少。IR2110具有一定的死区时间,其大小为10ns且不可外调,而实际使用中,MOSEFT管的关断时间比开通时间有时还要比10ns大,此时就需要外加延时电路来加大死区时间,以防止电路直通,图7给出了一种硬件死区电路。图6 死区电路通过multisim对死区时间进行仿真,为了看清楚死区时间,把A通道设为2V,B通道5V,死区时间大概就2US左右。示波器图形如图8图8 仿真波形4.3 测速模块本设计采用编码器测速。编码器(encoder)
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