2015集成电路课程设计(共31页).doc

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1、精选优质文档-倾情为你奉上Harbin Institute of Technology课程设计说明书（论文）课程名称： 模拟集成电路课程设计 设计题目：采用电阻电容做miller补偿的二级运算放 大器的设计与实现 院 系： 航天学院 微电子科学与技术系 班 级： 设 计 者： 学 号： 指导教师： 王永生 设计时间： 2015年7月13日-2015年7月24日 哈尔滨工业大学哈尔滨工业大学课程设计任务书 姓 名： 院 （系）：航天学院微电子科学与技术系 专 业： 电子信息科学与技术 班 号： 任务起至日期： 2015 年 7 月 13 日 至 2015 年 7 月 24 日 课程设计题目：采用

2、电阻电容做miller补偿的二级运算放大器的设计与实现已知技术参数和设计要求：第一部分 电路设计与模拟选择题目，并开展电路设计。确定电路结构；设计电路中各器件尺寸以达到设计参数要求；采用Hspice或Spectre对电路按照题目要求进行相关的直流、交流、瞬态等仿真。（例如对于放大器，进行以下相关特性进行仿真，诸如开环增益的幅频和相频响应、CMRR、PSRR、共模输入范围、输出电压摆幅、压摆率（slew rate）、建立时间、噪声、功耗等。）第二部分 版图设计与验证掌握所给CMOS集成电路工艺规则，进行版图设计；根据CMOS集成电路工艺规则文件，对版图进行DRC验证；完成版图与电路的一致性检查（

3、LVS验证）；完成版图的寄生参数提取（PEX）。基本要求：学会电路原理图和版图编辑软件的使用；学会电路模拟软件的使用；掌握集成电路性能与电路结构和器件尺寸之间的关系，能够正确分析和设计电路；掌握CMOS集成电路制造工艺基本流程及其所需的光刻掩膜版，以及每块光刻掩膜版的作用，能够识别集成电路版图；掌握集成电路版图设计规则的含义以及消除或减小寄生效应的措施，能够正确设计集成电路版图； 学会版图设计规则检查（DRC）、电路与版图一致性检查（LVS）、版图参数提取（LPE/PEX）软件的使用。要求学生设计实践结束后撰写实践报告，提供各个设计实践环节的结果。工作量：本课程设计在每位同学学习集成电路设计及

4、版图EDA工具的使用的基础上，在备选参考题目中任选其一，完成电路设计及版图设计。熟悉开发环境、学习电路设计和版图设计EDA工具使用以及相关电路的仿真技术：10学时分析题目、确定设计方案：5学时设计、验证以及仿真分析、整理数据：25学时工作计划安排： 2015.7.13 - 2015.7.13 学习spectre等电路设计EDA工具软件，分析设计题目2015.7.14 - 2015.7.17 设计电路，进行电路仿真和验证 2015.7.20 - 2015.7.20 学习virtuoso、calibre等版图设计EDA工具软件 2015.7.21 - 2015.7.23 根据所给的工艺规则进行版图

5、设计，并整理数据 2015.7.24 撰写课程设计报告 同组设计者及分工： 无同组者 指导教师签字_ 年 月 日 教研室主任意见： 教研室主任签字_ 年 月 日*注：此任务书由课程设计指导教师填写。专心-专注-专业一、 功能描述设计一个采用电阻电容做miller补偿的二阶运算放大器，满足如下要求，其中负载电容CL = 1pF。 Av 10000V/V， VDD = 5V， GB = 5MHz ，SR 10V/s ，60 相位裕度， Vout 摆幅 =0.54.5V, ICMR 1.54.5V， Pdiss 2mW二、电路设计1.设计思路为了同时满足高增益和大的输出摆幅的要求，我们需设计一个二级

6、运算放大器，但这不可避免地引入了额外的极点。由于运放一般闭环工作，所以为了避免运放振荡，我们在设计时必须考虑频率补偿，使其满足一定的相位裕度，但相位裕度过大，运放的时间响应速度慢，60度的相位裕度刚刚好，我们应该努力达到这一值。Miller补偿是一种非常好的补偿方法，但会引入右半平面的零点，考虑将一个电阻与miller电容串联，将引入的零点移到左半平面，同时与第一非主极点对消，从而可以达到良好的效果。运算放大器采用差动输入方式有很多优点，其最突出的优点是可以抑制共模干扰，提高CMRR和PSRR。电流镜做第一级差动运放的负载可以将双端输入转为单端输出，同时也可达到很大的增益。第二级放大器就采用共

7、源级的放大器，可以达到大的输出摆幅。在集成电路制作过程中，大的电阻会占用很大的芯片面积，提高了成本，而且电阻的精度非常差，虽然做miller补偿用的电阻对精度的要求不是很高，但采用工作在线性区的mos管做电阻，效果更佳。该电阻的栅极如何偏置是一个难题，参考Razavi的10.5节的介绍，我们可以设计一个偏置电路。如图1的M8、M9、M11三个管子为M10提供偏置。整体电路图设计如图1所示。2.计算尺寸 详细计算过程见附录，计算结果总结如下： （W/L）1 = 1 （W/L）2 = 1 （W/L）3 =2 （W/L）4 = 2 （W/L）5 = 7 （W/L）6 = 15 （W/L）7 = 26

8、 （W/L）8 = 15 （W/L）9 = 6 （W/L）10 = 2 （W/L）11= 26 I5 = 15A Cc=0.3pF Vout 摆幅 = 0.24.61V Pdiss = 0.645mW Av = 170003.上机验证3.1编辑电路图按照实验指导附录1做数据准备工作。然后进入/training/ic/spice_labs$目录，启动cadence的设计环境平台，在命令行提示符($)下执行， $ icfb &首先建立一个设计库，tools - library manager， File - New - Library。在Name内添上shuhao，ok后，选择compile a

9、new techfile，然后ok。然后选择techfile。在设计库里建立一个schematic view，在Library Manager菜单 New- cell view，填入amp，view name选schematic，然后ok，则会出现电路图的编辑界面。插入元器件，选择chrt35dg_SiGe中的nmos5p0、pmos5p0、res、cap等器件。按照计算给各个管子添加宽长尺寸，形成如下电路图，如图1。然后check and save。图1 电路原理图3.2编辑二级放大器的symbol选择Design-Create Cellview - From Cellview，在弹出的界面

10、，按ok后出现symbol Generation options，选择端口排放顺序和外观，然后按ok出现symbol编辑界面。按照需要编辑成想要的符号外观，如图2。图2 二级放大器的symbol3.3采用闭环仿开环的方式对运放进行交流，瞬态以及噪声分析方法和前面的“建立schemtic view”的方法一样，但在调用单元时除了调用analogLib库中的电压源、信号源等之外，将此amp调用到电路图中，并添加输入激励源的设置以及负载电容。注意提供电流偏置的电流源通过复制电流得到，所以外加电流源的电流与流过M5的电流相等，外加mos管的W/L也与M5相等，如图3。电压源设置为5V，信号源设置如下：

11、AC magnitude=1, DC voltage=vin, Offset voltage=vin, amplitude为50uA，freq=1k。图3 闭环仿开环电路图在schematic编辑界面，选择Tools- Analog Environment，出现Virtuoso Analog Design Environment (ADE)， 在ADE中，设置仿真器、仿真数据存放路径和工艺库，具体地，setup-Simulator/Directory/Host 中选择simulator为spectre，project Directory改为./simulation。 Setup-Model L

12、ibraries中Model Library File 找到sm-1j.scs文件填入，section部分填typical，再次找到sm-1j.scs文件填入，section部分填capacitor，按add，然后ok。Variables-copy from cellview, 则电路中的变量出现在ADE中Design Variable一栏中，将vin设置为2.5V，然后点击choose analysis进行仿真设置，首先进行交流仿真设置，在Sweep Variable里选择Frequency,Sweep range选择110G，Points per Decade选择30，如图4所示。图4 交

13、流仿真设置之后选择tran进行瞬态仿真，由于所添加的交流小信号的频率为1kHz，周期为1ms，所以Stop Time选择5ms，如图5。图5 瞬态仿真设置然后选择noise进行噪声仿真，设置如下图6 噪声仿真设置设置结果如图7。图7 仿真设置 然后点run and netlist。首先进行交流仿真，仿真结果如图8所示。在幅频特性的图上选取增益为0时对应的频率，再在相频特性曲线上找到该频率下所对应的相位，即可得相位裕度，从图8可以看到该二级放大器的相位裕度约为66，满足目标60 的相位裕度。从幅频图上我们还可以得到低频增益，为了更清楚地看出低频增益，我们在其中选择了一点，该点增益为91.7761

14、dB，即倍，如图9所示。图8 交流仿真（1）图9 交流仿真（2）然后进行瞬态仿真，仿真结果如图10所示。从图中可以得到，在1kHz频率下，输出信号峰峰值为1.013V，又由于输入小信号峰峰值为100uV，所以增益Av=1.62474/0.0001=16247. 说明在1kHz频率下增益已经下降较多。图10 瞬态仿真波形图再次进行噪声分析，我们分别将噪声信号折算到输入和输出，折算到输入的噪声如图11所示，折算到输出的噪声如图12所示，从这两幅图中可以明显得看出，在低频时，噪声电压更高，这是受1/f噪声的影响。 图11 输入噪声电压图12 输出噪声电压利用此电路图，我们还可近似得到该运放的功耗，在

15、直流扫描时我们保存直流工作电，在Calculator中选择OP，再选择直流电路，在list中选pwr，如图13所示。再点击print得到结果，如图14所示。 图13 仿功耗设置图14 功耗仿真结果3.4进行CMRR的仿真 仿真电路图如图15所示，该电路采用单位增益结构，差模增益为1，我们可以通过该电路得到共模增益，那么-20log|A|为CMRR,其中A为共模增益。 图15 仿CMRR电路图我们只需进行交流仿真，交流仿真设置如图4.我们画出如图16所示表达式的示意图。图16 CMRR plot表达式仿真结果如图17，从图中可以得到该运放在低频时的共模抑制比为104.846dB。随频率的上升呈下

16、降趋势。图17 CMRR仿真结果3.5进行PSRR的仿真仿真电路图如图18所示，原理与CMRR仿真原理类似。图18 PSRR仿真电路图我们只需进行交流仿真，交流仿真设置如图4。仿真结果如图19，从图中可以得到该运放在低频时的PSRR为86.3762dB。随频率的上升呈下降趋势。图19 PSRR仿真结果3.6 输入共模范围仿真仿真电路图如图20所示，依然连接成单位增益的形式。图20 输入共模范围仿真电路图 我们进行直流扫描，扫描变量为vin，扫描范围为0-5V,结果如图21图21 输入共模范围仿真结果为了看清输入共模范围，我们将图21进行局部放大，如图22和23所示。从图22可以得到输入共模范围

17、的下限为317mV，从如23可以得到输入共模范围的上限为4.86V，均满足预设目标。图22 输入共模范围仿真结果局部放大（1）图23 输入共模范围仿真结果局部放大（2）3.7 输出电压摆幅仿真仿真电路图如图24所示，该电路图接成闭环增益为10的形式，这样方便看出输出摆幅。图24 输出摆幅仿真电路图同样进行dc仿真设置，仿真结果如图25，从该图我们可以得到输出电压摆幅为208uV-4.66V，满足预设目标。图25 输出电压摆幅仿真结果3.8 建立时间仿真仿真电路图如图26，输入信号要加一方波信号。图26 建立时间仿真电路图 进行瞬态仿真，仿真时间设为5us，结果如图27所示。从图中可得下降时间为

18、64ns，上升时间为46ns。图27 建立时间仿真结果3.9 slew rate仿真仿真电路图如图28所示，输入信号是低电平为0V，高电平为5V的方波。图28 slew rate 仿真电路图仿真结果如图29所示图29 slew rate仿真结果进行局部放大，如图30和31所示，从图中我们可得上升时的slew rate为50.6V/us，下降时的slew rate为38V/us。图30 slew rate仿真结果局部放大图（1）图31 slew rate仿真结果局部放大图（2）三、版图设计在自己的设计库里建立一个layout view，在Library Manager菜单 New- cell v

19、iew，填入amp，view name选layout，tool 选virtuoso，然后ok，则会出现版图的编辑界面。从PDK中选择5v的NMOS和PMOS，按照电路的尺寸填入相应的器件参数。然后放置P-tie和N-tie，即在NWELL区域里放置M1_NWELL，在P衬底放置M1_PSUB。然后用POLY2（drw）层连接inv的输入，然后放置poly2和MET1的contact M1_POLY2，并用MET1（lbl）打上label 为vin。用MET1（drw）连接inv的输出、电源和地，并分别用MET1（lbl）打上label 为vout、vdd ！、gnd ！。用drawing层绘制

20、图形，用label层标名称。版图如图32。 图32 运放版图四、版图验证1. DRC验证首先采用DIVA做DRC验证，在DRC验证之前要将divaDRC.rul拷贝到版图库中，在版图编辑界面，菜单Verify-DRC，出现下面对话框，点击Set Switches按钮，按住ctrl复选选择2P2M、DUALGETE_process、Enable_Antemma_Rules、Enable_Latch_Up_Rules，即选择需要进行DRC检查的复选项，如图33。图33 DRC仿真选项然后点击OK，在icfb的LOG窗口出现运行结果。如图34图34采用diva进行DRC验证结果如果有错误，我们需将其

21、一一修正，然后重新做DRC验证直至没有错误出现。然后我们再用calibre做DRC验证，在版图编辑界面，菜单calibre-Run DRC，出现calibre的DRC工具界面，在DRC Run Directory中填写DRC的工作目录，就是自己建立的DRC工作目录,结果如图35所示。图35 采用calibre进行DRC验证结果这里，显示由一个error：Metal2的金属覆盖密度不够，这是由于我们选择2metal 2poly工艺，而在amp版图中使用了少量的metal2，因此，会出现这个问题，这个不是版图设计的图形有问题。Calibre-DRC RVE显示信息如下：= CALIBRE:DRC-

22、H SUMMARY REPORT=Execution Date/Time: Thu Jul 23 11:13:20 2015Calibre Version: v2008.1_20.15 Tue Mar 4 19:02:13 PST 2008Rule File Pathname: /export/homeO5/user1/training/ic/layout_labs/verify/drc/_drc_header_1j_00_Rule File Title: Layout System: GDSLayout Path(s): /export/homeO5/user1/training/ic/la

23、yout_labs/verify/drc/amp.calibre.dbLayout Primary Cell: ampCurrent Directory: /home/homeO5/user1/training/ic/layout_labs/verify/drcUser Name: user1Maximum Results/RuleCheck: 1000Maximum Result Vertices: 4096DRC Results Database: amp.drc.results (ASCII)Layout Depth: ALLText Depth: PRIMARYSummary Repo

24、rt File: amp.drc.summary (REPLACE)Geometry Flagging: ACUTE = YES SKEW = YES ANGLED = NO OFFGRID = YES NONSIMPLE POLYGON = NO NONSIMPLE PATH = NOExcluded Cells: CheckText Mapping: COMMENT TEXT + RULE FILE INFORMATIONLayers: MEMORY-BASEDKeep Empty Checks: NO- RUNTIME WARNINGSRULECHECK SB.7 . TOTAL Res

25、ult Count = 0 (0)RULECHECK SB.8 . TOTAL Result Count = 0 (0)RULECHECK EI.1 . TOTAL Result Count = 0 (0)RULECHECK EI.2 . TOTAL Result Count = 0 (0)RULECHECK EI.3 . TOTAL Result Count = 0 (0)RULECHECK EI.4 . TOTAL Result Count = 0 (0)RULECHECK EI.5 . TOTAL Result Count = 0 (0)RULECHECK MD1_CHK . TOTAL

26、 Result Count = 0 (0)RULECHECK MD2_CHK . TOTAL Result Count = 1 (1)- RULECHECK RESULTS STATISTICS (BY CELL)-CELL amp . TOTAL Result Count = 1 (1) RULECHECK MD2_CHK . TOTAL Result Count = 1 (1)- SUMMARY-TOTAL CPU Time: 0TOTAL REAL Time: 2TOTAL Original Layer Geometries: 1140 (1211)TOTAL DRC RuleCheck

27、s Executed: 188TOTAL DRC Results Generated: 1 (1)如果有错误，我们可以参照这些信息进行进行修改。2LVS验证在版图编辑界面，菜单calibre-Run LVS，出现calibre的LVS工具界面，同样地，在此界面之前还会有一个Runset的load界面，是以往LVS配置的load选择。在LVS Run Directory中填写LVS的工作目录，就是刚才建立的LVS工作目录，运行完毕后，会出现report报表，同时会出现RVE界面进行error的显示，我们可以利用其进行debug。运行结果如图36。图36 LVS验证结果LVS Report Fil

28、eREPORT FILE NAME: amp.lvs.reportLAYOUT NAME: /export/homeO5/user1/training/ic/layout_labs/verify/lvs/amp.calibre.dbSOURCE NAME: /export/homeO5/user1/training/ic/layout_labs/verify/lvs/ (amp)RULE FILE: /export/homeO5/user1/training/ic/layout_labs/verify/lvs/_chrt035dg_sige.lvs.cal_RULE FILE TITLE: M

29、entor Calibre LVS Runset for Dualgate SiGe ProcessLVS MODE: MaskRULE FILE NAME: /export/homeO5/user1/training/ic/layout_labs/verify/lvs/_chrt035dg_sige.lvs.cal_CREATION TIME: Thu Jul 23 11:21:17 2015CURRENT DIRECTORY: /home/homeO5/user1/training/ic/layout_labs/verify/lvsUSER NAME: user1CALIBRE VERSI

30、ON: v2008.1_20.15 Tue Mar 4 19:02:13 PST 2008-INITIAL NUMBERS OF OBJECTS- Layout Source Component Type - - - Ports: 6 6 Nets: 13 12 * Instances: 11 5 * MN (4 pins) 10 6 * MP (4 pins) 1 1 C (2 pins) - - Total Inst: 22 12NUMBERS OF OBJECTS AFTER TRANSFORMATION- Layout Source Component Type - - - Ports

31、: 6 6 Nets: 12 12 Instances: 5 5 MN (4 pins) 6 6 MP (4 pins) 1 1 C (2 pins) - - Total Inst: 12 12l = Number of objects in layout different from number in source.* INFORMATION AND WARNINGS* Matched Matched Unmatched Unmatched Component Layout Source Layout Source Type - - - - - Ports: 6 6 0 0 Nets: 1

32、2 12 0 0 Instances: 5 5 0 0 MN(nmos_5p0) 6 6 0 0 MP(pmos_5p0) 1 1 0 0 C(pip) - - - - Total Inst: 12 12 0 0o Statistics: 1 isolated layout net was deleted. 14 layout mos transistors were reduced to 4. 10 mos transistors were deleted by parallel reduction.o Isolated Layout Nets: (Layout nets which are

33、 not connected to any instances or ports). 12(10.125,2.500)o Initial Correspondence Points: Ports: vdd! gnd! vin1 vin2 vbias vout* SUMMARY*Total CPU Time: 0 secTotal Elapsed Time: 0 sec3.PEX验证PEX的过程和LVS过程基本一致，这是由于PEX首先也要做LVS，然后进行寄生参数提取。在版图编辑界面，菜单calibre-Run PEX，出现calibre的PEX工具界面，按Run PEX进行PEX提取，运行完毕

34、后，会出现report报表，并出现寄生参数提取后的netlist，如下netlist/ File: list/ Created: Thu Jul 23 11:27:50 2015/ Program Calibre xRC/ Version v2008.1_20.15/ simulator lang=spectresubckt amp ( VBIAS VIN2 VIN1 VOUT VDD! GND! )/ MM5 ( NET12 VBIAS GND! GND! ) NMOS_5P0 l=2e-06 w=1.4e-05 ad=1.19e-11 as=1.19e-11 pd=2.97e-05 ps=

35、2.97e-05 nrd=0. nrs=0. m=1MM7 ( VOUT VBIAS GND! GND! ) NMOS_5P0 l=2e-06 w=1.3e-05 ad=1.105e-11 as=6.5e-12 pd=2.77e-05 ps=1.4e-05 nrd=0. nrs=0. m=1MM72 ( VOUT VBIAS GND! GND! ) NMOS_5P0 l=2e-06 w=1.3e-05 ad=6.5e-12 as=6.5e-12 pd=1.4e-05 ps=1.4e-05 nrd=0. nrs=0. m=1MM73 ( VOUT VBIAS GND! GND! ) NMOS_5

36、P0 l=2e-06 w=1.3e-05 ad=6.5e-12 as=6.5e-12 pd=1.4e-05 ps=1.4e-05 nrd=0. nrs=0. m=1MM74 ( VOUT VBIAS GND! GND! ) NMOS_5P0 l=2e-06 w=1.3e-05 ad=1.105e-11 as=6.5e-12 pd=2.77e-05 ps=1.4e-05 nrd=0. nrs=0. m=1MM11 ( NET35 VBIAS GND! GND! ) NMOS_5P0 l=2e-06 w=1.3e-05 ad=1.105e-11 as=6.5e-12 pd=2.77e-05 ps=1.4e-05 nrd=0. nrs=0. m=1MM112 ( NET35 VBIAS GND! GND! ) NMOS_5P0