模拟电子技术复习题(共30页).doc

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1、精选优质文档-倾情为你奉上模 拟 电 子 技 术 复 习 题一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“”，否则填入“”。）第二章（ ）1. 运算电路中一般引入正反馈。（ ）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。第三章（ ）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）2. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（ ）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。（ ）4. N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）5. 二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（ ）6. PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的

2、，因而它的电阻率很高。（ ）7. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。第四章（ ）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（ ）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。（ ）3. 晶体管的参数不随温度变化。（ ）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。（ ）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。（ ）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。（ ）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（ ）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。（ ）9.

3、射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。（ ）10. 只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。（ ）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。（ ）12. 射极输出器的输入电流是，输出电流是，因此具有较高的电流放大倍数。第五章（ ）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。（ ）2. MOSFET的输入电阻比BJT高。第六章（ ）1. 运放的共模抑制比。（ ）2. 通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。（ ）3. 某差动放大电路的差模电压放大倍数Avd=1000，共模电压放大倍数A

4、vc=10，则其共模抑制比KCMR=100dB。（ ）4. 在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。（ ）5. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。第七章（ ）1. 负反馈放大电路可能产生自激振荡。（ ）2.电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。（ ）3. 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（ ）4. 某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够稳定输出电流。（ ）5. 要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。第八章（ ）1. 功率放大电路的转换效率。（ ）2. 在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。（ ）3

5、. 通常采用图解法分析功率放大电路。（ ）4. 功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。第九章（ ）1. 负反馈放大电路在一定条件下可能转化为正反馈。（ ）2. 欲使振荡电路能自行建立振荡，起振时应满足的条件。（ ）3. RC正弦波振荡电路产生的信号频率可通过改变RC串并联网络中电阻R和电容C的值来调节。（ ）4. 正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。（ ）5. 在采用正反馈方框图的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为jf，放大电路的相移为ja，那么只有a+f=2n，才满足相位平衡条件。（ ）6. 从结构上来看，正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网

6、络的正反馈放大器。第十章（ ）1. 整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。（ ）2. 直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。二、填空题第二章1. 为使运放电路稳定地工作在线性区，应在电路中引入深度 负 反馈。2. 工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均约等于零称为虚 断 。第三章1. 稳压管稳压时是让其工作在 反向击穿 状态。2. 某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为-10V，-6V，-6.2V，则这只三极管是 PNP型锗管 。（写出三极管的类型NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管。）3. 齐纳二极管是一种特殊二极管，常利用它在 反向击穿 状态下的恒压

7、特性来构成简单的稳压电路。第四章4. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数ICBO将变大 （大；小）。5.放大电路的静态分析，要依据 直流 通路图；放大电路的动态分析，要在 交流 通路图的基础上画出 小信号等效电路 图。6. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级有载电压放大倍数的 积 ，总的输入电阻等于 第一级放大电路的输入电阻 。7. 单管共集电极放大电路如下图所示，当Rb太小时，将产生 饱和 失真，其输出电压的_顶部_波形会被削掉。8. 单管共射放大电路中，若输入电压为正弦波，在中频通带内和的相位相 反 （同；反）。9. 放大电路静态工作点不稳定的原因主要是由于受 温度 的影响。1

8、0. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数将变 大 （大；小）。11. 放大电路静态工作点设置过高输出波形易产生 饱和 失真。12. 晶体管是温度的敏感元件，如果温度升高三极管的输出特性曲线将向_上_（上；下）移动。13. 放大电路静态工作点设置过低输出波形易产生 截止 失真。14. 下图为某放大电路的对数幅频特性图，则该电路的上限截止频率为 ，下限截止频率为 。15. 用示波器观察NPN管共射单管放大器的输出电压波形如下图所示，判断该波形属于 截止 失真。16. 下图是放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它的类型为NPN 型。题15图 题16图第五章1. 下图所示的是

9、某管子的转移特性曲线，则它是 N沟道耗尽型MOSFET 管。2 NMOS增强型场效应管在放大区的电流控制关系是。第六章 电流源电路的特点是直流电阻小，动态输出电阻 大 。第七章1. 为减小放大电路的输出电阻，应引入 并联 负反馈。2. 为了稳定静态工作点，应引入 直流 负反馈。3. 在反馈电路中，若1+AF1，则为_负_反馈；若1+AF1时,则为_正_反馈。4. 下图所示电路的反馈极性是 正反馈 。5. 为了稳定放大电路的输出电压，应引入 电压 负反馈；为了增大放大电路的输入电阻，应引入 串联 负反馈。第八章1. 双电源互补对称电路工作在乙类时，每只BJT的最大允许管耗必须大于 0.2 。2.

10、 下图功放电路中VCC12V，RL=6，则最大输出功率POM 12 W ，最高转换效率为 78.5% 。第九章1. 希望获取频率为100HZ500HZ的有用信号，应选用 带通 滤波电路。2. 正弦波振荡电路主要有RC和LC型振荡电路两大类, RC型振荡电路一般用来产生 低 频信号，LC型振荡电路一般用来产生 高 频信号。3. 在RC桥式正弦波振荡电路中，若串并联选频网络中的电阻均为，电容均为，则其振荡频率 。4. 正弦波振荡器主要由放大电路、反馈网络、 选频 网络和稳压电路四部分组成。第十章 在电子系统中，经常需要将交流电网电压转换为稳定的直流电压，为此要用整流、 滤波 和稳压等环节来实现。

11、三、单项选择题（每题2分,共20分）第一章1. 要使电压放大器具有较强的带负载能力，应减小放大器的哪个参数（C ）。A. B. C. D. 第三章1N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。 A. 电子 B. 空穴 C. 三价元素 D. 五价元素2. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A ）。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 不能确定3. 晶体二极管具有（A ）特性。A. 单向导电 B. 集电极电压饱和 C. 双向导电 D. 集电极电流截止4PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定5二极管的端电压为U，则

12、二极管的电流方程是（C ）。 A. ISeU B. C. D. 6. 二极管两端加上正向电压后有一段死区电压。锗管为（ A ）V伏。A. 0.1 B.0.3 C.0.4 D.0.77. 稳压管稳压是利用它的特性，所以必须给稳压管外加电压。（ C ）A.单向导电，反向 B.反向击穿，正向 C.反向击穿，反向 D.单向导电，正向8. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ A ）。A.大 B.小 C.相等 D.无法确定第四章1. 在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，在中频通带范围内和的相位（ B ）。A.同相 B.反相 C.相差90度 D.不确定2. 晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结

13、电压应为（ B ）。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏3. 一个三极管放大电路， =60A， = 2mA,值为50，这个三极管工作在（ D ）状态。A.放大 B. 击穿 C.截止 D. 饱和4. 电路如图1所示，二极管为理想二极管，对二极管工作状态的判断及输出电压大小的确定均正确的是（ B ）。A. 二极管D截止 B. 二极管D导通 C. 二极管D导通 D. 二极管D截止 图1 图25. 已知某MOS场效应管的转移特性如图2所示，试判断该场效应管的类型为（ B ）。 A. N沟道增强型MOS场效应管 B. N沟道耗尽型MO

14、S场效应管 C. P沟道增强型MOS场效应管 D. P沟道耗尽型MOS场效应管6. 当信号频率等于放大电路的或时，放大倍数的值约下降到中频时的（ B ）。A. 0.5倍 B. 0.7倍 C. 0.9倍 D. 1倍7. 两级放大电路的带负载电压放大倍数分别是=10，=20，则此放大电路总的电压放大倍数应是（ C ）。A. = 30B. = 10 C. = 200 D. = -2008. BJT三极管具有光敏性和热敏性的原因是由于（ B ）。A. 只有一种载流子参与导电 B. 两种载流子参与导电且少子是由本证激发产生的 C. 电子、空穴两种载流子都参与导电 D. 两种载流子参与导电且多子是由本证激

15、发产生的9. 要使放大器具有较好的频率特性，应选用哪种放大组态（ D ）。 A. 共射极 B. 共源极 C. 共集电极 D. 共基极10. 对于共集放大电路的特点，其错误的结论是（ B ）。 A. 电压放大倍数小于1且近似等于1 B. 电流放大倍数小于1且近似等于1 C. 输出电阻小，且与信号源内阻有关 D. 输入电阻大，且与负载有关11. BJT三极管放大电路的三种组态中，因其输出电阻小而被用于多级放大电路输出级的是（ B ）。 A. 共射极 B. 共集电极 C. 共基极 D. 共源极12放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ B ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在 B. 半导

16、体管极间电容和分布电容的存在C. 半导体管的非线性特性 D. 放大电路的静态工作点不合适14考虑了带负载增益分别为，的三级放大电路，则总的电压增益为（ B ）dB。A. 1800 dB B. 80 dB C. 600 dB D. 60 dB15多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是（ A ）。A. 输入级 B. 中间级 C. 输出级 D. 增益最高的一级16某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为5V，1.3V, 1V,则这只三极管是（ B ）。A. NPN型的硅管 B. NPN型的锗管 C. PNP型的硅管 D. PNP型的锗管17.下面各电路器件符号，哪个表示的是晶体三极管

17、？（ C ）。 A. B. C. D. 18.工作在放大区的三极管，当从20A增大至40A时，从1mA变为2mA，其值约为（ B ）。A. 100 B. 50 C.500 D.100019.一个放大器输入端输入有效值为50mV的正弦交流电，从输出端测量其有效值电压为1V，则其电压放大倍数为（ D ）。A. 1000 B.100 C.200 D. 2020. 一个三极管若放弃集电极不用，那么基极和发射极之间可当作（ B ）器件使用。A.晶体三极管 B.晶体二极管 C.固定电阻 D.大容量电容21. 共集电极放大电路的放大倍数，而电流放大倍数。（ C ）A.1,很小 B.1,很大 C. 1, 很大

18、 D. 1,很小22. 工作在放大区的三极管，已知值=100,，约为（ B ）mA。A.1 B.2 C.3 D.423. 一个单管放大器电源电压6V，发射结正向偏置后，若Vc约为0.6V，Ve为0.4V,若Vb为1.1V,则该放大器的三极管可能处于（ B ）状态。A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿24. BJT放大电路中既能放大电压，也能放大电流的是（ A ）组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定第五章1. 下述管子中输入电阻最高的管子为（ A ）。A. MOS场效应管 B. BJT三极管 C. 结型场效应管 D. 二级管2. 已知某MOS场效应管的转移特性如图3所

19、示，试判断该场效应管的类型为（ A ）。A. N沟道增强型MOS场效应管B. N沟道耗尽型MOS场效应管 C. P沟道增强型MOS场效应管 D. P沟道耗尽型MOS场效应管3. 场效应管是一种（ D ）的器件。 A. 电流控制的电流源 B. 电流控制的电压源 C. 电压控制的电压源 D. 电压控制的电流源4. 结型场效应管利用删源极间所加的（ A ）来改变导电沟道的电阻。A. 反偏电压 B. 反向电流 C. 正偏电压 D. 正向电流5. 题13图示电路中，则漏极电流（ A ）。A. 0.2mA B. 0.4mA C. 0.6mA D. 0.1mA6. 设题14图示电路中漏源之间动态电阻，则图示

20、电路中电压增益=（ A ）。A. B. C. D. 7. 题15图示转移特性曲线，则它是（ A ）管。A. N沟道耗尽型MOSFET B. P沟道耗尽型MOSFET C. N沟道耗尽型JFET D. N沟道增强型JFET 题13 图 题14 图 题15 图 第六章1. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ A ）。A. 减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 D. 减小放大倍数2. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ D ）。 A. 可抑制温度漂移 B. 可使输入电阻减小 C. 可获得很大的放大倍数 D. 集成工艺难于制造大容量电容3. 集成运放的中间级采用复合管放大电路是

21、因为可以（ B ）。A. 减小温漂 B. 提高放大倍数 C. 展宽通频带 D. 提高带载能力 4. 复合管的电流放大倍数约等于两个管子各自电流放大倍数的（ C ）。 A. 和 B. 差 C. 积 D. 商5. 某一差动放大电路的输入，则该差放的共模信号和差模信号分别为（ B ）。A. 2.5mV，7.5mV B. 2.5mV，15mV C. -7.5mV，-2.5mV D. -15mV，5mV6.运放的共模电压增益越小，表明运放的（D ）。A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C.输入电阻越大 D抑制共模信号的能力越强7. 通用型集成运放的输入级多采用（ D ）。 A. 共基接法 B. 共

22、集接法 C. 共射接法 D. 差分接法8. 差分放大电路中，当=300mV，=280mV，=100，=1时，输出电压为（ D ）。A. 580mV B. 1.71V C. 2V D. 2.29V第七章1. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ D ）。A. 输入信号中的干扰和噪声 B. 输入信号和放大电路中的干扰和噪声C. 反馈环外引入的干扰和噪声 D. 产生于反馈环内的干扰和噪声2. 在输入电量不变的情况下，若引入反馈后（ C ），则说明引入的反馈是正反馈。 A. 输入电阻增大 B. 输出量减小 C. 净输入电量增大 D. 净输入电量减小3. 提高输入电阻，又可稳定输出电流的反馈组态是（ D ）。

23、A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈C. 电流并联负反馈 D. 电流串联负反馈4. 放大器引入直流负反馈可以（ D ）。A. 稳定输出电流 B. 稳定输出电压C. 稳定电压放大倍数 D. 稳定直流工作点5. 对题9图示电路中交直流反馈的判断正确的是（ B ）。 A. 电压串联负反馈 B. 电压并联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈 6. 在稳定范围内放大电路引入的负反馈越强，则其（ D ）。 A. 放大倍数越大 B. 输入电阻越大 C. 输出电阻越小 D. 放大倍数的稳定性越强。7. 欲得到一个压控电流源电路，应该引入的反馈类型为（ D ）。 A. 电压并联负反馈 B.

24、电压串联负反馈 C. 电流并联负反馈 D. 电流串联负反馈8既提高输入电阻，又可稳定输出电压的反馈组态是（ B ）。A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈9放大电路如图1所示，要使静态工作点 Q上移, 应使（ C ）。A. 增大 B. 增大 C. 减小 D. 增大 图1 图210判断图2电路中交流反馈的组态（ B ）。 A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈11.希望接上负载后，基本不变，应引入（ A ）负反馈。A.电压 B.电流 C.串联 D.并联12. 放大器引入电流串联负反馈可以（ A ）。A

25、. 稳定输出电流 B. 降低输入电阻 C. 降低输出电阻 D. 稳定电压放大倍数13. 负反馈放大电路产生自激振的条件是（ C ）。A. B. C. D. 14. 某负反馈放大电路的开环增益 =,当反馈系数F =0.0004时,其闭环增益 为（ A ）。A. 2500 B. 2000 C. 1000 D. 150015. 在反馈放大电路中，如果反馈信号和输出电压成正比，称为（ C ）反馈。A. 电流 B. 串联 C. 电压 D. 并联第八章1. 在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中每个功放管的集电极最大功耗约为（ C ）。 A. 1 0W B. 20 W C. 0.2 W D

26、. 0.4 W 2. 若图1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为，则最大输出功率为（ C ）。 A. B. C. D. 图1 图2 3. 电路图2中D1和D2管的作用是消除（ B ）。 A. 饱和失真 B. 交越失真 C. 截止失真 D. 线性失真 4.理想情况下，乙类双电源互补对称功放电路的最大输出功率为（ A ）。A. B. C. D. 5. 为了消除交越失真，应当使功率放大电路工作在（ B ）状态。A. 甲类 B. 甲乙类 C. 乙类 D.丙类第九章1一个实际的正弦波振荡电路的组成为（ D ）。A. 放大电路和反馈网络 B. 放大电路和选频网络C. 放大电路、反馈网络和稳频网络 D. 放大

27、电路、反馈网络、选频网络和稳幅环节 2. 有用信号频率高于500Hz，可选用（ B ）滤波电路。A.低通 B.高通 C.带通 D.带阻。3. 一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈，则（ C ）。A. 一定会产生高频自激振荡 B. 有可能产生高频自激振荡 C. 一定不会产生高频自激振荡 D. 无法判定第十章10. 直流稳压电源中滤波电路的目的是（ D ）。 A. 将直流变为交流 B. 将高频变为低频 C. 将低频变为高频 D. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉9. 串联反馈型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（ B ）。 A. 基准电压 B. 基准电压与采样电压之差 C. 采样电压 D.

28、基准电压与采样电压之和12. 单相桥式整流电路中，设V2为变压器副边的有效值，则二极管所承受的最大反向截止电压为（ B ）。 A. B. C. D. 四、作图题1电路如下图所示，稳压管为硅管，设其正向导通后其上压降V，且稳定电压V。设V，试画出输出电压的波形，并标出幅值。 2电路如下图所示，已知（V），二极管为理想二极管，试画出的波形并标出其幅值。 3电路如下图所示，已知（V），二极管导通电压V，试画出的波形，并标出幅值。 4电路如下图所示，稳压管的稳定电压V，R的取值合适，的波形如右图所示。试画出的波形。5某放大电路的对数幅频特性图如下图所示，则该电路的上限截止频率为 HZ ，下限截止频率为

29、 HZ 。通带增益为 80 dB。6已知某N沟道耗尽型MOS场效应管的转移特性和输出特性如下图所示，由图可知夹断电压= -5 V；饱和漏极电流= 2 mA。7某放大电路的直流负载线如图所示，已知 ，（1）在图中标出Q点位置；（2）由Q点读出= 1 mA； 3 V。五、计算题第二章1. 电路如下图所示，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。 由运放的“虚断”特性有： 在运放的同向输入端由虚短”特性有： 再由“虚短”特性有： 2. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求：（1）集成运放A1、A2、A3是否为线性应用？A1、A2、A3分别组成何种运算电路？（2）分别列出、的电压方程；（3）求电路输

30、出电压与输入电压的运算关系。、 (1) 是线性运用；A1、A2为电压跟随器，A3构成求差电路 (2) ， (3) 3. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。（10分）在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有即 （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚短特性有： （2）在M点，有 ，即 （3） 联立（1）（2）（3）式有4. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求电路的输出电压与输入电压的运算关系 。 在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 即 （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 （2） 再利用理想运放的

31、虚短特性有： （3） 联立（1）（2）（3）式得 5. 电路如下图所示，假设运放是理想的，电容的初始电压。（1）集成运放、是否为线性应用？、分别组成什么运算电路？（2）求电路输出电压与输入电压的运算关系。（1）集成运放、是线性应用，运放组成差分式运算电路，组成积分电路；（2） 集成运放组成积分电路： 6. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求：（1）集成运放A是否为线性应用？（2）求电路输出电压与输入电压的运算关系。（1）集成运放A是线性应用。 （2）在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有即 （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 再利用理想运放的虚短特性有：

32、 （2） 将（2）式代入（1）式得 7. 电路如下图所示，其中，假设运放是理想的，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。 在集成运放1的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 即 （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 （2） 再利用理想运放的虚短特性有： （3） 联立（1）（2）（3）式得 集成运放2组成积分电路： 8. 试求下图所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性有： （1） 在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 （2） 再利用理想运放的虚短特性有： （3） 联立（1）（2）（3）式得 9. 电路如下图

33、所示，假设运放是理想的，电容的初始储能为零。试求电路的输出电压与输入电压的运算关系 。由运放的虚短特性有： 在运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 10. 电路如下图所示，（1）试求的表达式; （2）试求与、的运算关系。在运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 A1、A2、A3的输出电压分别为vI1、vI2、vI3。 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性有： （1） 由运放的虚短特性有： （2） 联立（1）（2）式得： 第三章1. 已知下图所示电路中稳压管的稳定电压UZ6V，最小稳定电流IZmin5mA，最大稳定电流IZmax25mA。（1）分别计算UI为10V、15V两种情况下输出电压的值；（2）若UI35V时负载开路，则会出现什么现象?