模电数电考研面试总结(共8页).doc
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1、精选优质文档-倾情为你奉上1、基尔霍夫定理的内容是什么?(仕兰微电子)2、平板电容公式(C=S/4kd)。(未知)3、最基本的如三极管曲线特性。(未知)4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。(仕兰微电子) a, Y J o+ C( 5、负反馈种类(电压并联反馈,电流串联反馈,电压串联反馈和电流并联反馈);负反 馈的优点(降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非 线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用)(未知) e+ Q9 s& K( 3 O/ W/ hC* B6、放大电路的频率补偿的目的是什么,有哪些方法?(仕兰微电子)7、频率响应,如:怎么才算是稳定的
2、,如何改变频响曲线的几个方法。(未知)8、给出一个查分运放,如何相位补偿,并画补偿后的波特图。(凹凸)9、基本放大电路种类(电压放大器,电流放大器,互导放大器和互阻放大器),优缺 点,特别是广泛采用差分结构的原因。(未知) / F- / |: r3 e# |1 c10、给出一差分电路,告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。(未知) ) n4 ? R; A; d; W6 z c3 11、画差放的两个输入管。(凹凸)12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的 运放电路。(仕兰微电子)13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。(未知) & - _, d
3、0 E; Z$ V14、给出一个简单电路,让你分析输出电压的特性(就是个积分电路),并求输出端某点 的rise/fall时间。(Infineon笔试试题) ) 15、电阻R和电容C串联,输入电压为R和C之间的电压,输出电压分别为C上电压和R上电 压,要求制这两种电路输入电压的频谱,判断这两种电路何为高通滤波器,何为低通滤 波器。当RCT时,给出输入电压波形图,绘制两种电路的输出波形图。(未知) 4 D9 f! g4 ?k- BA, 9 A16、有源滤波器和无源滤波器的原理及区别?(新太硬件)17、有一时域信号S=V0sin(2pif0t)+V1cos(2pif1t)+V2sin(2pif3t+
4、90),当其通过低通、 带通、高通滤波器后的信号表示方式。(未知) ( K) Y) ?6 z| L( ?18、选择电阻时要考虑什么?(东信笔试题)19、在CMOS电路中,要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平,这个单管你会用P管 还是N管,为什么?(仕兰微电子) & |. |& 9 k% V5 o/ P20、给出多个mos管组成的电路求5个点的电压。(Infineon笔试试题) V1 S0 D. Nb7 H3 k21、电压源、电流源是集成电路中经常用到的模块,请画出你知道的线路结构,简单描述 其优缺点。(仕兰微电子)22、画电流偏置的产生电路,并解释。(凹凸) # O4 I4 R8 i( P
5、2 Q) l, 23、史密斯特电路,求回差电压。(华为面试题) 0 c( / C. B1 O* G2 D24、晶体振荡器,好像是给出振荡频率让你求周期(应该是单片机的,12分之一周期.)(华为面试题) . BJ% G4 F$ z* L1 7 E5 p25、LC正弦波振荡器有1、基尔霍夫定理的内容是什么?(仕兰微电子) & |( T. Q8 w9 q, t/ j2、平板电容公式(C=S/4kd)。(未知)3、最基本的如三极管曲线特性。(未知) 1 * f; k: r5 g3 x4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。(仕兰微电子) * 7 d/ u, T2 F8 l, e / M5、负反馈种类(
6、电压并联反馈,电流串联反馈,电压串联反馈和电流并联反馈);负反 馈的优点(降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非 线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用)(未知)6、放大电路的频率补偿的目的是什么,有哪些方法?(仕兰微电子) ; D4 v& b0 o7 S! k+ c7、频率响应,如:怎么才算是稳定的,如何改变频响曲线的几个方法。(未知)8、给出一个查分运放,如何相位补偿,并画补偿后的波特图。(凹凸)9、基本放大电路种类(电压放大器,电流放大器,互导放大器和互阻放大器),优缺 点,特别是广泛采用差分结构的原因。(未知) 1 i# x0 c5 3 x. j
7、10、给出一差分电路,告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。(未知) - 6 g! w: |& x8 F( J( N# ! z11、画差放的两个输入管。(凹凸) 6 r: Ct e# k; L- 12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的 运放电路。(仕兰微电子)13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。(未知) + p( Y5 v6 e) W14、给出一个简单电路,让你分析输出电压的特性(就是个积分电路),并求输出端某点 的rise/fall时间。(Infineon笔试试题) 4 p/ b0 j* t8 P( Y5 O$ / K15、电阻R和电
8、容C串联,输入电压为R和C之间的电压,输出电压分别为C上电压和R上电 压,要求制这两种电路输入电压的频谱,判断这两种电路何为高通滤波器,何为低通滤 波器。当RCT时,给出输入电压波形图,绘制两种电路的输出波形图。(未知)16、有源滤波器和无源滤波器的原理及区别?(新太硬件) |1 v U2 p4 R4 v* c7 G2 : F17、有一时域信号S=V0sin(2pif0t)+V1cos(2pif1t)+V2sin(2pif3t+90),当其通过低通、 带通、高通滤波器后的信号表示方式。(未知)18、选择电阻时要考虑什么?(东信笔试题) 2 G& o& Y, N0 B 19、在CMOS电路中,要
9、有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平,这个单管你会用P管 还是N管,为什么?(仕兰微电子) 3 f+ ?Y3 i. a. l& 20、给出多个mos管组成的电路求5个点的电压。(Infineon笔试试题) 0 + b1 f% A3 l* _21、电压源、电流源是集成电路中经常用到的模块,请画出你知道的线路结构,简单描述 其优缺点。(仕兰微电子) 6 x( & _bU22、画电流偏置的产生电路,并解释。(凹凸) 9 R8 J1 u+ l! W& h23、史密斯特电路,求回差电压。(华为面试题) - r. m4 l8 |2 d! s* L24、晶体振荡器,好像是给出振荡频率让你求周期(应该是单片
10、机的,12分之一周期.)(华为面试题) . d& r/ Y/ t. b) N5 z25、LC正弦波振荡器有哪几种三点式振荡电路,分别画出其原理图。(仕兰微电子) 4 s1 Q- Y; b4 w; X26、VCO是什么,什么参数(压控振荡器?) (华为面试题) ) 27、锁相环有哪几部分组成?(仕兰微电子) # G8 G# U+ W) P! v0 x28、锁相环电路组成,振荡器(比如用D触发器如何搭)。(未知) . H v5 b7 B% A29、求锁相环的输出频率,给了一个锁相环的结构图。(未知) / z- ?* g1 B5 u30、如果公司做高频电子的,可能还要RF知识,调频,鉴频鉴相之类,不
11、一一列举。(未知)31、一电源和一段传输线相连(长度为L,传输时间为T),画出终端处波形,考虑传输线 无损耗。给出电源电压波形图,要求绘制终端波形图。(未知)32、微波电路的匹配电阻。(未知)33、DAC和ADC的实现各有哪些方法?(仕兰微电子)34、A/D电路组成、工作原理。(未知)27、锁相环有哪几部分组成?(仕兰微电子)28、锁相环电路组成,振荡器(比如用D触发器如何搭)。(未知) $ U0 i( 1 n, M2 E9 q+ T29、求锁相环的输出频率,给了一个锁相环的结构图。(未知) . K7 ! - : n30、如果公司做高频电子的,可能还要RF知识,调频,鉴频鉴相之类,不一一列举。
12、(未知) 8 O; i( Y; V! i31、一电源和一段传输线相连(长度为L,传输时间为T),画出终端处波形,考虑传输线 无损耗。给出电源电压波形图,要求绘制终端波形图。(未知) $ Q0 S9 _8 I# F) c+ C4 ; N b/ N5 J32、微波电路的匹配电阻。(未知)33、DAC和ADC的实现各有哪些方法?(仕兰微电子)34、A/D电路组成、工作原理。(未知) 1、同步电路和异步电路的区别是什么?(仕兰微电子)4、什么是Setup 和Holdup时间?(汉王笔试)5、setup和holdup时间,区别.(南山之桥) 7 y% s; D! X/ ?6、解释setup time和h
13、old time的定义和在时钟信号延迟时的变化。(未知)8、说说对数字逻辑中的竞争和冒险的理解,并举例说明竞争和冒险怎样消除。(仕兰微 电子)12、IC设计中同步复位与 异步复位的区别。(南山之桥) ) 13、MOORE 与 MEELEY状态机的特征。(南山之桥) $ S. b* N8 Y0 K* : V14、多时域设计中,如何处理信号跨时域。(南山之桥) . N/ N; O. F3 C. s- A15、给了reg的setup,hold时间,求中间组合逻辑的delay范围。(飞利浦大唐笔试)Delay period - setup hold , U: n: e8 R; c+ P0 w4 u16
14、、时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max,最小为T1min。组合逻辑电路最大延 5 ZXF t/ |; U9 d) w迟为T2max,最小为T2min。问,触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件。(华 6 C2 9 T; Y为)46、画出DFF的结构图,用VERILOG实现之。(威盛)47、画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。(未知)48、D触发器和D锁存器的区别。(新太硬件面试) 5 z) d2 & A; J! Z5 t49、简述LATCH和FILP-FLOP的异同。(未知)50、LATCH和DFF的概念和区别。(未知) P0 Z; a* X2 3 t1 t+ F
15、u7 L51、LATCH与REGISTER的区别,为什么现在多用REGISTER.行为级描述中LATCH如何产生的。 ; a, P7 T6 G( X& my, f# f, i(南山之桥) % l* S0 a8 r2 H( HR1 U52、用D触发器做个二分颦的电路.又问什么是状态图。(华为)53、请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路?(汉王笔试)54、怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路?(东信笔试) r6 Z* N5 % ?6 nI! d55、HOW MANY FLIP-FLOP CIRCUITS ARE NEEDED TO DIVIDE BY 16?(INTEL) 16分频? 56、用
16、FILP-FLOP和LOGIC-GATE设计一个1位加法器,输入CARRYIN和CURRENT-STAGE,输出CARRYOUT和NEXT-STAGE. (未知)57、用D触发器做个4进制的计数。(华为) v4 s6 wU; M) o8 |; |! ) E58、实现N位JOHNSON COUNTER,N=5。(南山之桥)59、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器,15进制的呢?(仕兰微电子) / _2 + A3 D1 K; ? E60、数字电路设计当然必问VERILOG/VHDL,如设计计数器。(未知)61、BLOCKING NONBLOCKING 赋值的区别。(南山之桥65
17、、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路。(仕兰微电子)66、用VERILOG或VHDL写一段代码,实现10进制计数器。(未知)67、用VERILOG或VHDL写一段代码,实现消除一个GLITCH。(未知)68、一个状态机的题目用VERILOG实现(不过这个状态机画的实在比较差,很容易误解的)。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)69、描述一个交通信号灯的设计。(仕兰微电子) / W* p7 + a2 S+ P2 u+ F, u70、画状态机,接受1,2,5分钱的卖报机,每份报纸5分钱。(扬智电子笔试) 71、设计一个自动售货机系统,卖SODA水的,只能投进三种硬币,要正确的找
18、回钱数。 (1)画出FSM(有限状态机);(2)用VERILOG编程,语法要符合FPGA设计的要求。(未知) 4 x9 b2 m a0 b72、设计一个自动饮料售卖机,饮料10分钱,硬币有5分和10分两种,并考虑找零:(1)画出FSM(有限状态机);(2)用VERILOG编程,语法要符合FPGA设计的要求;(3)设计工程中可使用的工具及设计大致过程。(未知)73、画出可以检测10010串的状态图,并VERILOG实现之。(威盛) 3 m e 4 E. D* c9 M74、用FSM实现的序列检测模块。(南山之桥) , Z, r$ x7 S F& D( Z3 ! t2 BA为输入端,B为输出端,如
19、果A连续输入为1101则B输出为1,否则为0。例如A: . B: , 请画出STATE MACHINE;请用RTL描述其STATE MACHINE。(未知) 6 _3 a: A+ E( W4 y0 Z/ B( a X75、用VERILOG/VDDL检测STREAM中的特定字符串(分状态用状态机写)。(飞利浦大唐笔试)76、用VERILOG/VHDL写一个FIFO控制器(包括空,满,半满信号)。(飞利浦大唐笔试)77、现有一用户需要一种集成电路产品,要求该产品能够实现如下功能:Y=LNX,其中,X + c, m6 B; O0 # v; p0 _3 W0 dM! Q为4位二进制整数输入信号。Y为二
20、进制小数输出,要求保留两位小数。电源电压为35V假 0 C# W) M0 |$ c设公司接到该项目后,交由你来负责该产品的设计,试讨论该产品的设计全程。(仕兰微 0 t2 x! 3 T6 Q电子)78、SRAM,FALSH MEMORY,及DRAM的区别?(新太硬件面试) ! ( K+ 7 _$ m3 z( z6 B- Y9 g79、给出单管DRAM的原理图(西电版数字电子技术基础作者杨颂华、冯毛官205页图14B),问你有什么办法提高REFRESH TIME,总共有5个问题,记不起来了。(降低温度,增大电容存储容量)(INFINEON笔试) ! X0 x1 E1 1 P9 K$ 80、PLE
21、ASE DRAW SCHEMATIC OF A COMMON SRAM CELL WITH 6 TRANSISTORS,POINT OUT/ N% k, g; r$ g9 g* WHICH NODES CAN STORE DATA AND WHICH NODE IS WORD LINE CONTROL? (威盛笔试题CIRCUIT DESIGN-BEIJING-03.11.09) 3、什么叫做OTP片、掩膜片,两者的区别何在?(仕兰微面试题目), , q6 z% k. gB; Y% c4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?(仕兰微面试题目)2 D/ % f8 z. 5、描述你对集成电路设
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