电力电子技术重点知识点总结(共10页).doc
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1、精选优质文档-倾情为你奉上电力电子技术 期末复习题第1章 绪 论1 电力电子技术定义:是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,是应用于电力领域的电子技术,主要用于电力变换。2 电力变换的种类(1)交流变直流AC-DC:整流(2)直流变交流DC-AC:逆变(3)直流变直流DC-DC:一般通过直流斩波电路实现,也叫斩波电路(4)交流变交流AC-AC:可以是电压或电力的变换,一般称作交流电力控制3 电力电子技术分类:分为电力电子器件制造技术和变流技术。4、相控方式;对晶闸管的电路的控制方式主要是相控方式5、斩空方式:与晶闸管电路的相位控制方式对应,采用全空性器件的电路的主要控制方式为脉冲宽度调
2、制方式。相对于相控方式可称之为斩空方式。第2章 电力电子器件1 电力电子器件与主电路的关系(1)主电路:电力电子系统中指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。(2)电力电子器件:指应用于主电路中,能够实现电能变换或控制的电子器件。广义可分为电真空器件和半导体器件。2 电力电子器件一般特征:1、处理的电功率小至毫瓦级大至兆瓦级。2、都工作于开关状态,以减小本身损耗。3、由电力电子电路来控制。4、安有散热器3 电力电子系统基本组成与工作原理(1)一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。(2)检测主电路中的信号并送入控制电路,根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信
3、号。(3)控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。(4)同时,在主电路和控制电路中附加一些保护电路,以保证系统正常可靠运行。4 电力电子器件的分类根据控制信号所控制的程度分类(1)半控型器件:通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。如SCR晶闸管。(2)全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件。如GTO、GTR、MOSFET和IGBT。(3)不可控器件:不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。如电力二极管。根据驱动信号的性质分类(1)电流驱动型器件:通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如SCR、
4、GTO、GTR。(2)电压驱动型器件:通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如MOSFET、IGBT。根据器件内部载流子参与导电的情况分类(1)单极型器件:内部由一种载流子参与导电的器件。如MOSFET。(2)双极型器件:由电子和空穴两种载流子参数导电的器件。如SCR、GTO、GTR。(3)复合型器件:有单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。如IGBT。5 半控型器件晶闸管SCR2.3.1.4.4 晶闸管的关断工作原理满足下面条件,晶闸管才能关断:(1)去掉AK间正向电压;(2)AK间加反向电压;(3)设法使流过晶闸管的电流降低到接近于零的某一数值以
5、下。2.3.2.1.1 晶闸管正常工作时的静态基本特性(1)当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。(2)当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。(3)晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门极触发电流是否还存在,晶闸管都保持导通。(4)若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。2.4.1.1 GTO的结构(1)GTO与普通晶闸管的相同点:是PNPN四层半导体结构,外部引出阳极、阴极和门极。(2)GTO与普通晶闸管的不同点:GTO是一种多元的功率集成器件,其内部包含数十个甚至数百个
6、供阳极的小GTO元,这些GTO元的阴极和门极在器件内部并联在一起,正是这种特殊结构才能实现门极关断作用。2.4.1.2 GTO的静态特性(1)当GTO承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。(2)当GTO承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。(3)GTO导通后,若门极施加反向驱动电流,则GTO关断,也即可以通过门极电流控制GTO导通和关断。(4)通过AK间施加反向电压同样可以保证GTO关断。2.4.3 电力场效应晶体管MOSFET(1)电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的,因此它是电压型器件。(3)当大于某一电压值时,栅极下P区表面的电子浓度将超过
7、空穴浓度,从而使P型半导体反型成N型半导体,形成反型层。2.4.4 绝缘栅双极晶体管IGBT(1)GTR和GTO是双极型电流驱动器件,其优点是通流能力强,耐压及耐电流等级高,但不足是开关速度低,所需驱动功率大,驱动电路复杂。(2)电力MOSFET是单极型电压驱动器件,其优点是开关速度快、所需驱动功率小,驱动电路简单。(3)复合型器件:将上述两者器件相互取长补短结合而成,综合两者优点。(4)绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件,由GTR和MOSFET两个器件复合而成,具有GTR和MOSFET两者的优点,具有良好的特性。第3章 整流电路(1)整流电路定义:将交流电能变成直流电能供给直流用电设备
8、的变流装置。2、整流电路主要分类方法有:按组成的器件可分为不可控、半空、全控三种;按电路结构分为桥式电路和零式电路;按交流输入相数分为单相电路和多相电路,按变压器二次电流方向是单向双向可分为单拍电路和双拍电路。3.1.1 单相半波可控整流电路(1)触发角:从晶闸管开始承受正向阳极电压起,到施加触发脉冲为止的电角度,称为触发角或控制角。(2)几个定义 “半波”整流:改变触发时刻,和波形随之改变,直流输出电压为极性不变但瞬时值变化的脉动直流,其波形只在正半周内出现,因此称“半波”整流。 单相半波可控整流电路:如上半波整流,同时电路中采用了可控器件晶闸管,且交流输入为单相,因此为单相半波可控整流电路
9、。3、带电阻情况:=0.45 范围是 4、带阻感负载时; 5 电力电子电路的基本特点及分析方法(1)电力电子器件为非线性特性,因此电力电子电路是非线性电路。(2)电力电子器件通常工作于通态或断态状态,当忽略器件的开通过程和关断过程时,可以将器件理想化,看作理想开关,即通态时认为开关闭合,其阻抗为零;断态时认为开关断开,其阻抗为无穷大。3.1.2 单相桥式全控整流电路3.1.2.1 带电阻负载的工作情况1、单相桥式全控整流电路带电阻负载时的波形图(3)全波整流在交流电源的正负半周都有整流输出电流流过负载,因此该电路为全波整流。(4)直流输出电压平均值(5)负载直流电流平均值(6)晶闸管参数计算
10、承受最大正向电压: 承受最大反向电压: 触发角的移相范围: 。 晶闸管电流平均值:VT1 、VT4与VT2 、VT3轮流导电,因此晶闸管电流平均值只有输出直流电流平均值的一半,即。3.1.2.2 带阻感负载的工作情况(1)单相桥式全控整流电路带阻感负载时的原理图(3)直流输出电压平均值(4)触发角的移相范围 (5)晶闸管承受电压:正向:;反向:3.2 三相可控整流电路3.2.1 三相半波可控整流电路3.2.1.1 电阻负载(2)三相半波不可控整流电路带电阻负载时的波形图 按照上述过程如此循环导通,每个二极管导通。 自然换向点:在相电压的交点、处,出现二极管换相,即电流由一个二极管向另一个二极管
11、转移,这些交点为自然换向点。(3)三相半波可控整流电路带电阻负载时的波形图()自然换向点:对于三相半波可控整流电路而言,自然换向点是各相晶闸管能触发导通的最早时刻(即开始承受正向电压),该时刻为各晶闸管触发角的起点,即。(6)三相半波可控整流电路带电阻负载不同触发角工作时的情况总结 当时,负载电流处于连续状态,各相导电。 当时,负载电流处于连续和断续的临界状态,各相仍导电。 当时,负载电流处于断续状态,直到时,整流输出电压为零。 结合上述分析,三相半波可控整流电路带电阻负载时角的移相范围为,其中经历了负载电流连续和断续的工作过程。(7)数值计算 时,整流电压平均值(负载电流连续):ll 当时,
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