NB25RMA维修员培训(新人)(共161张).pptx
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1、目录目录第一章第一章:电子学基础电子学基础 第二章第二章:Notebook 基本原理基本原理. 第三章第三章 Notebook电源电源. 第四章第四章:POST.第五章:维修工具的使用第五章:维修工具的使用.155 .155 .158第六章:第六章:ESD的防护的防护.159 NB25 RMA 维修员培训维修员培训(新人新人)2006-09-06 Ver:A 1第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 1.1元器件的识别 1.1.1分立元件的认识: 1.1.1.1电阻:电阻用英文字“R(resistance)表示 电阻的作用: A:分压 B:其它特殊电阻 电路符号: 1 2或 1.1.2.
2、3排阻 a.并联排阻( ) b.串联排阻( )2第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 smt電阻的標麽方法 標麽值abc的正常阻值應為:ab10C,例:103的阻值為:1010 標麽值aRb的正常阻值應為:a.b例:1R3的阻值為:1.33第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹电感电感的定义:是由导线一圈靠一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。用L表示,单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH),1H=103mH=106uH。一、电感线圈的主要特性参数1、电感量L电感量L表示线圈本身固有特性,与电流大小无关。除专门的
3、电感线圈(色码电感)外,电感量一般不专门标注在线圈上,而以特定的名称标注。2、感抗XL电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL,单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2fL1.1.5.2电感的作用:a.滤波 b.偶合 c.限流4第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 1.1.2電容( ) 1.1.2.1電容的作用 a. 慮波b.偶合 1.1.2.2 電容的分類:1有极性电容 2无极性电容 1.有极性电容: a. 电解电容 b.铝质电容 c.钽质电容 2.无极性电容: 瓷片电容 云母电容 条纶电容 1.1.2.3电容的容值换算:1F=103MF=106UF=109NF=10
4、12PF5第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 1.1.3.1 二极体( ) 1.1.3.2 二极体的作用(或分类):a.整流二极管、b.降压二极管、c.稳压二极管、d.开关二极管、e.检波二极管、f.变容二极管; 从制作材料上可分为硅二极管和锗二极管。无论是什么二极管,都有一个正向导通电压,低于这个电压时二极管就不能导通,硅管的正向导通电压在06V07V、锗管在02V03V,其中07V和03V是二极管的最大正向导通电压即到此电压时无论电压再怎么升高(不能高于二极管的额定耐压值),加在二极管上的电压也不会再升高了。6第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 上面说了二极管的正向导通
5、特性,二极管还有反向导通特性,只是导通电压要相对高出正向许多,其它的和正向导通差不太多。稳压二极管就是利用这个原理做成的,但由于这个理论说下去可能篇幅会太长,所以只做简介,您只要记住反向漏电流越小就证明这个二极管的质量越好,质量较好的硅管在几毫安至几十毫安之间、锗管在几十毫安至几百毫安之间。7第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 1.1.4.1 三极体&mos管 1.1.4.2 三极体的分类:a.NPN b.PNP 1.1.4.3 三极体的三态:a.放大 b.截止 c.饱和状态 1.1.4.4 三极体组成的基本放大电路: a.共集( ) b.共射( ) c.共基( ) 8第一节第一节:
6、 电子元器件介紹电子元器件介紹共射放大电路如图所示。 Vcc是集电极回路的直流电源,也是给放大电路提供能量的,一般在几伏到几十伏范围,以保证晶体三极管的发射结正向偏置、集电结反向偏置,使晶体三极管工作在放大区。Rc是集电极电阻,一般在几 K 至几十K 范围,它的作用是把集电极电流iC的变化变成集电极电压uCE的变化。VBB是基极回路的直流电源,使发射结处于正向偏置,同时通过基极电阻Rb提供给基极一个合适的基极电流IBQ, 使三极管工作在放大区中适当的区域,这个电流IBQ常称为基极偏置电流,它决定着三极管的工作点,基极偏置电流IBQ是由VBB和基极电阻Rb共同作用决定的,基极电阻Rb一般在几十K
7、至几百K范围。 9第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 如在输入端加上一个较小的正弦信号ui , 通过电容C1加到三极管的基极,从而引起基极电流iB在原来直流IBQ的基础上作相应的变化,由于ui是正弦信号,使iB随ui也相应地按正弦规律变化,这时的iB 实际上是直流分流IBQ和交流分量ib迭加后的量。同时iB的变化使集电极电流 iC 随之变化,因此iC也是直流分量IC和交流分量ic的迭加,但iC要比iB大得多(即倍)。电流iC在电阻RC上产生一个压降,集电极电压uCE =VCCiCRL,这个集电极电压uCE 也是由直流分量IC和交流分量 iC两部分迭加的。这里的 uCE和 iC相位相反
8、,即当 iC增大时, uCE减少。由于C2的隔直作用,使只有 uCE的交流分量通过电容C2作为放大电路的输出电压uO。如电路参数选择适当,uO要比 uI的幅值要大得多,同时 uI与 uO的相位正好相反。电路中各点的电流、电压波形如图所示。10第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 PMOS简介 PMOS,指的是利用空穴來传导电性信号的金氧半导体。PMOS的电路符号如下图,而其结构则如右图所示,是由正型掺杂形成的漏极(drain)及源极(source),与闸极(gate)及闸极下面的氧化层所构成。 11第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 PMOS的工作原理 当在闸极(gate)施
9、以负偏压时,就会在氧化层下方薄区内感应出许多电洞,当在源极(source)施加一个偏压之后,聚集的电洞就可经由源极(source)与漏极(drain)之间的通道导通。12第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 NMOS的简介 NMOS,指的是利用电子来传导电性信号的金氧半晶体管。NMOS的电路符号如下图,而其结构图如左图所示,是由负型掺杂形成的漏极与源极,与在氧化层上的闸极所构成。13第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 NMOS的工作原理 当在闸极施以正偏压时,就会在氧化层下方薄区内感应出许多电子。当在漏极施加一个偏压之后,聚集的电子就可经由源极与漏极之间的电子信道导通。 14
10、第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 CMOS的简介 CMOS的电路符号如右下图,组件横截面图则如右上图所示。若将PMOS及NMOS的闸极相连,且将PMOS及NMOS的汲极相连,即为一个基本的反向器(inverter,左下图)。15第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 CMOS 的工作原理(1) 当输入端(Vin)输入为高电压(1)时,NMOS导通,而PMOS不导通,所以输出端(Vout)为低电压(0)。16第一节第一节: 电子元器件介紹电子元器件介紹 MOSFET 所谓MOSFET指的是金属氧化半导体( (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Eff
11、ect Transistor)组成其结构就如同字面上的意义是由金属,氧化层及半导体构成包括NMOS和 PMOS若將这二种MOS合在一起使用则称为互补式金属半导体,即MOSFET CMOS(Complementary MOS)。 CMOS的优点为操作比较省电,因此一般电路布局设计就是以MOSFET为基本单元來设计.以下将详细介绍MOSFET的工作特性。 17 N沟道增强型MOSFET的结构P型衬底BSiO2N+N+SDG 取一块P型半导体作为衬底,用B表示。 用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层。 然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N型区。从而形成两个PN结。(绿色部分) 从N型区
12、引出电极,一个是漏极D,一个是源极S。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。 N沟道增强型MOSFET的符号如左图所示。左面的一个衬底在内部与源极相连,右面的一个没有连接,使用时需要在外部连接。DGSBDGSB18 N沟道增强型MOSFET的工作原理 对N沟道增强型MOS场效应三极管的工作原理,分两个方面进行讨论,一是栅源电压UGS对沟道会产生影响,二是漏源电压UDS也会对沟道产生影响,从而对输出电流,即漏极电流ID产生影响。 1栅源电压UGS的控制作用SDGPN+N+SiO型衬底DSUGSU2=0空穴正离子电子负离子+ 先令漏源电压UDS=0,加入栅源电压UGS以后并不断增加。
13、 UGS带给栅极正电荷,会将正对SiO2层的表面下的衬底中的空穴推走,从而形成一层负离子层,即耗尽层,用绿色的区域表示。 同时会在栅极下的表层感生一定的电子电荷,若电子数量较多,从而在漏源之间可形成导电沟道。 沟道中的电子和P型衬底的多子导电性质相反,称为反型层。此时若加上UDS ,就会有漏极电流ID产生。反型层 显然改变显然改变UGS就会改变沟道,就会改变沟道,从而影响从而影响ID ,这说明这说明UGS对对ID的控制作用。的控制作用。0DSU 当UGS较小时,不能形成有效的沟道,尽管加有UDS ,也不能形成ID 。当增加UGS,使ID刚刚出现时,对应的UGS称为开启电压,用UGS(th)或U
14、T表示。19 2漏源电压UDS的控制作用 设UGSUGS(th),增加UDS,此时沟道的变化如下。SDGPN+N+SiO2型衬底DSU+GSUGS(th)U空穴正离子电子负离子 显然漏源电压会对沟道产生影响,因为源极和衬底相连接,所以加入UDS后, UDS将沿漏到源逐渐降落在沟道内,漏极和衬底之间反偏最大,PN结的宽度最大。所以加入UDS后,在漏源之间会形成一个倾斜的PN结区,从而影响沟道的导电性。 当UDS进一步增加时, ID会不断增加,同时,漏端的耗尽层上移,会在漏端出现夹断,这种状态称为预夹断。预夹断 当UDS进一步增加时, 漏端的耗尽层向源极伸展,此时ID基本不再增加,增加的UDS基本
15、上降落在夹断区。DI20 N沟道增强型MOSFET的特性曲线 N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线有两条,转移特性曲线和漏极输出特性曲线。1转移特性曲线OGSU4321/VDImA/4321Uth(on)10VDSU N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线如左图所示,它是说明栅源电压UGS对漏极电流ID的控制关系,可用这个关系式来表达,这条特性曲线称为转移特性曲线。 转移特性曲线的斜率gm反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm称为跨导。这是场效应三极管的一个重要参数。constGSDmDSUUIg单位mS(mA/V)21 2漏极输出特性曲线 当UGSUGS(th),且固定为某一值时,反映
16、UDS对ID的影响,即ID=f(UDS)UGS=const这一关系曲线称为漏极输出特性曲线。 场效应三极管作为放大元件使用时,是工作在漏极输出特性曲线水平段的恒流区,从曲线上可以看出UDS对ID的影响很小。但是改变UGS可以明显改变漏极电流ID,这就意味着输入电压对输出电流的控制作用。OV2GSUV3V5 . 3V4DImA/15105DSU/V恒流区.曲线分五个区域:(1)可变电阻区(2)恒流区(放大区)(3)截止区(4)击穿区(5)过损耗区可变电阻区截止区击穿区过损耗区22 OV2GSUV3V5 . 3V4DImA/15105DSU/V恒流区.从漏极输出特性曲线可以得到转移特性曲线,过程如
17、下:OGSU4321/VDImA/4321UGS(th)10VDSU23 N沟道耗尽型MOSFETSDGPN+N+SiO2型衬底DGSBB+04321654321/mA/VDGSIUIDSSUGS(off) N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如下图所示,它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了一定量的正离子。所以当UGS=0时,这些正离子已经感生出电子形成导电沟道。于是,只要有漏源电压,就有漏极电流存在。 当UGS=0时,对应的漏极电流用IDSS表示。当UGS0时,将使ID进一步增加。UGS0时,随着UGS的减小漏极电流逐渐减小,直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压,用符号UGS(o
18、ff)表示,有时也用UP表示。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线如右上图所示。夹断电压IDSS24 关于场效应管符号的说明:DGSBDGSBDGSBSGDN沟道增强型MOS管,衬底箭头向里。漏、衬底和源、分开,表示零栅压时沟道不通。表示衬底在内部没有与源极连接。N沟道耗尽型MOS管。漏、衬底和源不断开表示零栅压时沟道已经连通。 N沟道结型MOS管。没有绝缘层。如果是P沟道,箭头则向外。25第二节 数字电路基础 数字电路数字电路:人们把用来传输、控制或变换数字信号的电子电路称人们把用来传输、控制或变换数字信号的电子电路称为数字电路。数字电路工作时通常只有两种状态:高电位为数字电路。数字电路工
19、作时通常只有两种状态:高电位(又称高电又称高电平平)或低电位或低电位(又称低电平又称低电平) 讨论数字电路问题时,也常用代码讨论数字电路问题时,也常用代码“0”和和“1”表示某表示某些器件工作时的两种状态,例如开关断开代表些器件工作时的两种状态,例如开关断开代表“0”状态、状态、接通代表接通代表“1”状态。状态。 三种基本逻辑电路三种基本逻辑电路:与门、或门和非门与门、或门和非门(反相器反相器)。 与门与门:当输入端当输入端A、B同时都为逻辑同时都为逻辑“1”状态时,输出状态时,输出Z才是逻辑才是逻辑“1”状态。状态。 或门或门:各输入端只要有一个状态为各输入端只要有一个状态为“1”时,输出便
20、是时,输出便是“1” 非门非门:只有一个输入端和一个输出端,并且其输出状态总是和输入状态相反只有一个输入端和一个输出端,并且其输出状态总是和输入状态相反的,即求的,即求“反反”。这里同样可以。这里同样可以 26第二节 数字电路基础 与门(与门(AND): 逻辑图逻辑图:真值表真值表:ABC00001010011127第二节 数字电路基础 与非门(与非门(NAND): 逻辑图逻辑图:真值表真值表: CAB10111010101128第二节 数字电路基础 或门或门 : 逻辑图: 真值表:C=ABCABABC00001110111129第二节 数字电路基础 或非门或非门 : 逻辑图: 真值表:AC=
21、ABBCABC00101010011030第二节 数字电路基础 .计算机中的数制计算机中的数制 :因为计算机只认得二进制编码所以计算机的指因为计算机只认得二进制编码所以计算机的指令系统中的所有指令令系统中的所有指令,都必须以二进制编码的形式来表示都必须以二进制编码的形式来表示 二二 进进 制制(Binary ): 就就 只只 有有 和和 1,逢二进一逢二进一 十六进制十六进制:由由 于于 二二 进进 制制 只只 有有 两两 个个 数数 字字 可可 以以 用用 , 所所 以以 常常 常常 要要 用用 很很 多多 个个 数数 位位 才才 能能 表表 达达 一一 个个 数数 目目 ,为,为 了了 方
22、方 便便 表表 达达 二二 进进 制制 数数 目目 , 我我 们们 常常 常常 会会 用用 十十 六六 进进 制制 (Hexadecimal) , 因因 为为 一一 个个 十十 六六 进进 制制 数数 字字 会会 对对 应应 四四 个个 二二 进进 制制 数数 字字 .十进制0123456789101112131415二进制00000001 0010 0011010001010110011110001001101010111100110111101111十六进制0123456789abcdef31第二节 数字电路基础位、字节位、字节:这里顺便说说关于计算机技术中常见的专业用语:位、这里顺便说说
23、关于计算机技术中常见的专业用语:位、字节。字节。 “位位”(bit):一个一个0或或1称为一位(称为一位(bit);计算机(包括单片机)中);计算机(包括单片机)中是指二进制数的位,常用是指二进制数的位,常用bit表示,例如表示,例如BCD码中的码中的1001是是4位。位。 字节字节(Byte):连续八位称为一个字节连续八位称为一个字节(Byte); ,常用,常用Byte表示。表示。 单片机中的数据存储量,处理速度都是以字节为单位的。单片机中的数据存储量,处理速度都是以字节为单位的。 字节是计算机中可单独处理的最小单位。字节是计算机中可单独处理的最小单位。 千字节千字节(KB):表示存储器容量
24、的单位是表示存储器容量的单位是kB,称为千字节(实际是,称为千字节(实际是210=1024个字节)。在计算技术中,为了说明计数方式是二进制数,个字节)。在计算技术中,为了说明计数方式是二进制数,常在二进制数后面加常在二进制数后面加B,以与其它计数制区别,如,以与其它计数制区别,如BCD码中的码中的1101B。32第三节第三节:笔记本电脑常用名词解释笔记本电脑常用名词解释 笔记本电脑主板笔记本电脑主板FLASH ROM1394接口接口笔记本电脑硬盘笔记本电脑硬盘DMABluetoothCacheIntel Speed_Step TechnologyCardBusDDR SDRAMCentrino
25、 Mobile TechnologyDOCKINGCMOSLCDTOUCH PADBIOSAC AdapterMODEM33第三节第三节:笔记本电脑常用名词解释笔记本电脑常用名词解释笔记本电脑主板笔记本电脑主板: 笔记本电脑的主板与台式机的不同,笔记本电脑采用设计, 只有一块主板,集中安装了、显示控制器、软硬盘控制器、输入输出控制器等一系列部件。它与笔记本专用一起,通过高性能散热技术,来保证笔记本电脑的正常运转。笔记本电脑硬盘笔记本电脑硬盘: 笔记本电脑使用的硬盘是.英寸,而台式机为.英寸,价格也比台式机高。随着应用程序的越来越庞大,硬盘容量也有愈来愈高的趋势,因此在选购机器时,应考虑硬盘的容
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