第二章 基本放大电路 课件.ppt
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1、第二章第二章2.1 2.1 晶体三极管晶体三极管 2.2 2.2 共发射极放大电路共发射极放大电路 2.3 2.3 微变等效电路分析法微变等效电路分析法 2.4 2.4 分压偏置电路和射极输出器分压偏置电路和射极输出器 2.5 2.5 基本功率放大电路基本功率放大电路 2.6 2.6 场效应管及其放大电路场效应管及其放大电路 2.1 晶体三极管晶体三极管 半导体三极管可分为晶体管和场效应管两类,前者通常用BJT(Bipolar Junction Transistor)表示,即双极型晶体管,简称三极管,后者通常用FET(Field-effect tran- sistors)表示,即单极型晶体管。
2、三极管可以用来放大微弱的信号和作为无触点开关。本书中凡未加说明的“三极管”,均指双极型三极管。 2.1.1 三极管的结构与符号三极管的结构与符号 三极管按其结构分为两类:NPN型和PNP型三极管。如图2-1所示为三极管的结构示意图和符号。 图2-1 三极管的结构示意图和符号 从图中可见,三极管具有三个电极:基极b、集电极c和发射极e;对应有三个区:基区、集电区和发射区;有两个PN结:基区和发射区之间的PN结称为发射结Je,基区和集电区之间的PN结称为集电结Jc。 符号中发射极上的箭头方向,表示发射结正偏时发射极电流的实际方向。PNP型三极管电流方向与NPN型相反,这两个极性相反的晶体管在应用上
3、形成互补。 三极管制作时,通常它们的基区做得很薄(几微米到几十微米),且掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则比较高;集电区的面积则比发射区做得大。这是三极管实现电流放大的内部条件。 三极管可以是由半导体硅材料制成,称为硅三极管;也可以由锗材料制成,称为锗三极管。从应用的角度讲,种类很多。根据工作频率分为高频管、低频管和开关管;根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。常见的三极管外形如图2-2所示。 图2-2 常见的三极管外形 (a)NPN型管的直流供电电路 (b)PNP型管的直流供电电路 图2-3 三极管的直流供电电路之一 1.1.2 1.1.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 三极
4、管的主要特点是具有电流放大功能。所谓电流放大,就是当基极有一个较小的电流变化(电信号)时,集电极就随之出现一个较大的电流变化。在电路中要求三极管的发射结正偏,集电结反偏。对于NPN型三极管,必须UCUBUE;PNP型三极管 UCUBRC以满足NPN型三极管放大条件。 图2-4 三极管的直流供电电路 当三极管按图2-4连接时,由实验及测量结果可以得出以下结论: 基极电流IB/mA 0 0.010 0.0200.0400.0600.0800.100集电极电流IC/mA 0.001 0.495 0.9951.9902.9903.9954.965发射极电流IE/mA 0.001 0.5051.0152
5、.0303.0504.0755.065表2-1 三极管各电极电流的实验测量数据 (1)实验数据中的每一列数据均满足关系:IE=IC+IB; (2)每一列数据都有ICIB,而且有IC与IB的比值近似相 等,大约等于50。 定义 , 称为三极管的直流电流放大系数。 CBII (3)对表2-1中任两列数据求IC和IB变化量的比值,结果仍然近似相等,约等于50。 也就是说三极管可以实现电流的放大及控制作用,因此通常称三极管为电流控制器件。 定义 , 称为三极管的交流电流放大系数。一般有三极管的电流放大系数: (4)从表2-1中可知,当IB=0(基极开路)时,集电极电流的值很小,称此电流为三极管的穿透电
6、流ICEO。穿透电流ICEO越小越好。 CBII 上述实验结论可以用载流子在三极管内部的运动规律来解释。如图2-5所示为三极管内部载流子的传输与电流分配示意图。 图2-5 三极管内部载流子的运动规律 由于发射结正向偏置,发射区的多数载流子自由电子不断扩散到基区,并不断从电源补充电子,形成发射极电流IE。同时基区的多数载流子空穴也要扩散到发射区,但基区空穴的浓度远远低于发射区自由电子的浓度,空穴电流很小,可以忽略不计。一般基区很薄,且杂质浓度低,自由电子在基区与空穴复合的比较少,大部分自由电子到达集电结附近。一小部分自由电子与基区的空穴相遇而复合,基区电源不断补充被复合掉的空穴,形成基极电流IB
7、。由于集电结反向偏置,阻止集电区和基区的多数载流子向对方区域扩散,但可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的自由电子拉入集电区,从而形成集电极电流IC。 从发射区扩散到基区的自由电子,只有一小部分在基区与空穴复合掉,绝大部分被集电区收集。 另外,由于集电结反偏,有利于少数载流子的漂移运动。集电区的少数载流子空穴漂移到基区,基区的少数载流子自由电子漂移到集电区,形成反向电流ICBO。ICBO很小,受温度影响很大,常忽略不计。 若不计反向电流ICBO,则有:IE=IC+IB。即集电极电流与基极电流之和等于发射极电流。 2.1.3 2.1.3 三极管的伏安特性曲线三极管的伏安特性曲线 三极管的伏安特
8、性曲线是指三极管各电极电压与电流之间的关系曲线。工程上最常用的是输入特性和输出特性曲线。 下面以共发射极放大电路为例进行描述。(a)输入特性曲线 (b)输出特性曲线 图2-6 NPN型硅管的共发射极接法特性曲线 (1) 输入特性曲线族(Input Characteristics) 它是指一定集电极和发射极电压UCE下,三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实验测得三极管的输入特性如图2-6(a)所示。从图中可见: 这是UCE1V时的输入特性,这时三极管处于放大状态。当UCE1V后,三极管的输入特性基本上是重合的。 三极管输入特性的形状与二极管的伏安特性相似,也具有一段死区。只有
9、发射结电压UBE大于死区电压时,三极管才会出现基极电流IB,这时三极管才完全进入放大状态。此时UBE略有变化,IB变化很大,特性曲线很陡。 (2) 输出特性曲线族(Output Characteristics) 输出特性是在基极电流iB一定的情况下,三极管的输出回路中(此处指集电极回路),集电极与发射极之间的电压uCE与集电极电流iC之间的关系曲线。 如图2-6(b)是NPN型硅管的输出特性曲线。由图可见,各条特性曲线的形状基本相同,现取一条(例如40A)加以说明。 当IB一定(如IB=40A)时,在其所对应曲线的起始部分,随UCE的增大IC上升;当UCE达到一定数值后,IC几乎不再随UCE的
10、增大而增大,IC基本恒定(约1.8mA)。这时,曲线几乎与横坐标平行。这表示三极管具有恒流特性。 一般把三极管的输出特性分为三个工作区域: 截止区 此时发射结和集电结均反向偏置。这时, IC=ICEO(穿透电流)。若忽略不计穿透电流ICEO,IB、IC近似为0;三极管的集电极和发射极之间电阻很大,三极管相当于一个开关断开。 放大区 此时三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置。基极电流IB微小的变化会引起集电极电流IC较大的变化,有电流关系式: ;表现为恒流特性。对NPN型硅三极管有发射结电压 ,锗三极管有 。CBII0.7VBEU0.2VBEU 饱和区 此时三极管的发射结和集电结均正向偏置;三
11、极管的电流放大能力下降,通常有。UCE的值很小,称此时的电压UCE为三极管的饱和压降,用UCES表示。一般硅三极管的UCES约为0.3V,锗三极管的UCES约为0.1V。三极管的集电极和发射极近似短接,三极管相当于一个开关导通。 三极管作为开关使用时,通常工作在截止和饱和导通状态;作为放大元件使用时,一般要工作在放大状态。 2.1.4 2.1.4 三极管的主要参数三极管的主要参数 三极管的参数是选择三极管、设计和调试电子电路的主要依据。主要参数有下面几个: (1) 电流放大系数(或hfe) 电流放大系数可分为直流电流放大系数 和交流电流放大系数,由于两者十分接近,在实际工作中往往不作区分,手册
12、中也只给出直流电流放大系数值。它们的定义是:/cBII/cBII 对于小功率三极管,值一般在20200之间。严格地说,值并不是一个不变的常数,测试时所取的工作电流IC不同,测出的值也会略有差异。值还与工作温度有密切关系,温度每升高1,值约增加0.51%。 (2) 穿透电流Iceo 当三极管接成图2-7所示电路时,即断开基极电路,则Ib=0,但IC往往不等于零,这种不受基极电流控制的寄生电流称为穿透电流Iceo(即集电极发射极反向饱和电流)。图2-7 三极管的穿透电流 小功率的锗三极管,一般小于500微安(0.5毫安), 小功率的硅三极管则只有几微安。 Iceo虽然不算很大,但它与温度却有密切的
13、关系,大约温度每升高10,Iceo会增大一倍。Iceo还与值有关,值越大的三极管,穿透电流也越大。为此,选用高值的三极管,温度稳定性将会很差。所以在选择三极管时,Iceo越小越好。 (3) 集电极最大允许电流ICM ICM是指三极管集电极允许的最大电流。当电流超过ICM时,管子性能将显著下降,甚至有烧坏管子的可能。 工作状态放 大 区饱 和 区截 止 区工作条件 发射结正偏,集电结反偏 发射结正偏,集电结正偏(IBIBS) 发射结反偏,集电结反偏(IB0) 工作特点 集电极电流 ICIB IC0 管压降 等效电路 c、e间等效内阻 可变 很小,约为数百欧,相当于开关闭合 很大,约为数百千欧,相
14、当于开关断开 /ccscccIIURCECCCCUUI R0.3VCECESUUCECCUUbce0.7VIBCSIcbe表10-1 三极管三种工作状态的特点(NPN 型) 2.2 2.2 共发射极放大电路共发射极放大电路 2.2.1 2.2.1 放大电路的性质放大电路的性质 放大电路也称为放大器,其作用是将微弱的电信号放大成幅度足够大且与原来信号变化规律一致的信号。例如扩音系统,当人对着话筒讲话时,话筒会把声音的声波变化转换成以同样规律变化的电信号(弱小的),经扩音机电路放大后输出给扬声器(主要是放大振幅),则扬声器放出更大的声音,这就是放大器的放大作用。这种放大还要求放大后的声音必须真实地
15、反映讲话人的声音和语调,是一种不失真地放大。若把扩音机的电源切断,扬声器不发声,可见扬声器得到的能量是从电源能量转换而来的,故放大器还必须加直流电源。 放大电路虽然应用的场合及其作用不同,但信号的放大过程是相同的,可以用下面的框图来表示: 电压放大电路功率放大电路负载工作微弱信号直流电压源 由此可见,信号放大是指只放大微弱信号的幅度,而其频率不变,即不失真放大。 电压放大电路的基本形式有三种:共发射极放大电路、共集电极电路、共基极电路。 2.2.2 2.2.2 共发射极放大电路共发射极放大电路2.2.2.1 电路的组成原则 (1)用晶体管组成放大电路的基本原则 a. 必须满足三极管的放大条件,
16、即发射结正向偏置,集电结反向偏置。 b.输入信号在传递过程中,要求损耗小,在理想情况下,损耗为零 c.放大电路的工作点稳定,失真(即放大后的输出信号波形与输入信号波形不一致的程度)不超过允许范围。 图2-8为根据上述要求由NPN型晶体管组成的电压放大电路。因输入信号ui是通过C1与三极管的BE端构成输入回路,输出信号uo是通过C2经三极管的CE端构成输出回路,而输入回路与输出回路是以发射极为公共端的,故称为共发射极放大电路。 图2-8 共发射极放大电路 (2)元器件的作用 a.三极管: 起电流放大作用,是放大电路的核心元件。 b.直流电源:通过RB给发射结提供正向偏置电压,通过Rc给集电结提供
17、反向偏置电压,以满足三极管放大条件。 c.基极偏置电阻RB: RB为三极管提供基极偏置电流。改变RB将使基极电流变化,这对放大器影响很大,因此它是调整放大器工作状态的主要元件。 d.集电极负载电阻RC:一方面通过RC为集电结提供反向偏压;另一方面将放大的电流转换成电压。因为三极管的集电极是输出端,图2-8中UCE=UccIcRc,若Rc=0,则UCE=Ucc,即输出电压恒定不变,失去电压放大作用。 e.耦合电容C1、C2:电容的容抗 ,与频率f有关,对于直流,f=0,则X=,对于交流,频率f较高,且C较大时,Xc0,故耦合电容具有隔直流通交流作用,它阻隔了直流电流向信号源和负载的流动,使信号源
18、和负载不受直流电流的影响。一般耦合电容选得较大,约几十微法。故用电解电容,使用中电解电容的正极必须接高电位端,负极接低电位端,正、负极性不可接反。 f.接地“”: 表示电路的参考零电位,它是输入信号电压,输出信号电压及直流电源的公共零电位点,而不是真正与大地相接,这与电工技术接地含义不同,电子设备通常选机壳为参考零电位点。 12cXfC2.2.2.2 电压、电流等符号的规定 放大电路中(如图2-8所示)即有直流电源UCC,又有交流电压ui,电路中三极管各电极的电压和电流包含直流量和交流量两部分。为了分析的方便,各量的符号规定如下: (1)直流分量:用大写字母和大写下标表示。如IB表示三极管基极
19、的直流电流。 图2-8 共发射极放大电路 (2)交流分量:用小写字母和小写下标表示。如ib表示三极管基极的交流电流。 (3)瞬时值:用小写字母和大写下标表示,它为直流分量和交流分量之和。如iB表示三极管基极的瞬时电流值,iB=IB+ib。 (4)交流有效值:用大写字母和小写下标表示。如Ib表示三极管基极正弦交流电流有效值。 2.2.2.3 静态工作点的分析计算 放大电路只有直流信号作用,未加输入信号(ui=0)时的电路状态叫静态。静态下三极管各极的电流值和各极之间的电压值,称为静态工作点。表示为IBQ、ICQ、UCEQ,因它们在输入特性和输出特性曲线上对应于一点Q,故得此名,如图2-9所示。
20、图2-9输入、输出特性曲线上对应的静态工作点 设置静态工作点的目的是为了保证三极管处于线性放大区,为放大微小的交流信号做准备。否则,若三极管处在截止区,微小的交流信号或交流信号负半周输入时三极管不能导通,电路的输出电压为零,无法完成不失真放大。 (1)放大电路的直流通路 计算静态工作点应先画出放大电路的直流通路。只考虑直流信号作用,而不考虑交流信号作用的电路称直流通路。画直流通路有两个要点: a.电容视为开路。电容具有隔离直流的作用,直流电流无法通过它们。因此对直流信号而言,电容相当于开路。 b.电感视为短路。电感对直流电流的阻抗为零,可视为短路。 如图2-10中,(a)图是基本放大电路,(b
21、)图是其直流通路。 (a)(b)图2-10 基本放大电路及其直流通路 (2) 计算静态工作点 例 题 2 - 1 在 图 2 - 1 0 ( b ) 中 的 直 流 通 路 中 , 设RB=300K,Rc=4K, Ucc=12V, =40。三极管为硅管,试求静态工作点。 根据基尔霍夫电压定律列出输入回路和输出回路方程为: Ucc=IBQRB+UBEQ Ucc=ICQRC+UCEQ 则 1240300CCBECCBQBBUUUIARRICQ=IBQ=404010-3 =1.6mA UCEQ = Ucc-ICQRC = Ucc-IBQRC =12-400.044=5.6V 因为UCCUBE,所以可
22、用估算法近似地计算出静态值,即忽略UBE。实际电路中一般将基极偏置电阻串接一个可调电阻,以方便调试静态工作点。 2.2.2.3 基本电压放大原理 如图2-11所示,当输入正弦交流信号ui时,放大电路在静态时各点的电压及电流的数值都不变化,图中阴影部分是输入电压ui的变化引起的三极管各电极电流和电压的变化量,即交流分量。相当于在原直流量上叠加的增量。 图2-11 放大电路实现信号放大的工作过程 设uiUimsint(v),信号经耦合电容无损耗,即容抗 。 则电路各处电压、电流的瞬时值均为直流量与交流量瞬时值之和。因为ui电压变化范围小,由图2-12看出,uBE变动范围ab相当一段直线,所以电流与
23、电压成线性关系,电压ui为正弦波,由电压产生的电流ib也是正弦波。各极的电压与电流关系为: uBEUBEQubeUBEQuI iB=IB+ib icICicICib uCEUCEuceUcciCRCUcc(IC+ic)Rc UccICRCicRcUCE(-icRc) iB、ic、uCE的波形如图2-11所示。 102cXfC图2-12 输入特性线性情况 i B、ic、uCE的波形如图2-11所示。 由于uCE的直流分量UCE被耦合电容C2隔断,其交流量uce经C2允许通过,且无损耗,所以 uouceicRc 式中负号表明uo与ui的相位相反。 整个放大过程为:弱小的输入信号ui 引起三极管基极
24、电流产生增量ib,则三极管集电极产生更大的电流增量ic=ib,而ic经过Rc转换为电压增量,即为输出电压uo,显然uo是ui被放大的结果。这就是电压放大原理。 综上分析得出共射单管放大电路的特点为: a.既有电流放大,也有电压放大; b.输出电压uO与输入电压ui相位相反。 c. 除了ui和uo是纯交流量外,其余各量均为脉动直流电,故只有大小的变化,无方向或极性的变化。 总之,交流信号的放大是利用三极管的电流放大作用将直流电源的能量转换来的。三极管的放大作用实质上是种能量控制作用。从这个意义上说,放大电路是一种以较小能量控制较大能量的能量控制与转换装置。 2.2.3 2.2.3 静态工作点设置
25、对波形的影响静态工作点设置对波形的影响 (a)输入信号与ic波形图 (b)输入信号与输出信号波形图 图213 静态工作点的选择 图2-13(a)表示出工作点偏高或偏低对输出波形的影响。为简单起见,只画出ic 的波形,其它波形可以对应推想出来。工作点ICQ 过低,因iC不可能为负值,集电极电流ic可以增加,但没有减小的空间。信号较小时不失真,信号稍大,下半部就产生失真。该现象是由于输入信号的负半周进入截止区而造成的失真,故称为截止失真。相反,工作点ICQ过高, 因uCEUcciCRC,使iC有一个最大值 :集电极电流ic可以减小,但没有增大的空间。 maxCCCcUiR 信号较小时不失真。信号稍
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