半导体工艺技术薄膜淀积-PPT课件.ppt

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1、半导体工艺技术薄膜淀积半导体工艺技术薄膜淀积23半导体薄膜：半导体薄膜：Si介质薄膜：介质薄膜：SiO2，Si3N4, BPSG，金属薄膜：金属薄膜：Al，Cu，W，Ti， 在集成电路制在集成电路制备中，很多薄备中，很多薄膜材料由淀积膜材料由淀积工艺形成工艺形成单晶薄膜：单晶薄膜：Si, SiGe（外延）（外延）多晶薄膜：多晶薄膜：poly-SiDeposition41）化学气相淀积）化学气相淀积 Chemical Vapor Deposition (CVD)一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底表面发生一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底表面发生化学反应，并淀积出所需固体薄

2、膜的生长技术。化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。 例如：例如：APCVD, LPCVD, PECVD, HDPCVD2）物理气相淀积）物理气相淀积 Physical Vapor Deposition (PVD)利用某种物理过程实现物质的转移，即将原子或分子转移到衬利用某种物理过程实现物质的转移，即将原子或分子转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜的技术。底（硅）表面上，并淀积成薄膜的技术。例如：蒸发例如：蒸发 evaporation，溅射，溅射sputtering两类主要的淀积方式两类主要的淀积方式5除了除了CVD和和PVD外，制备薄膜的方法还有外，制备薄膜的方法还有:铜互连是由电镀工艺

3、制作铜互连是由电镀工艺制作旋涂Spin-on镀/电镀electroless plating/electroplating6外延：外延：在单晶衬底上生长一层新在单晶衬底上生长一层新的单晶层，晶向取决于衬底的单晶层，晶向取决于衬底外延硅应用举例外延硅应用举例7CMOSCMOS栅电极材料；多层金属化电极的导电材料栅电极材料；多层金属化电极的导电材料多晶硅薄膜的应用多晶硅薄膜的应用89Chemical Vapor Deposition (CVD)PolycrystallineSingle crystal (epitaxy) Substrate Epitaxy Courtesy Johan Pejnef

4、ors, 200110对薄膜的要求对薄膜的要求组分正确，玷污少，电学和机械性能好组分正确，玷污少，电学和机械性能好 片内及片间（每一硅片和硅片之间）均匀性好片内及片间（每一硅片和硅片之间）均匀性好3. 台阶覆盖性好（台阶覆盖性好（conformal coverage 保角覆盖）保角覆盖） 填充性好填充性好 平整性好平整性好 11化学气相淀积（化学气相淀积（CVD）单晶单晶 (外延）、多晶、非晶（无定型）薄膜外延）、多晶、非晶（无定型）薄膜半导体、介质、金属薄膜半导体、介质、金属薄膜常压化学气相淀积（常压化学气相淀积（APCVD），低压），低压CVD (LPCVD)，等离子体增强淀积（，等离子体

5、增强淀积（PECVD）等）等CVDCVD反应必须满足三个挥发性标准反应必须满足三个挥发性标准 在淀积温度下在淀积温度下, ,反应剂必须具备足够高的蒸汽压反应剂必须具备足够高的蒸汽压 除淀积物质外除淀积物质外, ,反应产物必须是挥发性的反应产物必须是挥发性的 淀积物本身必须具有足够低的蒸气压淀积物本身必须具有足够低的蒸气压12(1)(1)反应剂被携带气体引入反应器反应剂被携带气体引入反应器后，在衬底表面附近形成后，在衬底表面附近形成“滞留滞留层层”，然后，在主气流中的反应剂，然后，在主气流中的反应剂越过边界层扩散到硅片表面越过边界层扩散到硅片表面(2)(2)反应剂被吸附在硅片表面，并反应剂被吸附

6、在硅片表面，并进行化学反应进行化学反应(3)化学反应生成的固态物质，化学反应生成的固态物质，即所需要的淀积物，在硅片表即所需要的淀积物，在硅片表面成核、生长成薄膜面成核、生长成薄膜(4)反应后的气相副产物，离开反应后的气相副产物，离开衬底表面，扩散回边界层，并衬底表面，扩散回边界层，并随输运气体排出反应室随输运气体排出反应室化学气相淀积的基本过程化学气相淀积的基本过程13F1是反应剂分子的粒子流密度是反应剂分子的粒子流密度F2代表在衬底表面化学反应消耗的反应剂分子流密度代表在衬底表面化学反应消耗的反应剂分子流密度生长动力学生长动力学从简单的生长模型出发，用从简单的生长模型出发，用动力学方法研究

7、化学气相淀动力学方法研究化学气相淀积推导出生长速率的表达式积推导出生长速率的表达式及其两种极限情况及其两种极限情况与热氧化生长稍有与热氧化生长稍有不同的是，没有了不同的是，没有了在在SiO2中的扩散流中的扩散流14hG 是质量输运系数（是质量输运系数（cm/sec） ks 是表面化学反应系数（是表面化学反应系数（cm/sec）在稳态，两类粒子流密度应相等。这样得到在稳态，两类粒子流密度应相等。这样得到可得：可得：)(1SGGCChFSsCkF 221FFF11GsGShkCC15设设TGCCY 则生长速率则生长速率这里这里 Y 为在气体中反应剂分子的摩尔比值为在气体中反应剂分子的摩尔比值,CG

8、为每为每cm3中反应剂分子数，这里中反应剂分子数，这里CT为在为在气体中每气体中每cm3的所有分子总数的所有分子总数.21 GGGGTotalGTGPPPPPPCCYPG 是反应剂分子的分压，是反应剂分子的分压，PG1，PG1 PG2 PG3.等是系统中其它气体的分压等是系统中其它气体的分压N是形成薄膜的单位体积中的原子数。对硅外延是形成薄膜的单位体积中的原子数。对硅外延N为为51022 cm-3 YNChkhkNChkhkNFvTGsGsGGsGs16Y一定时，一定时， v 由由hG和和ks中较小者决定中较小者决定1、如果、如果hGks，则，则CsCG,这种情况为表面反应控制过程这种情况为表

9、面反应控制过程有有2、如果、如果hGks，则，则CS0，这是质量传输控制过程，这是质量传输控制过程有有 质量输运控制，对温度不敏感质量输运控制，对温度不敏感YkNCvsTYhNCvGT表面（反应）控制，对温度表面（反应）控制，对温度特别敏感特别敏感 kTEkkasexp017T对对ks的影响较的影响较hG大许多，因此：大许多，因此： hGks表面控制表面控制过程在较低温度过程在较低温度出现出现生长速率和温度的关系生长速率和温度的关系硅外延：硅外延：Ea=1.6 eV斜率与激活能斜率与激活能Ea成正比成正比hGconstant18以硅外延为例（以硅外延为例（1 atm，APCVD）hG 常数常数

10、Ea 值相同值相同外延硅淀积往往是外延硅淀积往往是在高温下进行，以在高温下进行，以确保所有硅原子淀确保所有硅原子淀积时排列整齐，形积时排列整齐，形成单晶层。为质量成单晶层。为质量输运控制过程。此输运控制过程。此时对温度控制要求时对温度控制要求不是很高，但是对不是很高，但是对气流要求高。气流要求高。多晶硅生长是在低多晶硅生长是在低温进行，是表面反温进行，是表面反应控制，对温度要应控制，对温度要求控制精度高。求控制精度高。19当工作在高温区当工作在高温区,质量控制为主导，质量控制为主导，hG是常数，是常数，此时反应气体通过边界层的扩散很重要，即反此时反应气体通过边界层的扩散很重要，即反应腔的设计和

11、晶片如何放置显得很重要。应腔的设计和晶片如何放置显得很重要。记住关键两点：记住关键两点：ks 控制的淀积控制的淀积 主要和温度有关主要和温度有关hG 控制的淀积控制的淀积 主要和反应腔体几何形状有关主要和反应腔体几何形状有关20单晶硅外延要采用图中的卧式反应设备，单晶硅外延要采用图中的卧式反应设备，放置硅片的石墨舟为什么要有倾斜放置硅片的石墨舟为什么要有倾斜? 21这里界面层厚度这里界面层厚度 s是是x方向平板长度的函数。方向平板长度的函数。随着随着x的增加，的增加， s(x)增加，增加，hG下降。如果淀下降。如果淀积受质量传输控制，则淀积速度会下降积受质量传输控制，则淀积速度会下降沿支座方向

12、反应气体浓度的减少沿支座方向反应气体浓度的减少, 同样导致同样导致淀积速度会下降淀积速度会下降sGGDhUxxs)( 为气体粘度为气体粘度 为气体密度为气体密度U为气体速度为气体速度22因此，支座倾斜可以促使因此，支座倾斜可以促使 s(x)沿沿x变化减小变化减小原理：由于支座倾斜后，气流的流过的截面积原理：由于支座倾斜后，气流的流过的截面积下降，导致气流速度的增加，进而导致下降，导致气流速度的增加，进而导致 s(x)沿沿x减小和减小和hG的增加。从而用加大的增加。从而用加大hG的方法来补偿的方法来补偿沿支座长度方向的气源的耗尽而产生的淀积速沿支座长度方向的气源的耗尽而产生的淀积速率的下降。尤其

13、对质量传输控制的淀积至关重率的下降。尤其对质量传输控制的淀积至关重要，如要，如APCVD法法外延硅外延硅。23外延单晶硅的化学反应式外延单晶硅的化学反应式以上所有反应是可逆的，因此还原反应和以上所有反应是可逆的，因此还原反应和HCl对硅的腐蚀均可对硅的腐蚀均可发生，这和反应剂的摩尔分量和生长温度有关。发生，这和反应剂的摩尔分量和生长温度有关。HClSiHSiClHClSiClSiHHSiClClSiHHClSiClSiHClHClClSiHHSiHClHClSiHClHSiCl 22222222232223324224目前外延常用气源及相应总体化学反应目前外延常用气源及相应总体化学反应242H

14、SiSiHHClSiClSiH222 硅外延：硅外延：硅锗外延：硅锗外延：242HGeGeH242HSiSiH242HGeGeHHClSiClSiH222选择性外延：加选择性外延：加HClHClSiHSiClHClSiClSiH22222原位掺杂外延：加原位掺杂外延：加BH3/B2H6，PH3/AsH325Two different modes of epitaxyNon-selective epitaxial growth (NSEG)Selective epitaxial growth (SEG)OxideEpiSubstrateSubstrateEpiPoly26斜率与激活斜率与激活能能

15、Ea成正比成正比APCVD的主要问题：低产率（的主要问题：低产率（throughput）高温淀积：硅片需水平放置高温淀积：硅片需水平放置低温淀积：反应速率低低温淀积：反应速率低27低压化学气相淀积低压化学气相淀积 （LPCVD）因此低压可以大大提高因此低压可以大大提高hG的值。的值。例如在压力为例如在压力为1 torr时，时，DG可以提高可以提高760倍，而倍，而 s只提高约只提高约7倍，所以倍，所以hG可以提高可以提高100倍。气体倍。气体在界面不再受到传输速率限制。在界面不再受到传输速率限制。totalGPD1在质量输运控制区域：在质量输运控制区域：sGGDh2829增加产率增加产率 晶片

16、可直插放置许多片（晶片可直插放置许多片（100-200）工艺对温度灵敏工艺对温度灵敏,但是采用温度控制好的热壁式系统可解决但是采用温度控制好的热壁式系统可解决温度控制问题温度控制问题气流耗尽仍是影响均匀性的因素，可以设定温差气流耗尽仍是影响均匀性的因素，可以设定温差525 C，或分段进气或分段进气30Batch processingBatch processing：同时：同时100-200100-200片片薄膜厚度均匀性好薄膜厚度均匀性好可以精确控制薄膜的成份和结构可以精确控制薄膜的成份和结构台阶覆盖性较好台阶覆盖性较好低温淀积过程低温淀积过程淀积速率快淀积速率快生产效率高生产效率高生产成本低

17、生产成本低LPCVD法的主要特点有时，淀积温度需很低，薄膜质有时，淀积温度需很低，薄膜质量要求又很高。如：量要求又很高。如：在形成的在形成的Al层上面淀积介质等。层上面淀积介质等。解决办法：等离子增强化学气相解决办法：等离子增强化学气相淀积淀积 PECVD31多晶硅淀积方法多晶硅淀积方法LPCVDLPCVD，主要用硅烷法，即在，主要用硅烷法，即在600-650 600-650 温度下，由硅温度下，由硅烷热分解而制成，总体化学反应（烷热分解而制成，总体化学反应（overall reactionoverall reaction）方程是：方程是：SiHSiH4 4Si(Si(多晶多晶)+2H)+2H

18、2 2低于低于575 所淀积的硅是无定形或非晶硅（所淀积的硅是无定形或非晶硅（amorphous Si）；）；高于高于600 淀积的硅是多晶，通常具有柱状结构（淀积的硅是多晶，通常具有柱状结构（column structure）；）；当非晶经高温（当非晶经高温（600 ）退火后，会结晶（）退火后，会结晶（crystallization）；）；柱状结构多晶硅经高温退火后，晶粒要长大（柱状结构多晶硅经高温退火后，晶粒要长大（grain growth）。）。32多晶硅的掺杂多晶硅的掺杂气固相扩散气固相扩散离子注入离子注入在淀积过程中加入在淀积过程中加入掺杂气体（称为原位掺杂气体（称为原位掺杂，掺杂，

19、in situ），与），与外延掺杂类似外延掺杂类似多晶硅的氧化多晶硅的氧化多晶硅通常在多晶硅通常在9001000 范范围内进行干氧氧化围内进行干氧氧化 未掺杂或轻掺杂多晶硅的氧未掺杂或轻掺杂多晶硅的氧化速率介於（化速率介於（111）和（）和（100）单晶硅的氧化速率之间单晶硅的氧化速率之间 掺磷多晶硅的氧化速率要比掺磷多晶硅的氧化速率要比未掺杂（或轻掺杂）多晶硅的未掺杂（或轻掺杂）多晶硅的氧化速率快氧化速率快33薄膜淀积速率随温薄膜淀积速率随温度上升而迅速增加度上升而迅速增加淀积速率随压强淀积速率随压强（硅烷分压）增加而（硅烷分压）增加而增加增加淀积参数的影响淀积参数的影响- - 温度温度-

20、- 压强压强- - 硅烷浓度硅烷浓度- - 掺杂剂浓度掺杂剂浓度34多晶硅的淀积速率多晶硅的淀积速率通常不是硅烷浓度的线性函数通常不是硅烷浓度的线性函数表面吸附的影响表面吸附的影响一级反应线性关系一级反应线性关系YkNCvsT35氧化硅的淀积方法氧化硅的淀积方法1）低温）低温CVD（250450 C）)(2)()()(2224gHsSiOgOgSiH可以同时掺杂，如：可以同时掺杂，如：PH3，形成，形成PSG磷硅玻璃：磷硅玻璃：)(6)(2)(5)(425223gHsOPgOgPH硅烷为源的淀积硅烷为源的淀积APCVD，LPCVD，PECVD淀积温度低，可作为钝化层，密度小于热生长氧化硅，台阶

21、覆盖差。用用HD-PECVD可以获可以获得低温（得低温（120 C）的）的高质量氧化硅膜高质量氧化硅膜)(2)(4)()(4)(22224gOHgNsSiOgONgSiH也可以也可以PECVD：P2O5和和SiO2组成的二元组成的二元玻璃网络体玻璃网络体应力小，流动性增加应力小，流动性增加碱金属离子的吸杂中心碱金属离子的吸杂中心易吸水形成磷酸易吸水形成磷酸36TEOS（正硅酸乙酯）为源的淀积（正硅酸乙酯）为源的淀积副产物)()()()(22452sSiOgOlHOCSi2）中温）中温LPCVD（680730 C）（1）不能淀积在）不能淀积在Al层上（为什么？）层上（为什么？）（2）厚度均匀性好

22、，台阶覆盖优良，）厚度均匀性好，台阶覆盖优良，SiO2膜质量较好膜质量较好（3）加入）加入PH3等可形成等可形成PSG TEOS也可采用也可采用PECVD低温淀积低温淀积（250425 C）台阶覆盖优良，台阶覆盖优良，用于互连介质层用于互连介质层37台阶覆盖（保角性台阶覆盖（保角性 conformality）淀积速率正比于气体分子到达角度淀积速率正比于气体分子到达角度38PSG回流工艺可解决回流工艺可解决台阶覆盖问题台阶覆盖问题PSG回流工艺：将形回流工艺：将形成成PSG的样品加热到的样品加热到1000 1100 C,使使PSG软化流动，改善软化流动，改善台阶形状台阶形状一般一般68 wt%

23、PBPSG可以进一步降低回流温度可以进一步降低回流温度39氮化硅的淀积方法氮化硅的淀积方法2438007003226643HHClNSiNHClSiHCo LPCVD：质量好，产量高质量好，产量高2343HSiNHNHSiHPECVD：等离子体中：等离子体中 或或SiNxHy膜对水和钠有极强的阻挡膜对水和钠有极强的阻挡能力，可作为最终的钝化层或多能力，可作为最终的钝化层或多层布线中的介质。层布线中的介质。224322HSiNHNSiH40等离子增强化学气相淀积（等离子增强化学气相淀积（PECVD）低温下（低温下（200350 C）利用非热能来增强工艺过程）利用非热能来增强工艺过程反应气体被加速

24、电子撞击而离化。形成不同的活性基团，反应气体被加速电子撞击而离化。形成不同的活性基团，它们间的化学反应就生成所需要的固态膜。它们间的化学反应就生成所需要的固态膜。13.56MHz41等离子体：等离子体：物质存在的第四态物质存在的第四态高密度导电粒子构成的气体高密度导电粒子构成的气体极板区域有辉光极板区域有辉光上标上标“ * ” 表示那些能量要远远大于基态的粒子。分离的原子或表示那些能量要远远大于基态的粒子。分离的原子或分子被称为自由基，它们具有不完整的结合状态并且非常活跃。分子被称为自由基，它们具有不完整的结合状态并且非常活跃。如：如：SiH3，SiO，F等。等。 原子激发原子激发 e* +

25、A A*+e 分子激发分子激发 e* + AB AB*+e e* + AB A*+B*+e 原子离子化原子离子化 e* + A A+e+e 分子离子化分子离子化 e* + AB AB + +e+e激发激发裂解裂解离离化化等离子体由电子、离化分子、中性分等离子体由电子、离化分子、中性分子、中性或离化的分子片断、激发的子、中性或离化的分子片断、激发的分子和自由基组成。假设流进的气体分子和自由基组成。假设流进的气体是由原子是由原子A和原子和原子B组成的分子组成的分子AB, 在辉光放电中可出现的过程可有在辉光放电中可出现的过程可有:42PECVD：在等离子体反应器中，在等离子体反应器中，PECVD最重

26、要最重要的特征是能在更低的温度下淀积出所需要的薄膜。的特征是能在更低的温度下淀积出所需要的薄膜。PECVD淀积的氧化硅和氮化硅膜与较高高温下淀积的氧化硅和氮化硅膜与较高高温下LPCVD的膜的膜相比有以下特征：相比有以下特征：应力较大、含应力较大、含H、非化学比的结构、非化学比的结构因而造成膜的性质的不同：因而造成膜的性质的不同：粘附能力较差，有针孔、表面粗糙度增大，介电常数下降，粘附能力较差，有针孔、表面粗糙度增大，介电常数下降，折射率下降，腐蚀速率增加。折射率下降，腐蚀速率增加。PECVD薄膜淀积质量强烈依赖于薄膜淀积质量强烈依赖于RF功率功率、压强、温度等参数压强、温度等参数43物理气相淀

27、积物理气相淀积 （PVD）蒸发（蒸发（Evaporation）溅射（溅射（Sputtering）淀积金属、介淀积金属、介质等多种薄膜质等多种薄膜淀积金属薄膜淀积金属薄膜44真空蒸发：在真空中，真空蒸发：在真空中，把蒸发料把蒸发料(金属金属)加热，加热，使其原子或分子获得使其原子或分子获得足够的能量，克服表足够的能量，克服表面的束缚而蒸发到真面的束缚而蒸发到真空中成为蒸气，蒸气空中成为蒸气，蒸气分子或原子飞行途中分子或原子飞行途中遇到基片，就淀积在遇到基片，就淀积在基片上，形成薄膜基片上，形成薄膜 加热器：电阻加热器：电阻丝或电子束丝或电子束真空状态真空状态蒸发蒸发45汽化热汽化热 Hv TBA

28、PvlogP 为蒸汽压，为蒸汽压，A为积分常数，为积分常数，R0为阿夫加德罗常数为阿夫加德罗常数03 . 2 RHBv46不同元素的平衡蒸气不同元素的平衡蒸气压与温度的函数关系压与温度的函数关系为了得到合适的淀积为了得到合适的淀积速率，样品蒸气压至少速率，样品蒸气压至少为为10 mTorr。Ta，W，Mo和和Pt，这些难，这些难熔金属，它们具有很高熔金属，它们具有很高的溶化温度，如为达到的溶化温度，如为达到10 mtorr 的蒸气压，的蒸气压， 钨钨需要超过需要超过3000 。47二、真空度与分子平均自由程二、真空度与分子平均自由程 高纯薄膜的淀积必须在高真空度的系统中进行，因为：高纯薄膜的淀

29、积必须在高真空度的系统中进行，因为：源材料的气相原子和分子在真空中的输运必须直线运动，以保源材料的气相原子和分子在真空中的输运必须直线运动，以保证金属材料原子和分子有效淀积在衬底上，真空度太低，蒸发证金属材料原子和分子有效淀积在衬底上，真空度太低，蒸发的气相原子或分子将会不断和残余气体分子碰撞，改变方向。的气相原子或分子将会不断和残余气体分子碰撞，改变方向。残余气体中的氧和水气，会使金属和衬底氧化残余气体中的氧和水气，会使金属和衬底氧化1. 残余气体和其他杂质原子和分子也会淀积在衬底残余气体和其他杂质原子和分子也会淀积在衬底prkT22 反比于气体压强反比于气体压强r为气体分子的半径为气体分子

30、的半径平均自由程平均自由程48可见蒸发的淀积速率和蒸发可见蒸发的淀积速率和蒸发材料、温度材料、温度/蒸汽压、及淀积蒸汽压、及淀积腔的几何形状决定反应腔内腔的几何形状决定反应腔内晶片的位置、方向有关。晶片的位置、方向有关。如坩锅正上方晶片比侧如坩锅正上方晶片比侧向的晶片淀积得多。向的晶片淀积得多。为了得到好的均匀性，为了得到好的均匀性，常将坩锅和晶片放在同常将坩锅和晶片放在同一球面一球面点源点源小平面源小平面源由由Langmuir-Knudsen理论，有理论，有Pe是蒸气压（是蒸气压（torr），），As是源面是源面积，积，m为克分子质量，为克分子质量，T为温度为温度esevapPTmAR210

31、83. 549加热器a) 必须在蒸发温度提供所必须在蒸发温度提供所需热量，但本身结构仍保需热量，但本身结构仍保持稳定。熔点高于被蒸发持稳定。熔点高于被蒸发金属熔点金属熔点 b) 不能与处于熔融状态的不能与处于熔融状态的蒸发料合金化或化合蒸发料合金化或化合c) 蒸气压很低蒸气压很低d) 易加工成形易加工成形例：难熔钨丝螺旋式蒸发例：难熔钨丝螺旋式蒸发源源电子束蒸发（电子束蒸发（ebeam）a) 电流通过螺旋状灯丝，使其达到白炽状态后电流通过螺旋状灯丝，使其达到白炽状态后发射电子发射电子 b) 电子向阳极孔方向发射形成电子束，加速进电子向阳极孔方向发射形成电子束，加速进入均匀磁场入均匀磁场c) 电

32、子在均匀磁场洛仑兹力作用下作圆周运动电子在均匀磁场洛仑兹力作用下作圆周运动d) 调节磁场强度控制电子束偏转半径，使电子调节磁场强度控制电子束偏转半径，使电子束准确射到蒸发源束准确射到蒸发源e) 蒸发源熔融汽化，淀积到硅片表面蒸发源熔融汽化，淀积到硅片表面优点：优点：淀积膜纯度淀积膜纯度高，钠离子高，钠离子污染少污染少电电子子偏偏转转枪枪电阻丝电阻丝50为了实现球形结构，为了实现球形结构，晶片放在一个行星晶片放在一个行星转动的半球罩内转动的半球罩内 有公转和自转。有公转和自转。淀积的均匀性可以得淀积的均匀性可以得到很大改善到很大改善电子束蒸发系统电子束蒸发系统51蒸发工艺中的一些问题蒸发工艺中的

33、一些问题:对某些元素淀积速率很慢对某些元素淀积速率很慢合金和化合物很难采用合金和化合物很难采用台阶覆盖差台阶覆盖差目前大生产很少采用目前大生产很少采用溅射的优点：溅射的优点：台阶覆盖比蒸发好台阶覆盖比蒸发好辐射缺陷远少于电辐射缺陷远少于电子束蒸发子束蒸发制备复合材料和合制备复合材料和合金性能较好金性能较好可以淀积介质材料可以淀积介质材料52溅射溅射Sputtering - 溅射淀积溅射淀积Sputter deposition 利用高能粒子（通常是由电场加速的正利用高能粒子（通常是由电场加速的正离子如离子如Ar+）撞击固体表面，使表面离子）撞击固体表面，使表面离子（原子或分子）逸出的现象（原子或

34、分子）逸出的现象溅射的种类溅射的种类: 直流溅射直流溅射射频溅射射频溅射反应溅射反应溅射磁控溅射磁控溅射准直溅射准直溅射 .53不同元素的平衡蒸气不同元素的平衡蒸气压与温度的函数关系压与温度的函数关系而不同元素的而不同元素的溅射产率溅射产率（yield）相差不大相差不大（0.1-3 per incident ion）541、直流（、直流（DC）溅射）溅射只能溅射导电物质只能溅射导电物质a）阳极（）阳极（anode）上放硅片，）上放硅片，阴极（阴极（cathode）是靶，真空）是靶，真空室作为放电二极管，通入放电室作为放电二极管，通入放电气体（如气体（如Ar）b）阴极加）阴极加110 kV负高压

35、，负高压，产生辉光放电，形成等离子体产生辉光放电，形成等离子体c）正离子被加速至数百）正离子被加速至数百-数千数千伏，撞击在靶材上，将靶材中伏，撞击在靶材上，将靶材中原子剥离原子剥离d）这些原子形成蒸汽并自由）这些原子形成蒸汽并自由地穿过等离子体区到达硅表面地穿过等离子体区到达硅表面e）溅射淀积时反应腔里压力）溅射淀积时反应腔里压力在在10 mtorr左右。在引入放电左右。在引入放电气体前，真空室气体前，真空室base pressure要达高真空（要达高真空（106 torr以上）以上） 55直流溅射系统中等离子体结构和电压分布（系统中通入氩气）直流溅射系统中等离子体结构和电压分布（系统中通入

36、氩气）等离子体中包含等离子体中包含同等数量的正氩同等数量的正氩离子和电子以及离子和电子以及中性氩原子中性氩原子大部分的电压降大部分的电压降在阴极暗区在阴极暗区氩离子轰击阴极氩离子轰击阴极靶（如靶（如Al）, Al原原子被溅射出，通子被溅射出，通过等离子区淀积过等离子区淀积到阳极硅片上到阳极硅片上阴极阴极辉光辉光阳极鞘区阳极鞘区等离子体等离子体阴极阴极暗区暗区(鞘区鞘区)56溅溅射射中中的的主主要要过过程程阴极暗区阴极暗区572、射频溅射、射频溅射 也可溅射介质也可溅射介质 如靶是绝缘材料，不能采用直流溅射，因为绝缘靶上会有正如靶是绝缘材料，不能采用直流溅射，因为绝缘靶上会有正电荷积累。此时可以

37、使用交流电源。电荷积累。此时可以使用交流电源。13.56 MHz58RF溅射系统中稳态时的电压分布溅射系统中稳态时的电压分布当两边面积不等时，当两边面积不等时，面积小的电极一边面积小的电极一边（电流密度大）有更（电流密度大）有更大电压降，并有关系大电压降，并有关系:V2V1Unequal area electrodes (left electrode smaller)m=12（实验值）（实验值）mAAVV122159一般将靶电极的面积设计得较小，电压主要降在靶电极，使溅射一般将靶电极的面积设计得较小，电压主要降在靶电极，使溅射在靶上发生。硅片电极也可以和反应腔体相连，以增加电压降比值在靶上发生

38、。硅片电极也可以和反应腔体相连，以增加电压降比值硅片电极也可以单独加上硅片电极也可以单独加上RF偏压，这样在实际淀积前可偏压，这样在实际淀积前可预先清洁晶片或预先清洁晶片或“溅射刻蚀溅射刻蚀”. 另外一种应用是偏压另外一种应用是偏压-溅射淀积（溅射淀积（bias-sputter deposition），），在晶片上溅射和淀积同时进行。这可以改善淀积台阶覆盖性在晶片上溅射和淀积同时进行。这可以改善淀积台阶覆盖性603、反应溅射、反应溅射 在溅射气体中引入反应活性气体如氧或氮气，在溅射气体中引入反应活性气体如氧或氮气，可改变或控制溅射膜的特性。可改变或控制溅射膜的特性。如在低温下可制作如在低温下可

39、制作SiOx、SiNx等钝化膜或多等钝化膜或多属布线中的绝缘层；属布线中的绝缘层；TiN、TaN等导电膜或扩等导电膜或扩散阻挡层散阻挡层 614、磁控溅射、磁控溅射 直流溅射和直流溅射和RF溅射中，电子和气体分子碰撞的离化效溅射中，电子和气体分子碰撞的离化效率较低，电子的能量有许多消耗在非离化的碰撞和被率较低，电子的能量有许多消耗在非离化的碰撞和被阳极收集。通过外加磁场提高电子的离化率阳极收集。通过外加磁场提高电子的离化率, 磁控溅磁控溅射可以提高溅射效率。射可以提高溅射效率。可溅射各种合金和难熔金属，不会像蒸发那样，可溅射各种合金和难熔金属，不会像蒸发那样，造成合金组分的偏离造成合金组分的偏

40、离阴极表面发射的二次电子由于受到磁场的束缚阴极表面发射的二次电子由于受到磁场的束缚,使使得高密度等离子体集中在靶附近得高密度等离子体集中在靶附近, 而不再轰击硅片，而不再轰击硅片，避免了硅片的升温避免了硅片的升温均匀性、重复性好，有良好的台阶覆盖均匀性、重复性好，有良好的台阶覆盖溅射效率提高溅射效率提高625、准直溅射、准直溅射 63薄膜淀积总结薄膜淀积总结6465CVD versus PVD (coarse comparison)66本章主要内容本章主要内容常用的淀积薄膜有哪些？常用的淀积薄膜有哪些？举例说明其用途。举例说明其用途。什么是什么是CVD？描述它的？描述它的工艺过程。工艺过程。C

41、VD的控制有哪两种的控制有哪两种极限状态？分别控制什极限状态？分别控制什么参数是关键？么参数是关键？单晶硅（外延）单晶硅（外延）器件；多晶器件；多晶硅硅栅电极；栅电极；SiO2互连介质；互连介质；Si3N4钝化。金属钝化。金属化学气相淀积：反应剂被激活化学气相淀积：反应剂被激活后在衬底表面发生化学反应成后在衬底表面发生化学反应成膜。膜。1)主气流中的反应剂越过主气流中的反应剂越过边界层扩散到硅片表面；边界层扩散到硅片表面；2)反反应剂被吸附在硅片表面；应剂被吸附在硅片表面；3)反反应成核生长；应成核生长；4)副产物挥发。副产物挥发。表面反应控制：温度表面反应控制：温度质量输运控制：反应器形状，质量输运控制：反应器形状，硅片放置硅片放置