模拟电子技术习题及答案(共21页).doc
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1、精选优质文档-倾情为你奉上习题88.1判断下列说法是否正确,用“”或“”表示判断结果填入括号内。(1)与分立元件比较,集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。( )(2)集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。(3)直接耦合的主要缺点是零点漂移。( )(4)晶体管的参数受温度的影响,但不影响零点漂移。 ( )(5)零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。( )(6)在集成电路中元件的对称性差。( )(1)集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。( )答:(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)8.2选择合适答案填入空内。 (1
2、)集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 A可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小 C集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大 。 A高频信号 B. 低频信号 C. 任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。 A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C参数一致性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。 A减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 (5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用 。 A共射放大电路 B. 共集放大电路 C共基放大电路 答:(1)C (2)B (3)C (4)A (5)A8.3 电路如题图8.3所示,已
3、知1=2=3=100。各管的VBE均为0.7V,试求IC2的值。题图8.3解:分析估算如下: A 8.4 多路电流源电路题图8.4所示,已知所有晶体管的特性均相同,VBE均为0.7V,0=1=2=3=100。试求IC1、IC2各为多少。题图8.4 解:因为T1、T2、T3的特性均相同,且VBE均相同,所以它们的基极、集电极电流均相等,设集电极电流为IC。先求出R中电流,再求解IC1、IC2。 8.5 题图8.5所示为多集电极晶体管构成的多路电流源。已知集电极C0与C1所接集电区的面积相同,C2所接集电区的面积是C0的两倍,ICO/IB= 4,e-b间电压约为0.7V。试求解IC1、IC2各为多
4、少题图8.5 解:多集电极晶体管集电极电流正比于集电区的面积。 先求出R中电流,再求解IC1、IC2。 8.6 在题图8.6电路中,已知所有晶体管的特性相同,VBE=0.6V。试求:(1)=5时,IREF=?IC4=?IREF与IC4的差值是多少?写出求IC1的表达式。 (2)=50时,IREF=?IC4=?IREF与IC4的差值是多少?+VCCR1T1T3+12V-12V-VEET2T4R3k30kIC4 IC1 题图8.6IREF 解:(1)=5时, (2)=50时, 8.7 题图8.7电路,已知所有晶体管的特性相同,VBE=0.6V,2。试求:(1)IREF=?IC2=?IC3=?(2)
5、若使IC3=2mA,Re3的阻值为多少?R+VCC=10V100kT1R IREF 题图8.7T0T2T3Re1 Re2 Re3 IC2IC350k150k100k解:(1)(2)若使IC3=2mA,Re3的阻值为8.8 题图8.8是镜像电流源对共射极电路进行直流偏置,已知T1、T2晶体管的特性相同,=100,VBE=0.6V。要使IO=2mA,问R应为多少?IO T3+10VvoviIREF T2T1RRC题图8.8解:8.9在题图8.9电路中,TI、T2的=100,VBE=0.7V,rbb=200, RC1=RC2=10k,VCC=-VEE=10V,I0=1mA,ro=100k。试求:(1
6、)电路的静态工作点IC1、VC1、VCE1;(2)RL开路时的Avdo、Avco和KCMR;(3)接入负载RL=10k时的Avd、Ri和Ro;(4)若用直流电压表测得输出电压为6V,试问输入电压vid约为多少?R+Rc1T1+VCCvo题图8.9-VEErOT2I_+_vi2vi1+_Rc2vc1vc2RL解:(1)电路的静态工作点IC1、VC1、VCE1(2)RL开路时的Avdo、Avco和KCMR(3)接入负载RL=10k时,Avd、Ri和Ro(4)8.10 题图8.9电路改为单端输出,负载RL=10k接入c2和地之间。VCC=-VEE=12V,RC1=RC2=5k,BJT的=50,VBE
7、=0.6V,Vbb=300,I0=2mA,ro=50k。试求:(1)电路的静态工作点IC2、VC2、VCE2;(2)RL开路时的Avdo、Avco和KCMR;(3)接入单端输出负载RL=10k时的Avd、Ri和Ro;解:负载RL=10k接入T2的集电极与点位参考点之间。(1)电路的静态工作点IC2、VC2、VCE2(2)RL开路时的Avdo、Avco和KCMR3)接入单端输出负载RL=10k时的Avd、Ri和Ro8.11在题图8.11中,VCC=-VEE=10V,RC1=RC2=5k,Re1=Re2=100,Rb1=Rb2=10k,BJT的=50,VBE=0.6V,rbb=300,I0=2mA
8、。试求:(1)电路的静态工作点IC1、VC1、VCE1;(2)当电路接入RL=10k的负载时,Avd、Ri、Ro。Rc1+VCCvo题图8.11-VEErOT2I+_+_vi2vi1+_Rc2vc1vc2Rb1Rb2RLRe2Re1T1解:(1)电路的静态工作点IC1、VC1、VCE12)当电路接入RL=10k的负载时8.12在题图8.12电路中,设各管的rce均为500k。TI、T2的=100,VBE=0.7V,rbb=200, VCC=-VEE=10V,I0=1mA,ro=100k。(1)求RL=时的差模电压增益Avdo;(2)RL=10k,接入c2点对地,求差模电压增益Avd(3)计算结
9、果与题8.9的Avdo和Avd比较可得出什么结论?IO-VEE题图8.12解:恒流源的I0=1mA,ro=100k。差分对管的动态输入电阻为RL=时,RL=10 k时,计算结果表明:恒流源负载提高增益和输出电阻,并实现双端输出转换为单端输出。8.13在题图8.13电路中,VCC=-VEE=12V,RC1=RC2=5k,R1=40k,R2=20k,Re=2k,BJT的=50,VBE=0.7V,rbb=200。试求:(1)双端输出RL=10k时,电路的静态工作点IC1、VC1、VCE1,动态参数Avd、Ri、Ro;(2)单端输出RL=5k时,电路的静态工作点IC1、VC1、VCE1,动态参数Avd
10、、Ri、Ro。(提示:T3、R1、R2、Re分压式偏置电路构成差分电路的电流源。)_+Rc1T1+VCC题图8.13-VEET2_+_vi2vi1+Rc2vc1vc2ReR1R2RLT3解:(1)双端输出,RL=10k时,电路的静态工作点IC1、VC1、VCE1 T3作为电流源,输出电流为(2)RL=5k负载接c1与地之间,电路的静态工作点IC1、VC1、VCE18.14 电路如题图8.14所示,具有理想的对称性。设各管均相同。 (1)说明电路中各晶体管的作用; (2)求差模电压增益Avd。题图8.14vi1vi2vo解:(1)图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T1和T4组成共集电极
11、差放;T3和T4组成共射差放,T5和T6组成其有源负载。(2) 8.15 电路如题图8.15所示,具有理想的对称性。(1)说明电路中各晶体管的作用; (2)求差模电压增益Avd。题图8.15vi1vi2vo 解:(1)图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T1和T2、T3和T3分别组成的复合管为放大管,T5和T6组成的镜像电流源为有源负载。(2) 8.16 电路如题图8.16所示,T1与T2管的特性相同,所有晶体管的均相同,Rc1远大于二极管的正向电阻。当vi1vi20V时,vo0V。(1)求解差模电压放大倍数的表达式;(2)当有共模输入电压时,vo?简述理由。 vi1vo题图8.16v
12、i2 解:(1)T1和T2组成差放,T3和Rc2组成放大电路。在忽略二极管动态电阻的情况下 (2)当有共模输入电压时,vo近似为零。由于Rc1rd,vC1vC2,因此vbe30,故vo0。8.17 电路如题图8.17所示,T1与T2管为超管,电路具有理想的对称性。选择合适的答案填入空内。vi1vo题图8.17vi2(1)该电路采用了 。 A共集-共基接法 B. 共集-共射接法 C共射-共基接法 (2)电路所采用的上述接法是为了 。 A增大输入电阻 B. 增大电流放大系数 C展宽频带 (3)电路采用超管能够 。 A增大输入级的耐压值 B. 增大放大能力 C增大带负载能力 (4)T1与T2管的静态
13、集射电压约为 。 A0.7V B. 1.4V C. 不可知 解:(1)C (2)C (3)B (4)A8.18 按导通角分功率放大电路有哪几种类型?它们中哪一类效率最高?答:根据功放管的导通角大小,功率放大电路分为甲类、乙类、甲乙类、丙类和丁类等。丁类功放的效率最高。8.19 功率放大电路有哪些需要注意的问题?提高功放电路效率的途径有哪些?答:功放管工作在接近极限状态,非线性失真较大,功放管需有效散热和保护,功放电路的功率转换效率要高,电路的分析法是图解法。提高功放电路效率的途径是减小功放管的管耗。8.20在题图8.20电路中,已知VCC=16V,RL=4,T1、T2的饱和压降为|VCES|=
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