模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结【考试专用】(共2页).doc
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1、精选优质文档-倾情为你奉上1、 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。特性:热敏性、光敏性、掺杂性。2、 本征半导体:完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。3、 在纯净半导体中掺入三价杂质元素,形成P型半导体,空穴为多子,电子为少子。4、 在纯净半导体中掺入五价杂质元素,形成N型半导体,电子为多子、空穴为少子。5、 二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的,而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。6、 硅管Uon和Ube:0.5V和0.7V ;锗管约为0.1V和0.3V。7、 稳压管是工作在反向击穿状态的: 加正向电压时,相当正向导通的二极管。(压降为0.7V,)加反向电压时截止,相当
2、断开。加反向电压并击穿(即满足UUZ)时便稳压为UZ 。8、 二极管主要用途:开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离(门电路)等。9、 三极管的三个区:放大区、截止区、饱和区。三种状态:工作状态、截止状态、饱和状态,放大时在放大状态,开关时在截止、饱和状态。三个极:基极B、发射极E和集电极C。二个结:即发射结和集电结。饱和时:两个结都正偏;截止时:两个结都反偏;放大时:发射结正偏,集电结反偏。三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数=IC / IB (或IC= IB)和开关作用.10、当输入信号Ii 很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。11、失真有三种情况:截止失真
3、原因IB、IC太小,Q点过低,使输出波形正半周失真。调小RB,以增大IB、IC,使Q点上移。饱和失真原因IB、IC太大,Q点过高,使输出波形负半周失真。调大RB,以减小IB、IC,使Q点下移。信号源US过大而引起输出的正负波形都失真,消除办法是调小信号源。1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。(固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极,故称共发射极电路)。共射电路的输出电压U0与输入电压UI反相,所以又称反相器。共集电路的输出电压U0与输入电压UI同相,所以又称同相器。2、 差模输入电压Uid=Ui1-Ui2 指两个大小相等,相位相反的输入电压。(是待放大的信号)共模输入电压
4、UiC= Ui1=Ui2指两个大小相等,相位相同的输入电压。(是干扰信号)差模输出电压U0d 是指在Uid作用下的输出电压。共模输出电压U0C是指在 UiC作用下的输出电压。差模电压放大倍数Aud= U0d / /Uid是指差模输出与输入电压的比值。共模放大倍数Auc =U0C /UiC是指共模输出与输入电压的比值。(电路完全对称时Auc =0)共模抑制比KCRM=Aud /Auc是指差模共模放大倍数的比,电路越对称KCRM越大,电路的抑制能力越强。3、 差分电路对差模输入信号有放大作用,对共模输入信号有抑制作用,即差分电路的用途:用于直接耦合放大器中抑制零点漂移。(即以达到UI =0,U0=
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