LED发光原理及光电参数.课件.ppt
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1、 LED简介简介发光原理及光电发光原理及光电特性特性 江苏新广联科技股份有限公司江苏新广联科技股份有限公司李睿李睿LED基本信息基本信息nLED是light emitting diodes的英文缩写,中文为发光二极管,顾名思义是一种以直接带隙材料构成的,p-n节为基础的固态半导体光电器件n目前LED都是以双异质节结构为主, 此外,高效LED结构中通常具有多量子阱结构进一步提高发光效率p-GaNn-GaNInGaNLED的应用范围的应用范围n室内照明n室外景观照明n交通显示及路灯照明n车用照明n室外大屏幕显示n显示用背光源n家电及消费电子产品的显示LED应用优势应用优势n体积小体积小nLED芯片
2、一般面积很小(小尺寸300um300um,大尺寸1 mm1 mm,可以灵活应用于各个领域n高效节能高效节能nLED发光效率已到达80-120lm/W,已经超过了节能灯,是白炽灯12lm/W的八倍,同等照明效果可节能85%。n使用寿命长使用寿命长n在恰当的电流和电压下,LED的使用寿命(光衰减到70%)可达10万小时n响应时间短响应时间短n适合频繁开关及高频运作场合n光线质量好光线质量好n光谱中没有紫外线和红外线,不会对人眼产生伤害,属于典型的绿色照明光源n显色性好、颜色多样显色性好、颜色多样nLED颜色多样,颜色纯正,且LED白光显色性很好,显色指数达到80,能更好地演绎被照物的真实本色n环保
3、环保nLED是由无毒的材料作成,同时也可以回收再利用n坚固耐用坚固耐用nLED芯片被封装在环氧树脂里面,它比灯泡和荧光灯管都坚固,使得LED不易损坏 LED分类分类LED发展史发展史n1962年,GE用气相外延(VPE)制成发出红光的的GaAsP半导体化合物n1968年,LED的研发取得突破性进展,利用氮掺杂工艺,发光效率达到1lm/W, 获得红光、橙光和黄光LEDn1971年,业界推出相同效率的GaP绿色LEDn80年代早期重大技术突破开发了AlGaAs 红光LED,发光效率达到10lm/Wn1990年,美国HP和日本东芝成功研制InGaAlP LEDn1993年,日本日亚公司的中村修二以G
4、aN基材料研制成功蓝色LEDn20世纪90年代后期,研制成蓝光激发YAG的白光LEDn2000年以后,LED器件进入照明功率器件阶段n2008年12月,CREE LED效率达到161lm/WnLED节能灯发展像计算机一样,遵守摩尔定律,每18个月亮度翻一番GaN LED结构示意图结构示意图LED制作简图制作简图EPIWaferDieMesa-CBL-TCL-PAD-PVScribing/Breaking-Testing-SortingGrowth-DopingLED工作原理简介工作原理简介 n发光二极管是在发光二极管是在P-NP-N结区注入少数载流子而辐射复合发结区注入少数载流子而辐射复合发光
5、的一种半导体光电器件光的一种半导体光电器件nLEDLED由直接带隙半导体材料构成由直接带隙半导体材料构成n发光颜色取决于电子与空穴复合释放出来的光子能量,发光颜色取决于电子与空穴复合释放出来的光子能量,主要由半导体材料的禁带宽度,量子效应,应力,压电主要由半导体材料的禁带宽度,量子效应,应力,压电极化效应等特性决定极化效应等特性决定 nLED有源区材料的禁带宽度有源区材料的禁带宽度g是其发光是其发光峰值波长峰值波长最主要的决定因素最主要的决定因素n即1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)n若能产生可见光(波长在380nm紫光780nm红光),半导体材料的Eg应在3.261.63
6、eV之间LED电学特性电学特性 nLED是以p-n结为基础的。因此它具有一般p-n结的电学特性,即正向导通,反向截止,击穿特性 在正向偏压小于某一阈值(开启电压)时,电流极小,不发光。当超过开启电压后,正向电流随正偏压增大而迅速增大,同时发光。 在反向偏压小于某一阈值(反向击穿电压)是,电流极小,当超过击穿电压后,反向电流随反偏压增大而迅速增大,在反向偏压下,不发光I-V曲线p、n型半导体及空间电荷区型半导体及空间电荷区n对于p型半导体,空穴是多子(受主掺杂),而电子是少子(本征热激发)n对于n型半导体,电子是多子(施主掺杂),而空穴是少子(本征热激发)n在 p型半导体中有大量带正电荷的空穴和
7、带负电荷的电离杂质。空穴是可迁移的,而电离杂质(离子)是固定不动的 。同理,n型半导体中有大量可迁移的负电子和固定的带正电荷的电离杂质。n当p型和n型半导体接触时,由于存在浓度差,界面附近空穴从p型半导体向n型半导体扩散,电子从n型半导体向p型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合。结区界面附近的杂质离子形成空间电荷区 ,从而在节区建立内电场。无外加偏压无外加偏压n节区两侧载流子浓度差节区两侧载流子浓度差 n多子的扩散n杂质离子形成空间电荷区n空间电荷区形成内电场n促使少子漂移 阻止多子扩散n动态平衡时: 多子的扩散速率=少子的漂移速率, 扩散电流=漂移电流施加正向偏压施加正向偏压pn节加正向偏压:
8、p区电势高于n区np区和n区多子都向界面区运动,使得空间电荷区变窄np区和n区多子向界面扩散过程中,所遇到阻挡势垒变小n多子形成的扩散电流增加,而少子形成的漂移电流减少n有电流从p区流向n区LED的辐射复合的辐射复合n在正向偏压作用下,p区的空穴和n区的电子相对扩散运动,构成少数载流子的注入,从而 在pn结附近发生导带电子和价带空穴的复合n考虑到LED是由直接带隙材料构成,电子-空穴对会发生辐射复合和非辐射复合过程,辐射复合过程将释放出能量与材料禁带宽度相近的光子施加反向偏压施加反向偏压pn节加反向偏压:n区电势高于p区np区和n区多子都远离界面区运动,使得空间电荷区变宽np区和n区多子向界面
9、扩散过程中,所遇到阻挡势垒变大n多子形成的扩散电流减小趋于零,而少子形成的漂移电流处于支配地位n有微小电流从n区流入p区由于在一定温度下,本征激发的少子浓度是一定的,故漂移电流是恒定的,基本上与所加的反向偏压无关,这个电流也称为反向饱和电流反向击穿反向击穿n当pn结上加的反向电压增大到一定数值时,反向电流突然剧增,这种现象称为pn结的反向击穿。pn结出现击穿时的反向电压称为反向击穿电压,反向击穿可分为雪崩击穿和齐纳击穿及热击穿。n雪崩击穿和齐纳击穿是可逆的,热击穿是不可逆的n雪崩击穿雪崩击穿:结内电场很强漂移运动的少数载流子动能增大 与结内原子发生直接碰撞产生新的“电子一空穴对” 被强电场加速
10、再去碰撞其他原子,产生链锁反应结内载流子数目剧增,并在反向电压作用下作漂移运动,形成很大的反向电流n雪崩击穿的物理本质是碰撞电离雪崩击穿的物理本质是碰撞电离n齐纳击穿:齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的pn结内。由于掺杂浓度很高,pn结很窄很强的结区内电场会强行促使pn结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成“电子一空穴对” 结内载流子数目剧增并在反向电压作用下作漂移运动,形成很大的反向电流n齐纳击穿的物理本质是场致电离齐纳击穿的物理本质是场致电离n热击穿:热击穿:pn节功率损耗 pn节温升高本征激发加剧结内载流子数目剧增并在反向电压作用下作漂移运动,形成很大的反向电流消耗在pn节上的功
11、率增加,pn节温进一步升高,产生连锁反应功率超出了最大允许值,导致pn节烧毁n热击穿的物理本质是热激发热击穿的物理本质是热激发LED光电转换效率n量子效率量子效率是反映发光二极管光电转化效率的重要参数是反映发光二极管光电转化效率的重要参数量子效率分量子效率分内量子效率内量子效率和和外量子效率外量子效率n外量子效率外量子效率:单位时间内输出二极管外的光子数目:单位时间内输出二极管外的光子数目/注注入的载流子数目入的载流子数目n内量子效率内量子效率:单位时间内半导体的辐射复合产生的光:单位时间内半导体的辐射复合产生的光子数目子数目/注入的载流子数目注入的载流子数目LED发光发光基本特性基本特性58
12、0585590595600605610020406080100120Wavelength Vs. CurrentWavelength Vs. Current12 12 milmil9 9 milmil8 8 milmilWavelength (nm)Current (mA)050100150200250020406080100120Intensity Vs. CurrentIntensity Vs. Current12 12 milmil9 9 milmil8 8 milmilLumen Intensity (mcd)Current (mA)LEDLED 发光强度有极大值发光强度有极大值( (
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