半导体三极管的特性曲线教学课件.ppt
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《半导体三极管的特性曲线教学课件.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《半导体三极管的特性曲线教学课件.ppt(8页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、 三极管的特性曲线是用来表示管子各电极电压与电流之三极管的特性曲线是用来表示管子各电极电压与电流之间相互关系的曲线,是管子内部载流子运动的外部表现,反间相互关系的曲线,是管子内部载流子运动的外部表现,反映了三极管的性能,是分析放大电路的重要依据。映了三极管的性能,是分析放大电路的重要依据。 由于三极管有三个电极,输入、输出各占一个电极,一由于三极管有三个电极,输入、输出各占一个电极,一个公共电极,因此要用两种特性曲线来表示。最常用的是共个公共电极,因此要用两种特性曲线来表示。最常用的是共发射极接法时的输入特性曲线和输出特性曲线。发射极接法时的输入特性曲线和输出特性曲线。 这些特性曲线可以用图示
2、的方法直观的表示出来。这些特性曲线可以用图示的方法直观的表示出来。 输入特性是指输入特性是指三极管三极管的集、射间电压的集、射间电压uCE一定时,输入一定时,输入电路(基极电路)中基极电流电路(基极电路)中基极电流iB与基、射间电压与基、射间电压uBE之间的关之间的关系曲线,其表达式为系曲线,其表达式为CEBBE=uif u常常数数O0.40.8iB/ AuBE/VuCE1V60402080 对硅管而言,当对硅管而言,当uCE1V时,集时,集电结已经反向偏置,而基区又很薄,电结已经反向偏置,而基区又很薄,可以把从发射区扩散到基区的电子可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。此后,
3、中的绝大部分拉入集电区。此后,uCE对对iB就不再有明显的影响。因此就不再有明显的影响。因此uCE1V以后的输入特性曲线基本上以后的输入特性曲线基本上是重合的。因此通常只画出是重合的。因此通常只画出uCE1V的一条输入特性曲线。的一条输入特性曲线。O0.40.8iB/ AuBE/VuCE1V60402080 和二极管的伏安特性一样,和二极管的伏安特性一样,三三极管极管输入特性也有一段死区。只有输入特性也有一段死区。只有在发射结外加电压大于死区电压时,在发射结外加电压大于死区电压时,三极管三极管才会出现才会出现iB。硅管的死区电。硅管的死区电压约为压约为0.5V,锗管的死区电压约为,锗管的死区电
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 半导体 三极管 特性 曲线 教学 课件
![提示](https://www.taowenge.com/images/bang_tan.gif)
限制150内