模块一常用电子元器件课件.ppt

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1、课课 程程 安安 排排一、内容划分一、内容划分 模拟部分模拟部分 器件：器件：二极管二极管 、 三极管三极管 、 场效应管场效应管 放大器：放大器： 基本放大器基本放大器 、 反馈放大器、反馈放大器、功率放大器功率放大器 集成电路：集成电路：集成运算放大器集成运算放大器电源：电源：振荡电路、振荡电路、 直流稳压电源直流稳压电源数字部分数字部分逻辑代数逻辑代数: 数制、码制、化简等数制、码制、化简等逻辑门电路：逻辑门电路： 基本逻辑门基本逻辑门 、 复合逻辑门复合逻辑门组合逻辑电路组合逻辑电路 ： 编码器编码器 、译码器、选择器等、译码器、选择器等555555集成定时器：集成定时器： 原理原理

2、、应用、应用时序逻辑电路：时序逻辑电路：触发器、计数器、寄存器触发器、计数器、寄存器D/AD/A转换与转换与A/DA/D转换：转换：原理及应用原理及应用绪绪 论论二二. . 时间安排时间安排 学习时间学习时间1 1学年学年第一学期：第一学期：模拟部分模拟部分第二学期：第二学期：数字部分数字部分三三. 学习注意事项学习注意事项课程特点课程特点电路图多、内容分散、电路图多、内容分散、计算简单计算简单注重理论与实践相结合、实用性强注重理论与实践相结合、实用性强学习方法学习方法掌握基本概念、电路的构成、记住几个典型电路掌握基本概念、电路的构成、记住几个典型电路及时总结和练习、掌握近似原则、与实验有机结

3、合及时总结和练习、掌握近似原则、与实验有机结合绪绪 论论模块一模块一 常用电子元器件常用电子元器件 半导体基本知识半导体基本知识 半导体二极管半导体二极管 半导体三极管半导体三极管 特种半导体器件特种半导体器件 本本 模模 块块 主主 要要 内内 容容1.1 1.1 半导体基本知识半导体基本知识1.1.1 本征半导体本征半导体锗硅半导体半导体 : :导电性能介于导体与绝缘体之间的物质，如硅和锗。它导电性能介于导体与绝缘体之间的物质，如硅和锗。它们的原子最外层都有四个价电子。们的原子最外层都有四个价电子。 本征半导体本征半导体：完全纯净的半导体晶体完全纯净的半导体晶体。 将硅或锗提纯后，其原子结

4、构排列成晶体状，称单晶硅和单晶锗。将硅或锗提纯后，其原子结构排列成晶体状，称单晶硅和单晶锗。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。硅和锗的硅和锗的晶体结构晶体结构特点：特点：（）导电性能不如导体。（）自由电子是半导体中的载流子之一。（）导电性能不如导体。（）自由电子是半导体中的载流子之一。 （）空穴是半导体中的

5、载流子之二。（）空穴是半导体中的载流子之二。本征半导体中电流由两部分组成：本征半导体中电流由两部分组成： （）（） 自由电子移动产生的电流。（）自由电子移动产生的电流。（） 空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。 在本征半导体中掺入微量有用杂质后的半导体称为杂质半导体。在本征半导体中掺入微量有用杂质后的半导体称为杂质半导体。 杂质半导体可分为空穴（杂质半导体可分为空穴（P）型半导体和电子（）型半导体和电子（N）型半导体两大类。）型半导体两大类。 P型半导体：型半导体：在硅（或锗）的在硅（或锗）的晶体内掺入微量的三价元素硼晶体内掺入微量的三价元素硼（或铝），成为（或铝），成为P型半导体。型半导

6、体。 N型半导体：型半导体：在硅（或锗）的在硅（或锗）的晶体内掺入微量的五价元素磷晶体内掺入微量的五价元素磷（或砷），成为（或砷），成为N型半导体。型半导体。 P型型N型型1.1.3 PN1.1.3 PN结及其单向导电性结及其单向导电性1.1.本征半导体中受热激发产生的电子空穴对很少。本征半导体中受热激发产生的电子空穴对很少。2.N2.N型半导体中电子是多子型半导体中电子是多子( (由掺杂形成由掺杂形成) )，空穴是少子，空穴是少子( (由热激发形成由热激发形成) )。3.P3.P型半导体中空穴是多子型半导体中空穴是多子( (由掺杂形成由掺杂形成) )，电子是少子，电子是少子( (由热激发形成

7、由热激发形成) )。 PNPN结结: : 在同一片半导体基片上，分别制造在同一片半导体基片上，分别制造P P 型半导体和型半导体和N N 型半导体，型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN PN 结。结。PNPN结的形成演示结的形成演示扩散的结果是使空扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽间电荷区逐渐加宽内电场越强，漂移内电场越强，漂移运动越强，而漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄使空间电荷区变薄空间电荷区空间电荷区也称耗尽层也称耗尽层P P 型半导体型半导体N N 型半导体型半导体+漂移运动漂移运动 内电场内电场PN 结变窄结变窄外电场外

8、电场IF外电场的方外电场的方向与内电场向与内电场方向相反方向相反, , 外电场削弱外电场削弱内电内电 场场, ,使使PNPN结变薄，结变薄，呈现出很小呈现出很小的电阻，称的电阻，称PNPN结导通。结导通。 P接正、接正、N接负接负内电场内电场PN+PN结的单向导电性结的单向导电性+内外电场内外电场方向相同方向相同, 外电场加外电场加强内电强内电 场场,使使PN结变结变厚，呈现厚，呈现出很大的出很大的电阻，称电阻，称PN结截止。结截止。IR+结论结论:PN结具有单向导电性结具有单向导电性阴极引线阴极引线阳极引线阳极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金属触

9、丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳( a ) 点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线( b ) 面接触面接触型型阴极阴极阳极阳极( d ) 符号符号D1.2 1.2 半导体二极管半导体二极管1.2.1 分类、结构与符号分类、结构与符号1.2.2 1.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性 二极管两端的电压与通过的电流的关二极管两端的电压与通过的电流的关 系曲线，称二极管的伏安特性。系曲线，称二极管的伏安特性。 （1）正向特性）正向特性（2）反向特性）反向特性（3）反向击穿）反向击穿 UI死区

10、电压死区电压 :硅管硅管0.5V,锗管锗管0.1V导通压降导通压降: :硅管硅管0.60.7V锗管锗管0.20.3V反向击穿反向击穿电压电压UBR（1 1）最大整流电流）最大整流电流 二极管长期使用时，允许流二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。过二极管的最大正向平均电流。（2）最高反向工作电压）最高反向工作电压 二极管反向击穿时的电压值。手二极管反向击穿时的电压值。手册上给出的最高反向工作电压一般是册上给出的最高反向工作电压一般是反向击穿电压的一半。反向击穿电压的一半。I IF FU URMRM1.2.3 1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数1.2.4 1.2.4 特殊

11、二极管特殊二极管1. 稳压二极管稳压二极管 稳压二极管简称稳压管。是稳压二极管简称稳压管。是一种用特殊工艺制造的面结合型一种用特殊工艺制造的面结合型二极管，电路符号及伏安特性如二极管，电路符号及伏安特性如 右图所示。右图所示。 曲线越陡，动态电阻越小，稳压曲线越陡，动态电阻越小，稳压管的稳压性能越好。管的稳压性能越好。 2. 发光二极管（发光二极管（LED）UZIZIZM UZ IZUIO_+3. 3. 光电二极管光电二极管 利用半导体的光敏特性制造而成。利用半导体的光敏特性制造而成。在电路中，给光电二极管加反向电压，在电路中，给光电二极管加反向电压，无光照射时，因无光照射时，因PNPN结反偏

12、，电流很小；结反偏，电流很小；当有光照射时，产生当有光照射时，产生“光电流光电流”，其，其大小与光照强度成正比。大小与光照强度成正比。 1.2.5 1.2.5 应用实例应用实例1 1整流应用（如右图所示）整流应用（如右图所示） 所谓整流是指将交流电变所谓整流是指将交流电变为直流电。利用二极管的单向为直流电。利用二极管的单向导电性可组成各种整流电路。导电性可组成各种整流电路。 +aTrDuoubRLiou tOuoOt U2U23 3检波应用检波应用从高频载波信号中将从高频载波信号中将低频信号取出来，称低频信号取出来，称为解调或检波。（如为解调或检波。（如右图所示）右图所示） 2 2限幅应用限幅

13、应用将输出电压限制在某将输出电压限制在某一电压值以内的电路一电压值以内的电路称为限幅电路。称为限幅电路。 4 4保护应用保护应用保护其他元件免受保护其他元件免受过高电压的损害。过高电压的损害。 1.3 1.3 半导体三极管半导体三极管1.3.1 1.3.1 结构与符号结构与符号BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BCEPNP型型BECIBIEICNPN型三极管型三极管BECIBIEICPNP型三极管型三极管BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区：较薄，基区：较薄，掺杂浓度低掺杂浓度低集电区：集电区：面积较大面积较大发射区：掺杂发

14、射区：掺杂浓度较高浓度较高三极管制造工艺特点是：三极管制造工艺特点是：发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低且很薄，集电区面积大。且很薄，集电区面积大。 1.3.2 电流分配与电流放大作用电流分配与电流放大作用外部工作条件外部工作条件:即给三极管的发射结加正向电压（习惯称正向偏置或正即给三极管的发射结加正向电压（习惯称正向偏置或正偏），集电结加反向电压（习惯称反向偏置或反偏）。偏），集电结加反向电压（习惯称反向偏置或反偏）。 ICmA AVVUCEUBERbIBUCCUBBVTRP先做一个实验先做一个实验.结论结论: :1.1.发射极电流等于基极电流与集电极电流之和，

15、即发射极电流等于基极电流与集电极电流之和，即I IE E=I=IC C+I+IB B2.I2.IC C要比要比I IB B大得多。由表可知大得多。由表可知 :3. 3. I IB B的小变化引起的小变化引起I IC C的大变化。的大变化。 8004. 006. 096. 256. 4BCII4.4.要使晶体管有电流放大作用要使晶体管有电流放大作用, ,发射结必须正偏发射结必须正偏, ,集电结必须反偏集电结必须反偏。 1.3.3 1.3.3 三极管的特性曲线三极管的特性曲线1. 输入特性输入特性当当U UCECE一定时，一定时，I IB B与与U UBEBE之间的关系曲线称为三极管的输入特性，即

16、之间的关系曲线称为三极管的输入特性，即常数CEUBEBUfI)(三极管的特性曲线是指各电极电压与电流之间的关系曲线，它是三极管的特性曲线是指各电极电压与电流之间的关系曲线，它是三极管内部载流子运动的外部表现。三极管内部载流子运动的外部表现。 7404. 096. 2BCII7606.056.4BCII一一.输入特性输入特性UCE 1V工作压降：工作压降： 硅管硅管U UBEBE 0.6-0.7V,0.6-0.7V,锗管锗管U UBEBE。UCE=0VIB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE =0.5V 死区电压，死区电压，硅管硅管0.5V0.5V，锗，锗管管0.1V0.1V。

17、共射极接法硅共射极接法硅NPN型三极管的输入特性曲线型三极管的输入特性曲线 2. 输出特性输出特性当当I IB B一定时，一定时，I IC C与与U UCECE之间的关系曲线称为三极管的输出特性，之间的关系曲线称为三极管的输出特性，即即常数BICECUfI)(IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域满足此区域满足I IC C= = I IB B称为线性称为线性区（区（放大区放大区）当当U UCECE大于一定的大于一定的数值时，数值时，I IC C只与只与I IB B有关，有关，I IC C= = I IB B。此区域中此区域中U UC

18、ECE U UBEBE, ,集电结正偏，集电结正偏， I IB B I IC C，U UCECE 0.3V0.3V称为称为饱和区饱和区。此区域中此区域中 : : I IB B=0,=0,I IC C= =I ICEOCEO, ,U UBEBE I IC C，U UCECE 0.3V0.3V 1.3.4 三极管的主要参数及温度影响三极管的主要参数及温度影响1. 1. 三极管的主要参数三极管的主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：共

19、射直流电流放大倍数：BCII_(1) 电流放大倍数电流放大倍数 和和 _工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为基极电流的变化量为 IB，相应的集电极电流变化为相应的集电极电流变化为 IC，则交则交流电流放大倍数为：流电流放大倍数为：BIIC在以后的计算中，一般作近似处理在以后的计算中，一般作近似处理： = 和和虽然定义不同，但两者数虽然定义不同，但两者数值较为接近。值较为接近。 _(2)(2)极间反向电流极间反向电流a.a.集集- -基极反向截止电流基极反向截止电流ICBO AICBOI ICBOCBO

20、是集电结反偏是集电结反偏由少子的漂移形由少子的漂移形成的反向电流，成的反向电流，受温度的变化影受温度的变化影响。响。b.b.集集- -射极反向截止电流射极反向截止电流I ICEOCEOICEO= IBE+ICBO I ICEOCEO受温度影响很大，受温度影响很大，当温度上升时，当温度上升时，I ICEOCEO增增加很快，所以加很快，所以I IC C也相也相应增加。应增加。三极管的温三极管的温度特性较差度特性较差。 指基极开路指基极开路, ,集电结反偏和发射结正集电结反偏和发射结正偏时的集电极电流，习惯称穿透电流。偏时的集电极电流，习惯称穿透电流。 （4 4）极限参数）极限参数a.集电极最大电流

21、集电极最大电流ICM集电极电流集电极电流IC上升会导致三极管的上升会导致三极管的 值的下降，当值的下降，当 值下降到正常值值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为的三分之二时的集电极电流即为ICM。b.集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压当集当集-射极之间的电压射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是手册上给出的数值是25 C、基极开路时的击穿电压基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。c. 集电极最大允许功耗集电极最大允许功耗PCM集电极电流集电极电流I IC C 流过三极管，流过三极管， 所发出的功率为：所发出的功率为

22、： P PC C =I =IC CU UCE CE ，必定导致结，必定导致结温温 上升，所以上升，所以P PC C有限制。有限制。P PC C P PCMCM除了上述主要参数以外，还有其他参数，需要时可查阅有关手册。下图除了上述主要参数以外，还有其他参数，需要时可查阅有关手册。下图中标示出了三极管的中标示出了三极管的安全工作区。安全工作区。ICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区02. 温度对三极管参数的影响温度对三极管参数的影响(1) 温度对温度对的影响的影响 三极管的三极管的值会随温度的变化而变化，温度每升高值会随温度的变化而变化，温度每升高1，值值增大增大0

23、.5%1%。(2) (2) 温度对温度对I ICBOCBO的影响的影响 实验证明，实验证明，I ICBOCBO随温度按指数规律变化。温度每升高随温度按指数规律变化。温度每升高1010，I ICBOCBO约增加一倍。约增加一倍。(3) (3) 温度对温度对U UBEBE的影响的影响 U UBEBE具有负的温度系数。一般说来，温度每升高具有负的温度系数。一般说来，温度每升高11，U UBEBE下降约下降约2 22.5mv2.5mv。1.3.5 应用实例应用实例(略略) 晶体管作开关使用的电晶体管作开关使用的电路如右图所示。试根据输入路如右图所示。试根据输入信号来验证晶体管是否工作信号来验证晶体管是

24、否工作在开关状态？在开关状态？想一想，想一想，做一做。做一做。 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是即是。具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点，而且还具有输入阻抗高（可高达特点，而且还具有输入阻抗高（可高达 以上）、噪声低、以上）、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、便于大规模集成化的优点，被广热稳定性好、抗辐射能力强、便于大规模集成化的优点，被广泛应用于各种电子线路。泛应用于各种电子线路。按结构不同场效应管有两种按结构不同场效应管有两种: :本节仅介绍绝缘栅型场效应管本节仅介绍绝

25、缘栅型场效应管 1.4 MOS场效应管及其基本放大电路场效应管及其基本放大电路910绝缘栅场效应管由称金属绝缘栅场效应管由称金属-氧化物氧化物-半导体制成故又称为半导体制成故又称为MOS场效应管。场效应管。 MOS管共有四种类型：管共有四种类型：N沟道增强型、沟道增强型、N沟道耗尽型、沟道耗尽型、P沟道增强型、沟道增强型、P沟道耗尽型。沟道耗尽型。 1.4.1 N沟道增强型沟道增强型MOS管的结构管的结构GSD 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达达109 。漏极漏极D金属电极金属电极栅极栅极G源极源极SSiO2绝缘

26、层绝缘层P P型硅衬底型硅衬底 高掺杂高掺杂N区区 由于金属栅极和半导体之间采用二氧化硅绝缘，故又称绝缘栅。由于金属栅极和半导体之间采用二氧化硅绝缘，故又称绝缘栅。1.4.2 N沟道增强型管的工作原理沟道增强型管的工作原理P型硅衬底型硅衬底N+N+GSD+UGSD+ 由结构图可见由结构图可见，N+型漏区和型漏区和N+型源区之间被型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的极之间是两个背靠背的PN结结。 当栅源电压当栅源电压UGS = 0 时时，不管漏，不管漏极和源极之间所加电压的极性如极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个何，其中总有一个PN结是反向偏结是反

27、向偏置的，反向电阻很高，置的，反向电阻很高，漏极电流漏极电流近似为零近似为零。SD 当当UGS 0 时，时，P P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；穴形成负离子的耗尽层；P型硅衬底型硅衬底N+N+GSD+UGSD+N型导电沟道型导电沟道当当UGS U后后，场效应，场效应管才形成导电沟道，开始导管才形成导电沟道，开始导通，若漏通，若漏源之间加上一定的源之间加上一定的电压电压UDS，则有漏极电流，则有漏极电流ID产产生。在一定的生。在一定的UDS下漏极电流下漏极电流ID的大小与栅源电压的大小与栅源电压UGS有关。有关。

28、所以，场效应管是一种电压所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。控制电流的器件。 在一定的漏在一定的漏源电压源电压UDS下，使管下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压压称为开启电压U。1.4.3 特性曲线及主要参数特性曲线及主要参数有导电沟道有导电沟道无导电沟道无导电沟道UDSUGS/ID/mAUDS/Vo oUGS= 1VUGS= 2VUGS= 3VUGS= 4V 低频跨导低频跨导DSGSm UDUIg 1.5 特种半导体器件简介特种半导体器件简介1.5.1 光敏电阻光敏电阻光敏电阻有暗电阻、亮电阻和光电流等参数。光敏电阻有暗电阻、亮电阻和光电流等

29、参数。（1 1）暗电阻）暗电阻光敏电阻在室温下，全暗后经光敏电阻在室温下，全暗后经过一定时间测量的电阻值，称过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时流过的电流，为暗电阻。此时流过的电流，称为暗电流。称为暗电流。 (2(2）亮电阻）亮电阻 光敏电阻在某一光照下的阻值，光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻。此时流称为该光照下的亮电阻。此时流过的电流称为亮电流。过的电流称为亮电流。（3 3）光电流）光电流亮电流与暗电流之差，称为亮电流与暗电流之差，称为光电流。光电流。 1.5.2 1.5.2 热敏电阻热敏电阻热敏电阻的主要参数有标称电阻值、电阻温度系数和耗散系数等。热敏电阻的主要参数有标

30、称电阻值、电阻温度系数和耗散系数等。（1）标称电阻值）标称电阻值R25 热敏电阻在热敏电阻在25时的阻值，又称冷阻。标时的阻值，又称冷阻。标称电阻是阻值的大小由热敏电阻材料和几称电阻是阻值的大小由热敏电阻材料和几何尺寸决定。何尺寸决定。（2）电阻温度系数）电阻温度系数电阻温度系数是指热敏电阻的温度变化电阻温度系数是指热敏电阻的温度变化1 时其阻值变化率与其值之比，即时其阻值变化率与其值之比，即 t1ddRRTTt（3）耗散系数）耗散系数H耗散系数是指热敏电阻温度变化耗散系数是指热敏电阻温度变化1 所耗散的功率。其大小与热敏电阻的所耗散的功率。其大小与热敏电阻的结构、形状以及所处介质的种类、状态

31、等有关。结构、形状以及所处介质的种类、状态等有关。1.5.3 1.5.3 压敏电阻压敏电阻压敏电阻的主要参数有压敏电压、电压温度系数和非线性系数等。压敏电阻的主要参数有压敏电压、电压温度系数和非线性系数等。（1 1）压敏电压）压敏电压U U1mA1mA压敏电压是指在直流工作电压条件下，压敏电阻中流过规定直流电压敏电压是指在直流工作电压条件下，压敏电阻中流过规定直流电流时，其两端的端电压。一般规定此直流电流的值为流时，其两端的端电压。一般规定此直流电流的值为1mA1mA。（2）电压温度系数）电压温度系数u当通过压敏电阻的电流保持恒定时，当通过压敏电阻的电流保持恒定时，温度每变化温度每变化1电压的

32、相对变化百分电压的相对变化百分比，称为压敏电阻的电压温度系数比，称为压敏电阻的电压温度系数u。 （3）非线性系数）非线性系数非线性系数是表征压敏电阻伏安特性非线性系数是表征压敏电阻伏安特性非线性程度的一项重要参数。非线性程度的一项重要参数。越大越大越好。越好。越大，表明通过压敏电阻的越大，表明通过压敏电阻的电流随外加电压的变化越大。电流随外加电压的变化越大。本本 章章 小小 结结 光敏电阻、热敏电阻和压敏电阻是三种特殊的半导体器件。常光敏电阻、热敏电阻和压敏电阻是三种特殊的半导体器件。常用于温度测量、控制、稳压和过压保护等电路中。用于温度测量、控制、稳压和过压保护等电路中。 杂质半导体分为杂质

33、半导体分为N型和型和P型半导体两类。电子和空穴是半导体中型半导体两类。电子和空穴是半导体中两种导电的载流子。两种导电的载流子。 半导体二极管由一个半导体二极管由一个PN结构成，它具有单向导电性。外加正向结构成，它具有单向导电性。外加正向偏置电压二极管导通，外加反向偏置电压二极管截止。特殊二极管偏置电压二极管导通，外加反向偏置电压二极管截止。特殊二极管既有二极管的特性，又具有自身的特殊性能，如稳压二极管用来稳既有二极管的特性，又具有自身的特殊性能，如稳压二极管用来稳压，发光二极管用来发光、光电二极管用来进行光电转换等。压，发光二极管用来发光、光电二极管用来进行光电转换等。 半导体三极管的基极电流对集电极电流有控制作用，所以是一半导体三极管的基极电流对集电极电流有控制作用，所以是一种电流控制器件。三极管具有电流放大作用的外部条件是发射结种电流控制器件。三极管具有电流放大作用的外部条件是发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。必须正向偏置，集电结必须反向偏置。