材料物理性能测试题卷.docx

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1、精品名师归纳总结资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -第一份一、 填空题（每空 1 分，共 30 分）：1、利用热膨胀曲线确定组织转变临界点通常实行的两种方法是：、2、列举三种你所知道的热分析方法：、3、磁各向异性一般包括、等。4、热电效应包括效应、效应、效应，半导体制冷利用的是效应。5、产生非线性光学现象的三个条件是、。6、激光材料由和组成，前者的主要作用是为后者供应一个合适的晶格场。7、压电功能材料一般利用压电材料的功能、功能、功能、 功能或功能。8、拉伸时弹性比功的运算式为，从该式看，提高弹性比功的途径有二： 或，作为减振或储能元件，应具有弹性比功。9

2、、粘着磨损的形貌特点是，磨粒磨损的形貌特点是。10、材料在恒变形的条件下，随着时间的延长，弹性应力逐步的现象称为应力放松，材料抗击应力放松的能 力称为。二、是非题（每题1 分，共 10 分）：1、导温系数反映的是温度变化过程中材料各部分温度趋于一样的才能。（）2、只有在高温且材料透亮、半透亮时，才有必要考虑光子热导的奉献。（）3、原子磁距不为零的必要条件是存在未排满的电子层。（）4、量子自由电子理论和能带理论均认为电子随能量的分布听从FD分布。（）5、由于晶格热振动的加剧，金属和半导体的电阻率均随温度的上升而增大。（）6、直流电位差计法和四点探针法测量电阻率均可以排除接触电阻的影响。（）7、

3、由于严格的对应关系，材料的发射光谱等于其吸取光谱。（）8、 凡是铁电体肯定同时具备压电效应和热释电效应。（）9、 硬度数值的物理意义取决于所采纳的硬度试验方法。（）10、对于高温力学性能，所谓温度高低仅具有相对的意义。（） 三、单项挑选（每题2 分，共 20 分）：1、关于材料热容的影响因素，以下说法中不正确选项（）A热容是一个与温度相关的物理量，因此需要用微分来精确定义。B 试验证明，高温下化合物的热容可由柯普定律描述。C 德拜热容模型已经能够精确描述材料热容随温度的变化。D 材料热容与温度的精确关系一般由试验来确定。2、 关于热膨胀，以下说法中不正确选项（）A 各向同性材料的体膨胀系数是线

4、膨胀系数的三倍。B各向异性材料的体膨胀系数等于三个晶轴方向热膨胀系数的加和。C 热膨胀的微观机理是由于温度上升，点缺陷密度增高引起晶格膨胀。D 由于本质相同，热膨胀与热容随温度变化的趋势相同。3、下面列举的磁性中属于强磁性的是（）A 顺磁性B亚铁磁性C反铁磁性D抗磁性4、关于影响材料铁磁性的因素，以下说法中正确选项（）A 温度上升使得 MS、BR、HC 均降低。B温度上升使得 MS、BR 降低， HC 上升。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 1 页，共 4 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - -

5、- 欢迎下载精品名师归纳总结资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结C 冷塑性变形使得和H C均上升。D冷塑性变形使得和H C 均降低。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结5、下面哪种效应不属于半导体敏锐效应。（）A 磁敏效应B热敏效应C巴克豪森效应D压敏效应6、关于影响材料导电性的因素，以下说法中正确选项（）A 由于晶格振动加剧散射增大，金属和半导体电阻率均随温度上升而上升。B 冷塑性变形对金属电阻率的影响没有肯定规律。C “热塑性变形退火态的电阻率”的电阻率高于“热塑性变形淬火态”D 一般情形下，

6、固溶体的电阻率高于组元的电阻率。7、下面哪种器件利用了压电材料的热释电功能（）A电控光闸B红外探测器C铁电显示器件D晶体振荡器8、下关于铁磁性和铁电性，下面说法中不正确选项（）A 都以存在畴结构为必要条件B都存在矫顽场C 都以存在畴结构为充分条件D都存在居里点9、以下硬度试验方法中不属于静载压入法的是（）A 布氏硬度B肖氏硬度C洛氏硬度D显微硬度10、关于高温蠕变性能，以下说法中不正确选项（） A 蠕变发生的机理与应力水平无关。B粗化晶粒是提高钢长久强度的途径之一。 C 放松稳固性可以评判材料的高温预紧才能。D 蠕变的热激活能与材料的化学成分有关。四、简答题（每题6 分，共 30 分）：1、以

7、杜隆珀替定律为例，简要回答热容模型的推导步骤。2、直接交换作用是如何说明自发磁化现象3、什么是霍耳效应，简要回答其在电学性能中的应用。4、如何懂得反射系数和折射率的关系？5、以 BaTiO3 晶体为例，简要说明热运动引起的自发极化。五、论述题（每题10 分，共 10 分）：铁磁性材料的技术磁化过程分为哪几个阶段，请用简图表示并用文字简洁说明各阶段的含义，指出如何从该图求得自发磁化强度。答案：一、 填空题（每空 1 分，共 30 分）：1、拐点法、切点法2、DTA、DSC、TG3、应力各向异性、外形各向异性、磁晶各向异性4、赛贝克效应、汤姆逊效应、帕尔帖效应、帕尔帖效应5、入射光为强光、对称性要

8、求、位相匹配6、基质、激活离子7、压电、热释电、铁电、电致伸缩、电光2可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结8、ee 、提高2Ee 、降低 E 、较高的可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结9、机件表面有大小不等的结疤、摩擦面上有擦伤或犁皱沟槽10、降低、放松稳固性二、是非题（每题1 分，共 10 分）：1、 2 、 3 、 4 、 5 、 6 、 7 、 8 、 9 、 10 、 三、单项挑选（每题2 分，共 20 分）：1、C2 、C 3 、B4、A5、C6、D 7 、B 8 、C9 、B10、A四、简答题（每题6 分，共 30 分）：可编辑资料 - - - 欢迎下载精

9、品名师归纳总结学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 2 页，共 4 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结1、以杜隆珀替定律为例，简要回答热容模型的推导步骤。推导步骤：（1 ）把每个原子看成谐振子，运算其平均能量（2 ）运算单位摩尔原子的总能量骣.EE（1 分）e（1 分）可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结（3 ）依据热容定义求得以杜隆伯替定律为例：CV=.桫.T（1 分）V可编辑资料

10、 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结（1 ）e=1kT 2鬃32=3 kT（1 分）可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结（2 ）E=3 N A kT=3 RT（1 分）可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结骣抖 E鼢骣3 RT可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结（3 ）CV=珑鼢=3 R（1 分）可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结桫珑抖T鼢桫TVV2、直接交换作用是如何说明自发磁化现象的？说明自发磁化的理论：海森堡直接交换作用（1分）多原子情形下，外层和次外层电子可以交换位置，带给体系附加的交换能

11、可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结Eex =-2As1 .s2-2 AS2 cosf（2分）可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结A：交换能积分常数 s：自旋动量矩矢量。f ：自旋动量矩矢量。 s: 动量矩矢量的模可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结如A0, 当f0, 当f= 1800= 00时Eex最小，即自旋磁矩反平行排列（ 1.5 分）时Eex最小，即自旋磁矩平行排列，产生自发磁化（1.5 分）可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结3、什么是霍耳效应，简要回答其在电学性能中的应用。霍耳效应是指，假如外加磁场方向与导体中电流方向垂直，就在与磁场

12、和电流二者垂直的方向上显现横向电势差VAB， 这一现象称之为霍耳效应。 （ 2 分）霍耳效应可以用来确定：测量载流子类型：由于VAB的正负的正负与载流子的正负有关。 （1 分）可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结测量载流子浓度：依据公式为VAB1IB, b为导体在磁场方向的线度。（1 分）可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结测量迁移率：依据公式为nqbJnqvnqEEkJk（1 分）可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结HHk HE讨论半导体：由于半导体的载流子浓度小于金属电子的浓度且简洁受温度、杂质的影响，所以霍耳系数是讨论半导体的重要方法之一。（1 分）4

13、、如何懂得反射系数和折射率的关系？反射系数：对于任一入射的线偏振光，入射光的电场重量可以分解为平行于入射面的P 重量和垂直于入射面的S 分量。在折射和反射过程中， p 和 s 两个重量的振动是相互独立的。为了说明反射和折射各占多少比例，通过引入反 射系数 R的概念。（ 2 分）定义 RWr /Wi ，W为能流密度，依据波动理论，有：21 W骣A可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结W =rA2w 2v，因此r = .r 。由前述，Wi = W+ W可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结2 Wi.桫 Ai 可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结r 、 A、 w、 v

14、分别为介质密度，振幅，角频率，波速。（1分）W1 轾sin2 i -r tan2 i -r可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结运算结果说明： Rr =犏， i很小时该式简化为：可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结臌Wi2 犏sin2 i + r tan2 i + r 22W骣n- 1骣n -n可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结r = 珑21鼢=21，即介质之间的折射率差别越大，反射越严峻，可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结Wi珑桫n+ 1鼢桫 n + n21215、以 B这aT意iO味3晶着体在为光例学，系简统要中说，明当热折运射动率引增起的

15、大自时发，极反化射。缺失变大。（3分） BaTiO3 立方体晶胞中， Ba 原子位于顶点位置， O原子占据 6 个面心位置， Ti 位于体心位置。氧八面体空腔体积大于钛离子体积，给钛离子位移的余的。 （ 2 分）较高温度时，钛离子热振动能较大，难于在偏离中心的某一个位置上固定下来，接近六个氧离子的几率相等，晶体保持高的对称性，自发极化为零。（ 2 分）较低温度时，钛离子热振动能降低，因热涨落，热振动能特殊低的离子占很大比例，其能量不足以克服氧离子电场作用，有可能偏离平稳位置向某一个氧可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 3

16、 页，共 4 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -离子靠近，偶极矩间的相互作用使偏离平稳位置的离子在新平稳位置上固定下来，并使这一氧离子显现剧烈极化，发生自发极化，使晶体顺着该方向延长，晶胞发生稍微畸变，由立方变为四方晶体。（ 2 分）五、论述题（每题10 分，共 10 分）：铁磁性材料的技术磁化过程分为哪几个阶段，请用简图表示并用文字简洁说明各阶段的含义，指出如何从该图求得自发磁化强度。(1) 可逆壁移阶段：OA部分，磁场削减到零时B沿原曲线减小到零，不显现剩磁。（

17、2分）(2) 不行逆壁移阶段：AB部分， B 随磁场而急剧增加，磁场减小到零将显现剩磁，即显现磁滞效应。巴克豪森的讨论说明，该过程是由畴壁的跳动性不行逆移动引起的。移动的结果是易磁化方向与外磁场夹角大的磁畴消逝。（3分）(3) 磁矩转动阶段：BC部分，畴壁已经消逝，磁体成为一个单畴体，但它的磁化可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结强度方向，也即易磁化方向与外磁场方向不一样，因此随H 外 -发生可逆转动。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可逆的缘由：壁移的结果使得M S已经择优取向。（3分）可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结猎取M S的方法：磁距转动阶段完成后，B只随H外直线变化，将直线变化部格外推到H外0的情形，截距即为M S，依据：BH外M（S 2分）Barkhausen 效应可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 4 页，共 4 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载