拉晶工艺指导书(共29页).doc

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1、精选优质文档-倾情为你奉上拉晶工艺指导书一、有关说明（一）、晶体直径坩埚转动（连续可调） 1 - 30 rpm 液压缸行程加热功率最大 140 kW- 加热电压0 60 Volt- 加热电流最大 2,300 Amp熔化温度最大 1,600 C主炉室真空泵抽速- 滑阀泵(主泵)大约 70 l/s- 旋片泵(副泵)大约 15 l/s冷态空炉子的极限真空度 3 Pa冷态炉子的泄漏率（压升法）最大 0.3 Pa/min允许工作正压不带泵和走道的空间要求总设备高度外围设施- 冷却水消耗量 最小20 m3/min- 冷却水压力绝对压力 最小 1.5 kg/cm2最大 2.0 kg/c 冷却水回水压力- 绝

2、对压力 最大 1.5 kg/cm2- 冷却水进水温度 最小 20 C 最大 25 C冷却水质量- pH值7 - 9- 电阻 104-106 Ohm. cm- 硬度 8 d - Fe+离子 0.1 ppm- Cl-离子 10 ppm备注：冷却水必须过滤，以便过滤脏物和有机悬浮颗粒，否则可能堵塞回路和产生局部沉淀。详细 信息请参阅PW 800 943 NE 或 ND。氩气消耗最大 100 Sl/min- 氩气压力，绝对值最大 2.0 kg/cm2- 氩气纯度99.999电源380 V + 10%,- 频率50 Hz- 容量大约 190 kVA- 保险3 x 500 Amp. 备注：建议用户在厂房的

3、电网配置中为每台设备提供单独的配电柜（盘），配电柜内至少有两个空气开关（断路器），一个用于加热电源与电网的隔离，一个用于控制柜与电网的隔离。（二）、产品质量要求根据客户要求进行生产。如：1、电阻率控制范围：0.56cm。2、无位错缺陷即小于等于100/cm2。3、氧、碳含量要求：O含量1.01018cm-3、C含量5.01016cm-3（三）、产品在生产周转中的标号：1、产品牌号标示参照国家有关标准：CZSiP(B)为直拉法制造的P型单晶硅，掺杂剂为硼，晶向为100（四）、工具序号类别名称用途备注1工具碳素笔生产记录通用记录本生产数据记录企业标准热系统周转车热系统周转工具自制接晶盘小头、提杂周

4、转工具自制接晶筒产品周转工具自制托杆丁字扳手石墨件工具设备配送导六筒挂钩石墨件工具自制埚底料周转盆埚底料周转工具不锈钢盆子毛刷清炉工具通用副室清理长杆清炉工具自制锉子石墨件清理工具通用(金刚锉)沙纸清炉石墨件清理工具通用(粗细)测径仪拉晶工具设备提供商定镊子拉晶工具通用钳子拉晶工具通用(克丝、斜口)扳手拉晶工具开口、活动、内六方装料/周转料车装料用具定制剪子拉晶工具通用耔晶存放盒拉晶用具塑料制品角磨机清炉工具通用金刚石磨片清炉工具通用手枪钻清炉工具通用2劳保汗布手套装炉用纯棉制品布线手套清炉用纯棉制品薄膜手套装料医用塑料防尘服装料医用口罩装料医用帽子装料医用工作鞋拉晶车间专用胶底石棉手套清炉用

5、具耐高温、不掉渣毛巾或棉布清炉用具纯棉肥皂、洗衣粉等清炉用具日化用品3辅材无水乙醇清理用分析纯丙酮清理用分析纯（五）化学试剂说明1、无水乙醇规格用量：用分析纯，广泛用于生产中的各个环节，用量相对较大，可以购置大瓶装。危害程度：（1）急性中毒多发生于口服，严重时可导致呼吸停止；（2）慢性影响:在生产中长期接触高浓度本品可导致轻微头痛、头晕、疲乏、恶心等症状。防护措施：穿戴好工作服、口罩、手套即可，工作常说严禁烟火。2、丙酮规格用量：用分析纯，主要用作出去设备、部件附着的油污，但不能直接用来处理橡胶件，用量相对较小。危害程度：急性中毒主要表现为对中枢神经系统的麻醉作用，长期接触该品会出现眩晕、乏力

6、等症状；具有腐蚀性，皮肤长期接触可导致皮炎。防护措施：穿戴好工作服、口罩、手套即可，避免长期反复接触，工作常说严禁烟火。3、防护通则 坚持个人卫生是防护个人身体健康的一个有效手段，应常洗手；不慎溅入眼睛，及时用清水冲洗，如有不适就医。（六）设备操作按键说明单晶炉生长控制柜说明序号设备名称型号键名说明其它1急停限制设备传动部分动作2复位恢复加热功率加热器过流后必须将EUROTHERM复位后再加功率3过流过流指示灯不可操作4预备/停止控制液压工作站启动/停止旋钮5斜荷释放液压工作站内荷载6埚升启动控制自动埚升电源启动/关闭7埚快升控制埚快速升8埚快降控制埚快速降9副室升控制单晶炉副室升起10炉盖升

7、控制单晶炉炉盖升起同副室互锁，副室到位后有效11炉盖降控制单晶炉炉盖/副室下降12炉筒升控制单晶炉炉筒升起13炉筒降控制单晶炉炉筒降下14电控柜控制晶体生长控制柜启动/关闭15真空计控制真空计启动/关闭16主室泵控制主室泵启动/关闭17副室泵控制副室泵启动/关闭18加热电源控制加热器启动/关闭19计算机控制计算机启动/关闭关闭计算机必须正确退出系统20主加热开启/关闭加热器21晶转启动开启/关闭晶转22埚转启动开启/关闭埚转23加热电压显示当前加热电压24加热电流显示当前加热电流25主室泵电流显示主室泵当前电流26真空计显示当前炉内压力Ar压力二、工艺流程（一）、工艺流程图配 料拆清炉晶 棒引

8、 晶停 炉化 料充氩气 抽真空装 料收 尾缩 径放 肩转 肩等 径品 管库 房煅 烧说明：1、单晶制造部工艺流程为方块标注环形部分，即由配料工序开始，至晶棒终止14个工序构成；2、配料工序的入口为公司库房管理部门；3、晶棒工序的出口为公司品管部。4、在跟工艺流程中，如果拉晶为连续工作时，在停炉到清炉完后,开始从装料重新开始，如在按要求开炉数后或长时间没有开炉时，要从煅烧开始。（二）工序解释1、配料根据销售计划书之客户需求，按照生产计划进行每炉原料的配重和计算，使产品的质量参数达到预期要求；将原、辅料分发至炉前。2、装炉 按热系统设计方案装配系统零部件，同时将多晶硅原材料、掺杂剂放入单晶炉承载原

9、料的容器石英坩埚内。3、抽空 启动真空泵对单晶炉抽真空，在规定时间内达到设备最低真空、压升率要求。4、加热 给单晶炉通入氩气后通电，保持单晶炉设备真空符合拉晶要求，按档调节进行加热化硅。5、化硅 在规定加热功率下熔化硅料，温度在硅的熔点1412以上进行化料，将炉料全部熔化完毕，并使炉内温度趋于稳定。6、接种 待炉内温度稳定到合适引晶的温度时，将籽晶慢慢接触熔硅液面上方，使之预热后籽晶将自动吸附熔硅液面，待光圈稳定后提升拉速，进入下一工艺流程，接种时温度尽可能的高一点。7、引晶 根据炉内的温度，按一定的速度变化范围提升籽晶，按规定长度要求生长规定直径的细径单晶。8、放肩 缩颈长度、细直径单晶符合

10、要求后，降低拉速和控制温度使单晶直径向径向防线逐渐生长，并达到所需大小的尺寸直径要求。9、转肩 在晶体直径生长到规定范围内，提高拉速使晶体向纵向方向生长，达到晶体直径在规定范围内使晶体等径生长。10、等径 放肩符合要求后，计长清零并给定合适的过跟比，待直径趋于稳定后，投入计算机自动生长控制，晶体将在自动条件下生长到规定长度。（长度根据投料量及直径来觉得）11、收尾当埚内炉料剩余到一定程度之后，通过收尾控制使单晶直径缓慢变细，使至排除未错后与液面脱离。12、停炉根据工艺要求逐次降温，同时计算机的参数清零，停埚转，使用氩气冷却保护，待炉内发暗后停止氩气，抽真空，并记录，关闭球阀，记录压升率，给下炉

11、开炉提供数据。13、清炉取出晶体，清理单晶炉设备及热系统工件的表面杂质、附着物及缝隙处的杂质、附着物，经清理后设备应符合投料开炉的要求。14、晶棒 将取出的晶棒及埚底料等送入原料间，进入后道生产工序。三、拉晶过程（一）、配料1、步骤1.1、根据生产计划、排班情况到库房领取主、辅材料，并办理出库手续。1.2、填写领料登记表。1.3、根据生产计划要求进行配料及编号，将原料放入“原料周转筒”内，根据生产合同下达生产指令单。1.4、根据车间生产计划分配炉次、配料、掺杂，填写配料登记表。1.5、使用“周转料车”派发原料、辅料至车间操作者。2、用具分析天平、秤（100Kg）、导电类型测试仪、电阻率测试仪、

12、配料记录本、碳素笔、登记表、一次性薄膜手套、无尘塑料袋、滤纸、原料周转痛、周转车。3、流程图库房领取原料、辅料按生产合同进行工作填写领料登记表格掺杂并分配每炉掺杂重量按计划配发原辅料到工段配料（二）拆清炉1、拆炉步骤1.1、充入氩气，直到小副室门打开，取出晶棒。1.2、检查籽晶是否符合要求。1.3、提升炉盖并清炉内壁包括副室的挥发物并用酒精毛巾擦拭干净。1.4、依次取出大盖和导流筒，石英坩埚、三瓣埚以及托杆待清理。1.5、用吸尘器及毛刷清理加热器及热系统其他各部件上的挥发物等杂质。1.6、用吸尘器及毛刷清理防爆阀门内的杂质，用带酒精的毛巾擦拭密封圈等。2、装炉步骤2.1、清理操作各工位，保持炉

13、台工作区清洁。2.2、将处理过的石墨热系统用“热系统周转车”运至炉台旁。2.3、按顺序安装“炉底碳毡”、“炉底护盘”、“下保温筒”、“排气口护套”、“坩埚护套”、“电极护套”、“石墨电极”、“石墨加热器”、“石墨螺丝”，注意在“石墨电极与炉体电极、加热器与石墨电极以及加热器与石墨螺丝接触面处加一层完整无损的碳铂。2.4、安装“中、上保温筒”。2.5、安装“石墨托杆”，用“托杆丁字扳手”拧紧与炉底连接的石墨螺丝，用力适中。2.6、按顺序安装“石墨埚托”以及“三瓣埚”。2.7、用吸尘器及毛刷由里到外清除安装过程中带入炉体及石墨热系统中的粉尘以及残渣。3、用具塑料薄膜手套、热系统周转车、托杆丁字扳手

14、、吸尘设备、排气口护套挂钩4、流程图清理炉台工位安装炉底碳毡、炉底护盘安装电极、埚杆护套安装下保温筒、排气口护套安装中、上保温筒安装托杆、埚托、三瓣埚安装电极、加热器、螺丝对中 装炉5、注意事项 5.1、必须佩戴一次性薄膜手套后方可基础清洁处理过的炉体内部及石墨热系统。5.2、安装完三瓣埚要试转，看是否运转正常。5.3、安装热系统时要注意热系统的对中，尽量避免因短路而造成的打火、电离，尤其是炉子的2个电极周围不能有任何杂质。5.4、定期要对重锤用沙纸打磨，副室上部也要清洗，检查钢丝绳有无磨损。5.5、安装石墨电极和加热器和石墨螺丝时它们的接头面必须加一层完整无损的碳铂。5.6、取晶体剪籽晶时尽

15、量多留籽晶，以供下炉试温度用。（三）装料1、步骤1.1、准备装炉原料及工具：周转原料筒、掺杂剂、籽晶、石英坩埚、塑料薄膜手套、棉布手套、剪刀、料车。1.2、更换装料工作服（防尘服、手套），并用除尘设备除去身上附着的杂质、灰尘，方可接近待装料的炉台。1.3、打开“石英坩埚”包装，检查坩埚有无裂缝、杂质、黑点、气泡等，并用手指轻弹坩埚壁听声音是否发脆，如有质量问题及时更换。1.4、评估分析原料的整体情况，观察包装有无破损现象，区分原料的大小、破碎程度，如原料不符合要求（无清洗）应及时更换。1.5、用“剪刀”逐一剪开原料包装袋，将已开封的原料放在炉前“装料台”上，待装料人员装完台上的原料后，再准备开

16、封下一包原料。1.6、装料人员在基础经过清洁处理后的炉壁、热系统及原材料前，必须先戴“汗布手套”，再戴“塑料薄膜手套”，当“塑料薄膜手套”受到污染或者破损时应及时更换。1.7、“石英坩埚”内壁如有附着的石英残渣等杂质，需用将其清理完毕后再将其放入“三瓣埚”内。1.8、按下大上小的方法将原料装入坩埚内，最后成“馒头”状，一些碎料可以穿插放在大料的缝隙处，不得直接将原料扔入锅内。1.9、降埚位至下限位（即化料埚位），用“除尘设备”依次出去掉落在炉内的原料残渣。1.10、清理“保温盖，导流筒”，按顺序安装。1.11、安装“籽晶”。2、用具 周转原料筒、掺杂剂、籽晶、石英坩埚、塑料薄膜手套、汗布手套、

17、剪刀、装料台、防尘服、除尘设备、擦炉纸。3、流程图准备用具安装石英坩埚穿装料服评估原料开封、准备装料专人装料降埚位到化料埚位除尘、装保温盖、导流筒装料4、注意事项4.1、佩戴一次性手套后，不允许接触原料以外的东西，否则更换手套。4.2、装完料后，料与导流筒下沿保持一定距离。4.2、装完料后，安装好导流筒后不能给埚转。4.3、装料时,不要用力碰到石英埚,不要接触周边的物品,装料就近摆放,不要使料与料、料与埚发出撞击声。4.4、大块料只能放在中下部，严禁放在顶部。4.5、装完料后，放导流筒时不要转动以防碳粉掉入埚中，影响成品。4.6、要把石英坩埚的编号记录在拉晶记录本上。4.7、一定看好最底埚位、

18、平口埚位、最高埚位，并做好记录。（四）合炉、抽真空1、步骤1.1、启动液压电源，使液压系统预工作不少于1分钟。1.2、旋合单晶炉炉筒，同时用沾有无水乙醇的毛巾清理接口处的结合面及橡胶密封垫，降炉筒到位。1.3、旋合单晶炉炉盖，同时用沾有无水乙醇的毛巾清理接口处的结合面及橡胶密封垫，降炉盖到位。1.4、旋合单晶炉室合炉，同时用沾有无水乙醇的毛巾清理接口处的结合面及橡胶密封垫，降副室到位。1.5、用纯棉毛巾慢慢接触副室内重锤上“籽晶”，使之稳定。1.6、将翻板阀处于开启状态，将副室门置于关闭状态。1.7、停止液压系统电源按钮。1.8、对炉室进行抽真空，当真空泵处于稳定工作后，开启真空球阀；分两次缓

19、慢开真空泵阀门，第一次略微旋开阀门约2分钟后将主阀门全部旋开，在30分钟内炉子真空度将达到设备规定要求。2用具纯棉毛巾、无水乙醇3、流程图启动液压合炉盖合炉筒合副室稳定重锤检查挡板阀以及观察窗口停止液压抽真空合炉、抽真空5、注意事项5.1、合炉筒时不要撞到加热器。5.2、当真空抽不下去时，可以开启氩气阀门向炉内通入氩气，保持10分钟后关闭氩气，继续抽真空，保持三次操作，当真空达到规定要求，进行加热。5.3、抽真空时间在正常状况下应保持在30分钟以上。5.4、炉内真空度在连续抽空30分钟应达到6.0Pa以下。5.5、若在充氩气三次后，真空还是抽不下去，要与维修联系检修真空。5.6、若观察窗如果不

20、清楚，必须清理。5.7、一切就绪后，要清理炉体和炉子周围的卫生。（五）化料1、加热1.1、步骤1.1.1、通入“氩气”并保持炉内压力在13001500Pa进行加热。1.1.2、开启“加热电源”，调节欧陆仪/功率部分分四次调节，一小时内加至高温，化料功率根据工艺要求而定。1.1.3、观察炉子窗口内硅熔化情况，炉内的硅颜色变化为暗红色到红色，最终呈现白色刺眼光芒时，此时系统加热功率达到化料的温度。1.1.4、注意观察炉内化料情况，当出现塌料现象后，逐渐上升埚位，导流筒不能接触到硅料。1.1.7、进行生产记录登记。1.2、用具碳素笔、生产记录本1.3、流程图通氩气分次升欧陆到化料功率启动加热电源观察

21、化料情况塌料后升埚位加热1.4、注意事项1.4.1、在料没完全塌下去时不能给埚转。1.4.2、在料快要化完之前要提前降温。1.4.3、在料快要化完之前尽量提杂一次。1.4.4、化料时料一定不要沾住导流筒的下沿，否则影响正常拉晶。2、稳定温度2.1、步骤2.1.1、待硅料全部化完后，即最后一块硅晶体刚熔化后，开启“埚转”为2rpm/min。2.1.2、降功率使之达到引晶功率，同时升埚位至合适引晶埚位。2.1.3、欧陆显示降至合适的引晶功率时，将欧陆/功率部分调至“自动/闭环”。2.2、用具碳素笔、生产记录本2.3、流程图观察炉内化料情况将功率，升埚位料化完后稳定温度保持引晶温度30分打欧陆仪闭环

22、稳定温度2.4、注意事项2.4.1、升埚位时应密切观察炉内埚升情况，并留意埚位标尺，操作者升埚位并观察炉内情况，读埚位标尺数值配合工作。2.4.2、根据原料状况不同，在高温有时需要保持化料功率15分钟左右，挥发杂质。2.4.3、在清炉没动保温筒（中）的情况下，引晶的合适功率欧陆显示值可参考上炉的值。（六）引晶及缩颈1、下种（润晶）1.1、步骤1.1.1、启动“晶转”电源，转到籽晶轴，根据工艺要求给定晶转速度。1.1.2、启动“晶降”按钮，将籽晶下降到离液面35mm处10分钟，进行预热。1.1.3、当“籽晶”温度接近熔硅温度，降“籽晶”与熔硅液面约1mm停止。1.1.4、籽晶在接近液面的适当位置

23、处，液面熔硅将自动吸附到籽晶端面处。1.1.5、将“晶升”至于关闭状态。1.1.6、观察光圈变化在稳定不变的状态下，并且符合晶向要求（即光圈包圆）。1.2、用具碳素笔、生产记录1.3、流程图启动晶转调速烘籽晶启动晶降降籽晶吸附熔硅停晶升/降稳定成晶液面下种1.4、注意事项1.4.1、操作者必须在炉前密切观察成晶液面状况，并且确定合适的功率。1.4.2、操作者应保证籽晶与熔体接触充分，合适的引晶温度特征为：籽晶和熔硅接触后，籽晶周围逐渐出现光圈，最后光圈变圆。1.4.3、若籽晶端面是正方形，籽晶和熔硅接触的晶线变成针状，光圈圆弧内切晶线；若为圆籽晶，具有晶线且光圈始终稳定不变。1.4.4、润晶时

24、要求炉内的温度尽可能的高。1.4.5、要保证此时是晶向。2、引晶2.1 步骤2.1.1 待光圈适合后给以埚转。根据工艺要求给定埚转速度。2.1.2 启动“晶慢升”电源，进行上拉引晶操作。2.1.3 按阶梯分段进行速度调整，此时，晶升速度不宜5.0mm/min，直径约35mm，长度约100150mm。2.2 用具碳素笔、生产记录2.3 流程图梯级提升晶速调埚速调晶速归零启动晶升/降电源引晶2.4 说明2.4.1 梯级调整必须观察炉内细径情况，不能使细径小于3mm；2.4.2 在此阶段易出现细径拉断现象，否则重复下种工作；2.4.3 引出的细径符合晶向要求，（即在固液交接面的圆晶出现四个点晶向）；

25、3、缩颈3.1 引晶结束后，开始进行缩颈；当用方籽晶引晶后，调整温度，之后快速缩径操作。3.1.2 观察光圈变化情况，当光圈周围出现针状现象时，立即提升拉速；当光圈转圆且向内回收时，立即降低拉速；拉速范围控制在1.05.0mm内(建议值)3.1.3 通过缩颈，控制缩颈直径在46mm左右，长度在规定范围之内；并且注意到温度合适之后，即拉速趋于平稳状态时，完成缩颈操作。3.2 用具碳素笔、生产记录缓慢控制拉速，拉出葫芦状单晶符合规定直径、长度后，降拉速光圈出现棱线升速，变圆降速快速控制拉速，进行缩径3.3 流程图缩颈3.4、注意事项3.4.1、缩径过程中，操作者应可以看到4条对称的晶线。（七）放肩

26、和转肩1、放肩1.1 步骤1.1.1 逐渐降拉速到0.300.40mm/min，进行放肩；1.1.2观察晶体的生长情况，光圈开始逐渐出现晶线开口变大现象，当晶体光圈转圆时应适当降温，晶体晶线变化为：开口开口增大开口不变开口闭合（转肩后）；此时，为合适的晶体生长温度，不再降低温度；使细颈逐渐长大到规定的直径，需要通过测径仪测量晶体直径生长情况。1.1.3 当炉内温度过低时，光圈晶线处将变方，此时适当提高拉速，同时停止降温操作；1.1.4 当晶体直径生长接近预定直径内时，应使用“测径仪”测量实际直径，防止直径过大；1.2 用具测量仪、碳素笔、生产记录1.3 流程图降拉速为放肩速率晶线开口不变晶线开

27、口变大晶线开口放肩1.4、注意事项1.4.1、放肩时降温不要浮动太大。1.4.2、要随时观察放大的情况，防止直径过大。2、转肩2.1 步骤2.1.1 在晶体直径生长变大时，用“测径仪”来测量晶体直径状况；2.1.2 当晶体直径接近规定要求时应提前进行转肩，根据生长情况和快慢逐渐提升拉速，并控制晶体直径生长到规定范围内；2.1.3 观察光圈变化，晶体放大得到抑制，逐渐出现光圈，光圈明显增大呈现稳定趋势，光圈开口闭合，即出现降速信息后立即降低拉速到指定投入拉速范围内；2.1.4 压光圈在“依尔根”内圈三分之一和三分之二之间，稳定后此刻为等径信号；2.2 用具测量仪、碳素笔、生产记录2.3 流程图直

28、径达到规定，梯级提升拉速观察光圈，放大得到抑制对依尔根压光圈立即降速到投入拉速光圈现现，并呈现稳定趋势转肩2.4 注意事项2.4.1、初投拉速要符合工艺要求。2.4.2、给定合适的埚升比随动。2.4.3、转肩时拉速不宜提得过快。2.4.4、将测径仪放在观察窗上一定要放平，固定测径仪的螺栓要用力固定，不要使测径仪的架子松动。2.4.5、测径仪测出的直径与实际直径会有一定的误差，且不稳定，故我们要经常对其做出比较，做到心中有数。（八）等径和收尾1、等径1.1 步骤1.1.1 转肩结束后，将晶位“计长”清零，开启“埚跟比”，先投“温度自动控制”；1.1.2 待“直径信号”稳定后，投“直径控制”按钮；

29、1.1.3 待“直径信号”不大时，即接近零时，按生产记录要求做好生产记录，按每半小时分别记录：“项目、时间、电压、电流、功率、晶位、埚位、晶升速度、埚升速度、欧陆值、欧陆输出、温校速率、温校输出、晶体直径、测量直径、真空度。1.2用具测量仪、碳素笔、生产记录1.3 流程图启动埚升启动直径自控启动温度自控计长清零启动埚跟比等径1.4说明1.4.1、埚跟比18英寸坩埚6英寸单晶为0.115mm/ min1.4.2、6直径要控制在154-156mm2、收尾2.1 步骤2.1.1 待等径过程完成后，即可进入“收尾控制”；2.1.2 将“埚跟比”适当调小，计长清零，开启“收尾控制”；2.1.3 观察光圈

30、的变化来提升“温校速率”提升炉内功率，当功率上升缓慢时可以直接提高欧陆数值改变功率.2.1.4 收尾结束后，降低“埚位”，熔体离单晶约2030mm，停止“晶升”电源，逐步停止“晶转”速度到零，停止“晶转”电源和埚转电源。2.2 用具碳素笔、生产记录2.3 流程图启动收尾控制温校、拉速综合控制降低埚位距晶体约20mm计长清零减小埚跟比收尾2.5 注意事项2.5.1、收尾直径越细（尾长一般约120150mm）是为了排除位错，提高成品合格率。2.5.2、杜绝收断尾，收尾不好会产生位错，严重影响成品率。（九）停炉1、步骤1.1、停止“晶升”电源，停止“晶转”电源，转速按梯级数字逐步降为零，停止“埚转”

31、电源。同时降温停炉。1.2、保留“计算机”电源、“真空”电源、“主泵”电源，继续通入“氩气”，晶体冷却在6小时（即“热系统”件不发红即可开炉）。 1.3、关闭“真空阀门”，再关“真空泵”按钮，关闭“真空泵”，记录单晶炉的“热后真空值”及“压升率”是否符合规定要求；2、用具碳素笔、生产记录3、流程图停晶升、晶转（梯级降速）、埚转电源保留主泵、微机、真空电源氩气不停测定热后真空、压升率按规定时间关闭球阀、主泵，停氩气停炉4、注意事项4.1、热后真空须是极限真空值，一般保持停Ar后真空泵运转不少于30分钟；4.2、压升率为关闭球阀后，炉内真空度的保持情况，正常为1Pa/3min；4.3、当热后真空值

32、及压升率符合设备规定要求，可以连续开炉。4.4、停加热时要分次降温。（十）清炉1、取出晶体1.1、步骤1.1.1、启动“晶升”将晶体提升到副室内。1.1.2、开启单晶炉“氩气进气总阀门”，打开单晶炉“副室炉门”处的“紧固螺栓”，观察“副室压力表”，冲气使炉内压力恢复为“零”，此时单晶炉翻板阀观察窗将自动顶开，关闭单晶炉“氩气进气总阀门”，将晶体升至副室炉筒。1.1.3、启动“液压”系统按钮，启动“卸荷”开关，启动“副炉室”开关，升副炉室到位，旋开副炉室；1.1.4、启动“晶降”开关，将晶体降到“接晶筒”内，用“斜口钳”从晶体细颈最细位置处剪断晶体，将晶体放到晶体存放区域，专人交品管部门。1.1

33、.5、从“籽晶重锤”处，抽出“钼卡”，取下籽晶并放置在“籽晶存放盒内”，将“钼卡”放回卡头；1.1.6、取出石英坩埚及剩余的埚底料，放置在埚底料存放箱内，填写“晶体随同单”1.2、用具接晶筒、籽晶存放盒、埚底料存放盒、斜口钳、开口板手、记号笔、碳素笔、生产记录、晶体随单开生长控制柜液压开关1.3、流程图开卸荷开关压力表回零打开副室门螺栓开Ar进炉总阀开副室开关升副到位接晶框接晶，钳断细径开引晶器晶降开关降晶取出石英坩埚、埚底料、炉号合接晶盘，旋开副室2、拆炉2.1、步骤2.1.1、启动“炉盖”开关，升炉盖到位，旋开炉盖。2.1.2、取出热系统“保温盖”，放置在“热系统周转车”内。2.1.3、用

34、导流筒钩子取出热系统“导流筒”，放置在“热系统周转车”内。2.1.4、取出热系统“三瓣埚”，放置在热系统周转车内。2.1.5、取出热系统“埚托”，放置在石墨系统装载小车内。2.1.6、将托杆丁字板手放入“托杆”内，旋开托杆取出，放置在热系统周转车内。2.1.7、用“排气口护套挂钩”取出排气口护套，放置在热系统周转车内；2.1.8、依次取出热系统“保温筒”各断，放置在热系统周转车内。2.1.9、卸下加热器，将其上面朝下放在热系统周转车内；同时将石墨护套，炉底石墨碳毡及石墨垫片放入热系统周转车内。2.1.10、将热系统周转车推到指定区域内进行清理。2.2、用具2.2.1、工具：热系统周转车、托杆丁

35、字板手、排气口护套挂钩、导流筒挂钩、石棉手套、棉线手套2.2.2、化学品：乙醇规定属地清理取出保温筒取出排气口护套取出托杆取出埚托取出三瓣埚取出导流筒取出保温盖上、下打开炉盘取出加热器取出护盘压片取出炉底护盘2.3、流程图常规清炉 彻底清炉2.4、说明2.4.1、常规清炉：在正常生产的情况下，可以只拆出“保温盖”、导流筒、三瓣埚、埚托、排气口护套进行清理。2.4.2、石棉手套用于石墨零部件温度较高的场合。2.4.3、取石墨零部件时要轻拿轻放，从炉子内取出应先抬高后取出。2.4.4、卸加热器等石墨螺丝应用力均匀的进行拆卸，严禁用力过猛操作。3、清炉3.1、步骤3.1.1、用清洁的纯棉毛巾的长杆，

36、按照由上到下的方向旋转多次清理副室内壁；3.1.2、用纯棉毛巾清理翻板阀内壁、翻板阀、观察窗内壁；3.1.3、用纯棉毛巾按由中心到边缘的方向清理炉盖内壁；3.1.4、用纯棉毛巾清理各法兰接口、橡胶密封圈；3.1.5、用纯棉毛巾清理炉筒内壁；3.1.6、用毛刷刷净石墨热系统各部件缝隙、表面处的附着物，并用“除尘设备”吸尽表面处余尘；3.1.7、将处理过的热系统部件，放在经过洁净处理的热系统周转车内；3.1.8、用除尘设备吸尽炉内表面处的余尘；3.2、用具毛刷、吸尘设备、擦炉纸、副室清理长杆、金刚挫、粗砂纸、纯棉毛巾、无水乙醇、热系统周转车、线手套、绞磨机（金刚砂轮）3.3、流程图除 尘法兰接口橡

37、胶密封圈炉盖内壁翻板阀、炉门副室炉筒内壁清理炉子除尘擦试毛刷清理清理热系统 3.4、可能存在的问题处理方法3.4.1、在化料过程中存在硅渣飞溅到石墨热系统表面，用金刚挫去除石墨热系统表面的确硅渣，之后先用粗砂纸处理表面，使得表面光洁，同时需要吸尘设备的配合将碎渣吸走；3.4.2、用绞磨机（金刚砂轮）磨去沾埚严重的石墨件；3.4.3、对于钢丝绳软轴在使用前，应用无水乙醇浸润去除油污后使用；并且在使用中出现开裂、毛刺、松散等异常现象时，及时进行剪断等处理。3.4.4、清理部件时，应用毛巾始终一个方向旋转擦拭。3.4.5、对于热系统在热状态下清理将会得到良好的效果。3.4.6、由于处于原料上方的导流

38、罩、保温盖，清理完毕后在其下方提前垫放擦纸。3.4.7、乙醇、丙酮的使用限定于部件上的油污、手印等有机杂质，一般情况下使用要适当。3.4.8、无水乙醇的使用在清炉过程中防止乱用。3.4.9、清理石墨托杆时，必需要清理上面的吸硅。3.5、 清炉时重要的几个地方3.5.1、炉子的两个抽气口，抽空管道的清理。（须每炉清理）3.5.2、真空泵的电磁阀、弯头的清理。（须每炉清理）（十一）下一生产偱环四、按段提出的单晶、杂质处理（一）晶体的拉断1、晶体降温1.1、在晶体等径长度在工艺要求范围内拉断，记住埚位，退出计算机自控，关闭埚跟踪；1.2、启动“埚降”电源，降“石英坩埚”内硅液面与单晶约2030mm位

39、置处，停“埚降”；1.3、晶转、埚转可适当降低转数；1.4、改变拉速从1.0mm/min起逐步提高拉速，使单晶逐渐进入副室，副室的氩气供气不中断；1.5、在冷却4小时的过程晶体升至副室后，打开“主室氩气阀门”，关闭翻板阀，副室继续充气，使副室压力表充至正压，手动打开副室门准备取出晶体，同时保持主室炉内真空在1.3103Pa左右；1.6、说明：当将“温校输出”值清零时，须先将欧陆置于手动模式。在往提的过程中不能让埚内结晶。2、下段晶体拉制的准备工作2.1、观察副室窗口晶体，当晶体不发红时，开启副室，准备取出已成段的晶体；2.2、关闭副室翻板阀，启动液压站长升起副室，钳断晶体细径部分，取出晶体；2

40、.3、对钳断的籽晶进行洁净处理，用纯棉毛巾擦干净副室合炉接缝处，合副室；2.4、开启副室泵对副室进行抽空，观察副室压力表，当指针到0.1Pa，关闭副室泵阀门；2.5、开启副室氩气阀门，对副室进行氩气充气，直至副室表压到0处，关闭氩气阀门，观察副室表压继续到0.1Pa后，关闭副室泵阀门，且保持此过程连续操作3次以上；2.6、在副室表压到0.1Pa后，保持副室泵一直启动，开启翻板阀门，开启副室氩气阀门，关闭主室氩气阀门，关闭副室阀门，关闭主室氩气阀门，保持炉内真空在1.3103Pa左右；2.7、重新进入晶体的引晶工序2.8、炉台前工作人员观察液面，应适当加高加热功率，不能让炉内结晶，注意在此操作过

41、程始终要保持主室炉内真空在1.3103Pa左右；3、流程图退出自控记住埚位，关闭埚跟踪调整拉速1mm/min副室氩气不停降埚离液面2030mm发现晶体鼓断降温4小时晶体到达副室打开主室氩气阀门，保持炉压1300Pa打开主室氩气阀门，关闭翻板阀副室继续充氩气启动液压升起副室取晶压力表回零副室门打开启动液压站升起副室，旋出取晶对籽晶清洁处理关闭副室开启翻板阀开启副室氩气阀关闭副室泵开启副室泵对副室进行三次气体置换关闭主室氩气阀门找回埚位继续引晶工序（二）晶体的回熔、提杂1.1 提杂过程1.1.1 退出自控，启动埚降约2030mm。1.1.2 提杂：控制欧陆仪为手到，升高温度，启动晶降电源，降已断的

42、晶体到熔液中，并且不能一次将晶体全部沉入熔体中，通过晶升/晶降控制晶体点升肩部涮出液体中的杂质，提杂时的形状最好锥形要点升。1.1.3 时刻观察炉内液面的情况：液面表面一般有亮的漂浮物游走，并且能与未融化的晶体底部接触，此时提起晶体可将熔体中的杂质提出；1.2 回熔1.2.1 控制欧陆仪升高温度，启动晶降电源，降已断晶体到熔液中；并且不能一次将晶体全部沉入熔体中，通过晶升/晶降控制晶体的逐步融化；五、煅烧在新炉子安装调试完毕之后，或是在新热系统更换完毕之后，须通过高温煅烧的方式来去除炉内、热系统、保温材料内在的杂质、油污、挥发物等。煅烧的时间不少于10小时，次数不少于3次（也可根据情况而定）。一、加晶体生长控制柜功率，调节欧陆仪程序1、30分钟 025kw2、3