生物制药工艺学课件7学习教案.pptx

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1、会计学1生物制药工艺学课件生物制药工艺学课件7第一页，共49页。第1页/共49页第二页，共49页。第2页/共49页第三页，共49页。第3页/共49页第四页，共49页。第4页/共49页第五页，共49页。第5页/共49页第六页，共49页。第6页/共49页第七页，共49页。第7页/共49页第八页，共49页。第8页/共49页第九页，共49页。)11(2ln1212rrRTMccC2-小晶体的溶解度； C1-普通晶体的溶解度-晶体与溶液间的表面张力；-晶体密度2-小晶体的半径； 1-普通晶体半径 R-气体常数(chngsh)； T-绝对温度第9页/共49页第十页，共49页。第10页/共49页第十一页，共

2、49页。第11页/共49页第十二页，共49页。第12页/共49页第十三页，共49页。第13页/共49页第十四页，共49页。第14页/共49页第十五页，共49页。第15页/共49页第十六页，共49页。n因此，工业生产中通常采用加入晶种，并将溶质浓度控制在养晶区，以利于大而整齐的晶体形成。第16页/共49页第十七页，共49页。第17页/共49页第十八页，共49页。第18页/共49页第十九页，共49页。第19页/共49页第二十页，共49页。第20页/共49页第二十一页，共49页。第21页/共49页第二十二页，共49页。第22页/共49页第二十三页，共49页。第23页/共49页第二十四页，共49页。n

3、n通常Gs0，阻碍晶核形成；Gv0第24页/共49页第二十五页，共49页。Gv形成单位(dnwi)体积晶体的吉布斯自由能变化第25页/共49页第二十六页，共49页。第26页/共49页第二十七页，共49页。sGG31max临界成核功仅相当于形成临界半径晶核时表面吉布斯自由(zyu)能的1/3，亦即形成晶核时增加的G s中有2/3为G v的降低所抵消第27页/共49页第二十八页，共49页。第28页/共49页第二十九页，共49页。RTGkeB/maxB成核速度Gmax成核时临界(ln ji)吉布斯自由能K常数nncckB)(Kn晶核形成速度常数c溶液(rngy)中溶质的浓度C*饱和溶液(rngy)中

4、溶质的浓度n成核过程中的动力学指数第29页/共49页第三十页，共49页。第30页/共49页第三十一页，共49页。第31页/共49页第三十二页，共49页。)/(33pspsLLWW Ws，Wp晶种和产品(chnpn)的质量，kgLs，Lp晶种和产品(chnpn)的尺寸，mm第32页/共49页第三十三页，共49页。放出结晶热；n（3）结晶热传递回到溶液中；在过饱和溶液(bo h rn y)中已有晶核形成或加入晶种后，以过饱和度为推动力，晶核或晶种将长大，这种现象称为晶体生长。第33页/共49页第三十四页，共49页。第34页/共49页第三十五页，共49页。)(idccAkdtdm)(*ccAkdtd

5、mir扩散(kusn)过程表面反应过程(guchng)dtdm 质量传递速度Kd扩散传质系数Kr表面反应速度常数C，Ci，C*分别为溶液主体浓度、溶液界面浓度、溶液饱和浓度第35页/共49页第三十六页，共49页。*)(ccKAdtdmrdkkK111其中(qzhng)第36页/共49页第三十七页，共49页。第37页/共49页第三十八页，共49页。第38页/共49页第三十九页，共49页。度的提高，增加结晶速度；第39页/共49页第四十页，共49页。ipEE /分离因素Ep结晶(jijng)因素，晶体中P的量与其在滤液中的量的比值Ei结晶(jijng)因素，晶体中杂质的量与其在滤液中的量的比值第4

6、0页/共49页第四十一页，共49页。dldNlNnl0limN单位体积中含有尺寸从0l的各种大小晶体(jngt)的数目；第41页/共49页第四十二页，共49页。)exp(0VGQlnnrn晶群密度no l趋近于0时的晶群密度Q晶浆流出速率V结晶器有效(yuxio)装液容积第42页/共49页第四十三页，共49页。QVGlrD/3Q晶浆流出速率V结晶器有效(yuxio)装液容积Gr晶体生长速度第43页/共49页第四十四页，共49页。第44页/共49页第四十五页，共49页。的毛细管结构，水分在晶体内扩散，导致部分晶体的溶解和移动，为晶粒间晶桥的形成提供饱和溶液，导致晶体结块。第45页/共49页第四十六页，共49页。第46页/共49页第四十七页，共49页。第47页/共49页第四十八页，共49页。第48页/共49页第四十九页，共49页。