《电工技术》试题及答案--整流滤波电路07749.doc
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1、【精品文档】如有侵权,请联系网站删除,仅供学习与交流第一章第二章 电工技术试题及答案-整流滤波电路07749.精品文档.第三章 整流滤波电路1、磁通是标量,( C )A、既有大小,又有方向 B、没有大小,也没有方向 C、只有大小,没有方向 D、只有方向,没有大小2、电容量的单位是( D )。A、欧姆() B、安培(A) C、伏特(V) D、法拉(F),3、如果线圈中原来的磁通量要增加,则感应电流产生的磁通方向与线圈中原磁通方向( A )。A、相反 B、一致 C、无关 D、无法确定4、由公式e=BLvsin可知,当导体的运动方向与磁感应线垂直时,感应电动势( A )。A、最大 B、最小 C、为零
2、 D、无法确定5、如果交流电和直流电分别通过同一电阻,两者在相同时间内消耗的电能相等,即产生的热量相等时,则此直流电的数值叫做交流电的( D )。A、瞬时值 B、最大值 C、最小值 D、有效值6、如下图是( )电路波形图。A、单相半波整流 B、单相全波整流 C、单相桥式整流 D、三相桥式整流7、在纯电感电路中,线圈电感L越大,交流电频率越高,则对交流电流的阻碍作用( A )。A、越大 B、越小 C、不变 D、无法确定8、一般用( B )来制造永久磁铁。A、软磁材料 B、硬磁材料 C、矩磁材料 D、永磁材料9、“ ”是( )的符号。A、电阻 B、电容 C、二极管 D、三极管10、单向晶闸管有(
3、C )个电极A、1 B、2 C、3 D、4二、判断题。(每小题2分,共40分。)1、某媒介质与真空磁导率的比值,叫绝对磁导率。( 错 )2、把直导线绕成螺线管线圈,并通入电流,通电线圈就会产生类似条形磁铁的磁场。( 对 )3、二极管具有单向导通性。( 对 )4、晶闸管的特点是强电控制弱电。( 对 )5、串联电阻中流过每个电阻的电流都相等。( 对 )6、通电直导体在磁场中所受作用力的方向,可用左手定则判定。( 对 )7、二极管具有放大作用。( 错 )8、作切割磁感应线运动的导体,其产生感应电动势的方向可由右手定则来确定。( 对 )9、汽车上普遍采用“单线制”。 ( 对 )10、汽车上采用的是交流
4、电路。( 错 )11、感应电流产生的磁通总是企图阻碍原磁通的存在。( 错 )12、通电线圈的磁场方向与线圈中的电流方向无关。( 错 )13、变压器空载时,一、二次绕组端电压之比等于变压器匝数之比。( 对 )14、自感电动势的大小与线圈的电感及线圈中外电流的变化快慢成反比。( 对 )15、如果线圈中原来的磁通量不变,则感应电流为不变。( 错 )16、晶闸管导通后,去掉门极电压或加负的门极电压,晶闸管立即关断。( 错 )17、锗二极管的导通电压比硅二极管大。( 对 )18、汽车硅整流发电机用硅整流二极管分正二极管和负二极管两种。( 错 )19、半导体材料可分为P型半导体和N型半导体两种。( 对 )
5、20、单相全波整流电路的整流效率比单相半波整流电路低。( 错 )三、填空题。(每空2分,共20分。)1、三极管的工作状态有三种:饱和状态、 放大状态 和 截止状态 。2、磁感应强度B是表示磁场中某点的 磁场的强弱 的物理量。3、三相发电机的三个绕组的联结方式分为 星形接法 和 三角形接法 。4、电路通常有 通路 、断路 、短路和接触不良4种状态。5、单向晶闸管有3个电极: 阴极 、阳极 和 控制极 。外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN
6、结内电场被克服,二极管导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流,由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。1947年12月23日,美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里,3位科学家巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流,竟然可以控制另
7、一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应。这个器件,就是在科技史上具有划时代意义的成果晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的,而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响,所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。另外这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。 晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构,集成电路以及大规模集成电路应运而生,这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。编辑本段结构简介三极管的基本结构是两个反向连结的PN接面,如图1所
8、示,可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极(emitter,E)、基极(base,B)和集电极(collector,C),名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号,发射极特别被标出,箭号所指的极为n型半导体, 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时,两个pn接面都会形成耗尽区,将中性的p型区和n型区隔开。 三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关,工作区间也依偏压方式来分类,这里 我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active),在此区EB极间的pn接 面维持在正向偏压,而BC极间的pn接面则在反向偏压,通常用作
9、放大器的三极管 都以此方式偏压。图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄,载体看到的位障变小,射极的空穴会注入到基极,基极的电子也会注入到射极;而BC接面的耗尽区则会变宽,载体看到的位障变大, 故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压,和偏压在正向活性区两种情形下,空穴和电子的电位能的分布图。三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢?其间最大的不同部分就在 于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例, 射极的空穴注入基极的n型中性区,马上被多数载体电子包围遮蔽,然后朝集电极 方向扩散,同时也被电子复合。当没有被复合的
10、空穴到达BC接面的耗尽区时,会被此区内的电场加速扫入集电极,空穴在集电极中为多数载体,很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点,形成集电极电流IC。IC的大小和BC间反向偏压的大小 关系不大。基极外部仅需提供与注入空穴复合部分的电子流IBrec,与由基极注入 射极的电子流InBE(这部分是三极管作用不需要的部分)。InB E在射极与与电 洞复合,即InB E=IErec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地 在图3(a)中看出。 3(a)射极注入基极的空穴流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制,和二极体的情形类似,在启动电压附近,微小的偏压变化,即可造成很大的注入电流变化。更精确
11、的说,三极管是利用VEB(或VBE)的变化来控制IC,而且提供之IB远比IC小。npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的,只是偏压方向,电流方 向均相反,电子和空穴的角色互易。pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极,入射到集电极的空穴,而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子。三极管在数字电路中的用途其实就是开关,利用电信号使三极管在正向活性区(或饱和区)与截止区间切换,就开关而言,对应开与关的状态,就数字电路而言则代表0与1(或1与0)两个二进位数字。若三极管一直维持偏压在正向活性区,在射极与基极间微小的电信号(可以是电压或电流)变化,会造成射极与集电极间电流相
12、对上很大的变化,故可用作信号放大器。编辑本段工作原理晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原一、 填空题1、(1-1,低)把P型半导体N型半导体结合在一起,就形成 。 2、(1-1,低)半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压 ,外加反偏电压 。3、(1-1,低)利用二极管的,可将交流电变成。4、(1-1,低)根据二极管的性,可使用万用表
13、的R1K挡测出其正负极,一般其正反向的电阻阻值相差越越好。5、(1-1,低)锗二极管工作在导通区时正向压降大约是,死区电压是。6、(1-1,低)硅二极管的工作电压为,锗二极管的工作电压为。7、(1-1,中)整流二极管的正向电阻越,反向电阻越,表明二极管的单向导电性能越好。8、(1-1,低)杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。9、(1-1,低)半导体二极管的主要参数有 、 ,此外还有 、 、 等参数,选用二极管的时候也应注意。10、(1-1,中)当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为 现象 。11、(1-1,中)发光二极管是把 能转变为 能,它工作于 状态
14、;光电二极管是把 能转变为 能,它工作于 状态。12、(1-2,中)整流是把 转变为 。滤波是将 转变为 。电容滤波器适用于 的场合,电感滤波器适用于 的场合。13、(1-1,中)设整流电路输入交流电压有效值为U2,则单相半波整流滤波电路的输出直流电压UL(AV)= ,单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压UL(AV)= ,单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压UL(AV)= 。14、(1-1,中)除了用于作普通整流的二极管以外,请再列举出2种用于其他功能的二极管: , 。15、 (1-1,低)常用的整流电路有 和 。 16、(1-2,中)为消除整流后直流电中的脉动成分,常将其通过滤波电路,常见的
15、滤波电路有 , ,复合滤波电路。17、(1-2,难)电容滤波器的输出电压的脉动与 有关,愈大,输出电压脉动愈 ,输出直流电压也就愈 。18、(1-2,中)桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比,由于电容充放电过程 (a.延长,b.缩短),因此输出电压更为 (a.平滑,b.多毛刺),输出的直流电压幅度也更 (a.高,b.低)。二、 选择题1、(1-1,低)具有热敏特性的半导体材料受热后,半导体的导电性能将 。A、变好 B、变差 C、不变 D、无法确定2、(1-1,中)P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的 。A、硅元素 B、硼元素 C、磷元素 D、锂元素3、(1-1,中)N型半导体是指在
16、本征半导体中掺入微量的 。A、硅元素 B、硼元素 C、磷元素 D、锂元素4、(1-1,难)PN结加正向电压时,空间电荷区将 。A、 变窄 B、 基本不变 C、变宽 D、无法确定5、(1-1,低)二极管正向电阻比反向电阻 。A、大 B、小 C、一样大 D、无法确定6、(1-1,中)二极管的导通条件 。A、uD0 B、uD死区电压C、uD击穿电压 D、以上都不对7、(1-1,中)晶体二极管内阻是 。A、常数 B、不是常数 C、不一定 D、没有电阻8、(1-1,中)电路如图所示,输出电压UO应为 。A、0.7V B、3.7V C、10V D、0.3V9、(1-1,中)把一个二极管直接同一个电动势为1
17、.5V,内阻为零的电池正向连接,该二极管 。A、击穿 B、电流为零 C、电流正常 D、电流过大使管子烧坏10、(1-1,中)下面列出的几条曲线中,哪条表示的理想二极管的伏安特性曲线 。 A B C D11、(1-1,低)二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5 A,温度每升高10oC,其反向饱和电流值增大一倍,当温度为30 oC时,反向饱和电流值为 。 A、5 A B、10 A C、20 A D、30 A12、(1-1,中)将交流电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是 。 A、Uo=Ui B、Uo=0.45Ui C、Uo=0.5Ui D、Uo=Ui13、(1-1,中)三极管三个极
18、的对地电位分别是-6 V、-3 V、-3.2 V,则该管是 。 A、PNP硅管 B、NPN锗管 C、NPN硅管 D、PNP锗管14、(1-1,中)NPN型三极管,三个电极的电位分别有VC=3.3 V,VE=3 V,VB=3.7 V,则该管工作在 。 A、饱和区 B、截止区 C、放大区 D、击穿区15、(1-1,中)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到 。A、R100或R1K B、R1 C、R10 D、R10016、(1-1,中)当环境温度升高时,二极管的反向电流将 。A、减少 B、增大 C、不变 D、缓慢减少17、(1-1,中)如图所示,设二极管为理想状态,则电压VAB
19、为 。A、3V B、6V C、-3V D、-6V18、(1-1,难)如图所示的电路中,理想二极管D1、D2的工作状态为 。A、D1、D2均导通 B、D1截止,D2导通 C、D1、D2均截止 D、D1导通,D2截止19、(1-1,中)二极管从反向到正向导通所需时间t1,从正向导通到反向截止所需要的时间t2,则t1和t2的关系是A、相等 B、t1远大于t2 C、t1远小于t2 D、t1略小于t2 20、(1-1,中)将交流220V经单相半波整流电路转换为直流电压的值为 。A、110V B、0.45220V C、220V D、220V21、(1-1,中)问以下哪种情况中,二极管会导通 。A、 B、
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- 电工技术 电工 技术 试题 答案 整流 滤波 电路 07749
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